THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng | |
---|---|
Số trang | 44 |
Dung lượng | 1,61 MB |
Nội dung
Ngày đăng: 07/12/2015, 09:50
Nguồn tham khảo
Tài liệu tham khảo | Loại | Chi tiết | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1. T. Seiyama. Chemical sensors: Current State and Future Outlook. Chemical Sensors, (1990) | Sách, tạp chí |
|
||||||||
2. Ingemar Lundstrom. Hydrogen Sensitive MOS Structure Pan 1 Principles and Applications. Sensors and Actuators, 1(1981), 403-426 | Sách, tạp chí |
|
||||||||
3. G. Heilandand D. Kohl. Physical and Chemical Aspects of Oxide Semiconductor Sensor Chemical Sensors, (1990), 15-37 | Sách, tạp chí |
|
||||||||
4. Kei Taknhata.Tin Dioxide Sensors. Development and Application Chemical Sensors, (1980), 39-55 | Sách, tạp chí |
|
||||||||
8. L. M. Lechuga, A. Calle, D. Gohnayo and F Briones. Ammonia Sensitivity of Pt/GaAs Schottky Barrier Diodes. Improvement of the Sensor with an Organic Layer. Sensors and Actuators B, 8(1992), 249-252 | Sách, tạp chí |
|
||||||||
9. M. Ogita, D. B. Ye, K. Kaawamura and T Yamamoto An Intergated Hydrogen-Switching Sensor with a Pd-Si Tunell MIS Structure. Sensors and Actuators. 9(1986), 157-164 | Sách, tạp chí |
|
||||||||
10. Lê Thị Trọng Huyền, Phán Hồng Khôi, Trịnh Dũng, Phan Ngọc Minh Độ nhạy khí của Hydro của Schouky diode tiếp xúc kim loại xúc tác bán dẫm. Hội nghị Vật lý lần thứ IV, Hà Nội 11 - 1993, 561 - 666 | Sách, tạp chí |
|
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TRÍCH ĐOẠN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN