1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu và chế tạo bộ lọc quang (Băng rộng và băng hẹp) dựa trên cơ sở màng đa lớp silic xốp

83 1,1K 3

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 83
Dung lượng 3,27 MB

Nội dung

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:06

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] A. Bruyant, G. Lérondel, P.J. Reece, and M. Gal, (2003), "All-silicon omnidirectional mirrors based on one-dimensional photonic crystals ", Appl.Phys. Lett. 82, p3227 Sách, tạp chí
Tiêu đề: All-silicon omnidirectional mirrors based on one-dimensional photonic crystals
Tác giả: A. Bruyant, G. Lérondel, P.J. Reece, M. Gal
Nhà XB: Appl.Phys. Lett.
Năm: 2003
[2] A.Uhlir, (1956), "Elect rolytic Shaping of Gemanium and Silicon", Bell System Technology Journal 35, pp.333-347 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Elect rolytic Shaping of Gemanium and Silicon
Tác giả: A.Uhlir
Năm: 1956
[3] Bui Huy, Pham Van Hoi, Phan Hong Khoi, Nguyen Thuy Van, and Do Thuy Chi, (2011), "Porous silicon as a promising material for photonics", Int. J.Nanotechnol. 8, pp.360-370 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Porous silicon as a promising material for photonics
Tác giả: Bui Huy, Pham Van Hoi, Phan Hong Khoi, Nguyen Thuy Van, and Do Thuy Chi
Năm: 2011
[4] C. C. Striemer, (2004), "Applications of silicon nanostructures compatible with existing manufacturing technology", Ph.D. dissertation, University of Rochester Sách, tạp chí
Tiêu đề: Applications of silicon nanostructures compatible with existing manufacturing technology
Tác giả: C. C. Striemer
Năm: 2004
[5] Canham, L.T., (1990), "Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical disolution of wafers", Appl.Phys.Lett. 57, p1046 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical disolution of wafers
Tác giả: Canham, L.T
Nhà XB: Appl.Phys.Lett.
Năm: 1990
[7] D.A.G. Bruggeman, (1935), "Berechnung Verschiedener Physikalischer Konstanten von Heterogenen Substanzen", Ann. Phys. (Leipzig) 24, pp.636- 679 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Berechnung Verschiedener Physikalischer Konstanten von Heterogenen Substanzen
Tác giả: D.A.G. Bruggeman
Năm: 1935
[8] Do Thuy Chi, Bui Huy, Nguyen Thuy Van, and Pham Van Hoi, (2011), "Investigation of 1D Photonic Crystal Based on Nano-porous Silicon Multilayer for Optical Filtering", Communications in Physics 21, pp.89-96 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Investigation of 1D Photonic Crystal Based on Nano-porous Silicon Multilayer for Optical Filtering
Tác giả: Do Thuy Chi, Bui Huy, Nguyen Thuy Van, and Pham Van Hoi
Năm: 2011
[9] Elisabet Xifré Pérez, Thesis presented for the qualification of Ph.D – Design, fabrication and characterization of porous silicon multilayer optical devices, 2007 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Design, fabrication and characterization of porous silicon multilayer optical devices
[11] H. Looyenga, (1965), "Dielectric constants of heterogeneous mixtures", Physica 31, pp.401-406 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Dielectric constants of heterogeneous mixtures
Tác giả: H. Looyenga
Năm: 1965
[12] H. S. Nalwa, (2001),Silicon Based Materials and Devices 2: Properties and Devices Academic Press, San Diego Sách, tạp chí
Tiêu đề: Silicon Based Materials and Devices
Tác giả: H. S. Nalwa
Năm: 2001
[13] J. C. Maxwell Garnett, (1904), "Colours in metal glasses and in metallic films", Phil. Trans. R. Soc. Lond. 203, pp.385-420 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Colours in metal glasses and in metallic films
Tác giả: J. C. Maxwell Garnett
Nhà XB: Phil. Trans. R. Soc. Lond.
Năm: 1904
[14] J. Volk, J. Balazs, A.L. Tóth, and I. Bársony, (2004), "Porous silicon multilayers for sensing by tuneable IR-transmission filtering", Sens. Actuators B 100, pp.163-167 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Porous silicon multilayers for sensing by tuneable IR-transmission filtering
Tác giả: J. Volk, J. Balazs, A.L. Tóth, and I. Bársony
Năm: 2004
[15] L. Pavesi, (1997), "Porous silicon dielectric multilayers and microcavities", La Rivista del Nuovo Cimento 20, pp.1-76 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Porous silicon dielectric multilayers and microcavities
Tác giả: L. Pavesi
Năm: 1997
[16] Müller, P., (1972), "“IUPAC Manual of Symbols and Technology”", Pure Appl. Chem. 31, p578 Sách, tạp chí
Tiêu đề: “IUPAC Manual of Symbols and Technology”
Tác giả: Müller, P
Năm: 1972
[17] R. Herino, G. Bomchil, K. Barla, C. Bertrand, and J. L. Ginoux, (1987), "Porosity and pore size distributions of porous silicon layers", J. Electrochem.Soc. 134, pp. 1994-2000 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Porosity and pore size distributions of porous silicon layers
Tác giả: R. Herino, G. Bomchil, K. Barla, C. Bertrand, and J. L. Ginoux
Năm: 1987
[20] Taflove, A. and S.C. Hagness, (2000), "Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time-Domain Method", Artech House Inc.Boston Sách, tạp chí
Tiêu đề: Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time-Domain Method
Tác giả: A. Taflove, S.C. Hagness
Nhà XB: Artech House Inc.
Năm: 2000
[21] Thuy Chi Do, Huy Bui, Thuy Van Nguyen, The Anh Nguyen, T.H. Nguyen, and Van Hoi Pham, (2011), "A microcavity based on a porous silicon multilayer", Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 2, p035001 Sách, tạp chí
Tiêu đề: A microcavity based on a porous silicon multilayer
Tác giả: Thuy Chi Do, Huy Bui, Thuy Van Nguyen, The Anh Nguyen, T.H. Nguyen, and Van Hoi Pham
Năm: 2011
[22] Taflove, A. and S.C. Hagness, (2000), "Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time-Domain Method", Artech House Inc.Boston Sách, tạp chí
Tiêu đề: Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time-Domain Method
Tác giả: A. Taflove, S.C. Hagness
Nhà XB: Artech House Inc.
Năm: 2000
[23] V. Lehmann and U. Gosele, (1991), "Porous silicon formation: A quantum wire effect", Appl.Phys.Lett. 58, p856 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Porous silicon formation: A quantum wire effect
Tác giả: V. Lehmann and U. Gosele
Năm: 1991
[24] W. Theiβ (1997), "Optical properties of porous silicon", Surf. Sci. Rep. 29, pp.91-192 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Optical properties of porous silicon
Tác giả: W. Theiβ
Năm: 1997

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN