Bộ giáo dục đào tạo Trường đại học sư phạm hà nội phạm văn hào Nghiên cứu chế tạo dây hai lớp hệ Thủy tinh/cop Có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (giant magneto impedance - gmi) Bằng phương pháp mạ hóa học Luận văn thạc sĩ vật lý hà nội, 2009 Bộ giáo dục đào tạo Trường đại học sư phạm hà nội -phạm văn hào Nghiên cứu chế tạo dây hai lớp hệ Thủy tinh/cop Có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (giant magneto impedance - gmi) Bằng phương pháp mạ hóa học Chuyên ngành Vật lý chất rắn Mã số: 60.44.07 Luận văn thạc sĩ vật lý Người hướng dẫn khoa học: TS Mai Thanh Tùng GS TS Nguyễn Hoàng Nghị hà nội, 2009 Lời cảm ơn Luận văn hoàn thành Phòng thí nghiệm Vật liệu từ nanô tinh thể, Viện Vật lý Kỹ thuật, trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Phòng thí nghiệm Bộ môn Ăn mòn Bảo vệ Kim lọai, trường Đại học Bách Khoa Hà Nội hướng dẫn khoa học giúp đỡ tận tình tinh thần vật chất GS TS Nguyễn Hoàng Nghị, TS Mai Thanh Tùng Trước hết xin bày tỏ lòng kính trọng biết ơn sâu sắc đến GS TS Nguyễn Hoàng Nghị, TS Mai Thanh Tùng tập thể cán bộ, giáo viên Bộ môn Phòng thí nghiệm Vật liệu từ nanô tinh thể, Phòng thí nghiệm Ăn mòn Bảo vệ Kim loại tạo điều kiện thuận lợi cho suốt thời gian học tập nghiên cứu phòng thí nghiệm Tôi xin bày tỏ lòng cám ơn sâu sắc tới đồng nghiệp nhóm nghiên cứu: ThS Nguyễn Văn Dũng, NCS Nguyễn Văn Dũng, KS Nguyễn Ngọc Phách, Trịnh Thị Thanh Nga, Lê Cao Cường tạo điều kiện thuận lợi giúp đỡ thời gian nghiên cứu phòng thí nghiệm Vật liệu từ nanô tinh thể, phòng thí nghiệm Ăn mòn Bảo vệ Kim loại Xin cám ơn Viện Khoa học Vật liệu ITIMS Đại học Bách khoa Hà Nội, tạo điều kiện thuận lợi cho nghiên cứu, đo đạc mẫu viện cho góp ý thảo luận quí báu Tôi xin chân thành cám ơn lãnh đạo, đồng nghiệp nơi công tác Trường THPT Nam Duyên Hà - Thái Bình, Trung tâm Hỗ trợ NCKH & CGCN, Trường Đại học Sư Phạm Hà Nội tạo điều kiện thuận lợi, động viên giúp đỡ trình thực luận văn Cuối cùng, xin bày tỏ lòng biết ơn đến tới bố, mẹ, tất người thân yêu gia đình bạn bè cổ vũ, động viên nhiều vật chất tinh thần thời gian thực luận văn Tác giả luận văn Lời cam đoan Tôi xin cam đoan công trình nghiên cứu riêng Các số liệu, kết nêu luận văn riêng Các kết nêu luận văn trung thực Tác giả luận văn Phạm Văn Hào Mục lục Mở đầu Chương I - Tổng quan 1.1 Vật liệu có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (GMI) 1.1.1 Hiệu ứng từ trổng trở khổng lồ GMI 1.1.2 Lý thuyết từ học tượng GMI 1.1.2.1 Cấu trúc domain dây vô định hình 1.1.2.2 Chiều sâu thấm từ 11 1.1.2.3.Hiện tượng tách đỉnh đường GMI 13 1.1.3 Vật liệu có hiệu ứng GMI 14 1.1.3.1 Băng vô định hình (ribbons) 14 1.1.3.2 Dây (wires) 15 1.2 Mạ hóa học CoP 17 1.2.1 Mạ hoá học 17 1.2.1.1 Định nghĩa 17 1.2.1.2 Các đặc điểm mạ hoá học 18 1.2.1.2.1 Cơ chế phản ứng mạ hoá học 18 1.2.1.2.2 Các yếu tố ảnh hưởng đến phản ứng mạ hoá học 20 1.2.2 Mạ hóa học CoP 21 1.2.2.1 Cơ chế mạ 21 1.2.2.2 Các yếu tố ảnh hưởng đến lớp mạ CoP 23 1.2.2.3 Cấu trúc tính chất vật lý lớp mạ CoP 26 1.2.2.3.1 Cấu trúc lớp mạ CoP 26 1.2.2.3.2 Tính chất vật lý lớp mạ CoP 28 Chương - Thực nghiệm 35 2.1 Chuẩn bị mẫu 35 2.1.1 Chuẩn bị: 35 2.1.2 Thành phần dung dịch chế độ mạ 36 2.2 Các phương pháp phân tích mẫu 36 2.2.1 Phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) 36 2.2.2 Phương pháp nhiễu xạ tia Rơnghen (XRD) 36 2.2.3 Thiết bị từ kế mẫu rung (VSM) 38 2.2.4 Đo hiệu ứng GMI .39 Chương - kết qủa thảo luận 41 3.1 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 42 3.1.1 ảnh SEM 42 3.1.2 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới thành phần hợp kim CoP 43 3.1.3 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới cấu trúc hợp kim CoP 45 3.1.4 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới tính chất từ hợp kim CoP 46 3.1.5 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới tỷ số GMI hợp kim CoP 48 3.2 ảnh hưởng thời gian mạ tới tính chất từ tỷ số GMI 50 3.3 So sánh kết thu với hệ dây Cu/FeNi có hiệu ứng GMI chế tạo phương pháp điện kết tủa 55 Chương - Kết luận 57 Tài liệu tham khảo 58 Danh mục chữ viết tắt ký hiệu sử dụng luận văn Chữ viết tắt Chữ tiếng Anh đầy đủ Nghĩa tiếng Việt GMI Giant Magneto Impedance Từ tổng trở khổng lồ SEM Scanning Electron Microscope Hiển vi điện tử quét TEM Transmission Electron Microscope Hiển vi điện tử truyền qua VSM Vibrating Sample Magnetometer Từ kế mẫu rung VĐH Amorphous Vô định hình XRD X-ray Diffraction Nhiễu xạ tia X Danh mục bảng luận văn Bảng 1.1 Tổng kết số vật liệu dây thông số vật lý dây vô định hình Bảng 1.2 Độ hoà tan photphit phụ thuộc pH Bảng 3.1: Nồng độ NaH2PO2 dung dịch tốc độ mạ Danh mục hình vẽ, đồ thị luận văn Hình 1.1 Cấu trúc domain dây vô định hình bao gồm lớp vỏ lõi Hình 1.2 Hiện tượng tách đỉnh đường MI vật liệu finemet Fe73.5Cu1Nb3B9Si13.5 Hình 1.3 Mô tả dị hướng từ giải thích tượng tách đỉnh đường cong GMI Hình 1.4: Một số phương pháp chế tạo vật liệu dạng băng mỏng từ thể lỏng phương pháp nguội nhanh Hình 1.5: Tỷ số MIr màng FeNi/Cu chế tạo phương pháp điên kết tủa Hình 1.6 Đồ thị điện cực thể tổng hợp (Trong i: dòng điện thực; ia: dòng điện anot; ic: dòng điện catot; ipl: dòng điện mạ hoá học thể hỗn hợp Epl) Hình 1.7 Điện phản ứng khử hydro xúc tác kim loại khác trường hợp chất khử NaH2PO2, HCHO, NaBH4, DMAB, NH2NH2 Hình 1.8 Giản đồ pha hợp kim CoP Hình 1.9 ảnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM) Hình 1.10 ảnh hưởng đốt nóng lên suất điện trở hợp kim CoP kết tủa điện chứa 1.3% P Hình 1.11: Trạng thái ferro từ nguyên tử Co Hình 1.12 Sự xuất xắp sếp đômen Hình 1.13 ảnh hưởng đốt nóng lên độ cứng hợp kim photpho kết tủa điện hóa Hình 1.14 Độ cứng hợp kim kim loại kết tủa điện hóa Hình 2.1 Quy trình chế tạo dây Hình 2.2 Sơ đồ mô tả nguyên lý hoạt động phương pháp nhiễu xạ tia X Hình 3.1 ảnh SEM dây CoP kết tủa hóa học dung dịch có nồng độ NaH2PO2 khác Hình 3.2 Phổ EDS màng kết tủa dung dịch có nồng độ NaH2PO2 khác khác Hình 3.3 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới hàm lượng P Hình 3.4 Phổ nhiễu xạ tia X dây hai lớp hệ thủy tinh CoP từ dung dịch có hàm lượng NaH2PO2 khác Hình 3.5 Đường cong từ trễ VSM dây hai lớp CoP hệ thủy tinh có nồng độ NaH2PO2 khác Hình 3.6 ảnh hưởng hàm lượng P tới lực kháng từ H c Hình 3.7 Tỷ số MIr hợp kim CoP với dung dịch có hàm lượng NaH2PO2 khác Hình 3.8 ảnh hưởng nồng độ H2PO2 đến tỷ số GMI Hình 3.9 Tỷ số từ tổng trở MIr dây hai lớp CoP hệ thủy tinh với thời gian mạ tốc độ mạ khác Hình 3.10 Sự phụ thuộc tỷ số MIr vào chiều dày màng Hình 3.11 ảnh hưởng thời gian mạ đến tỷ số MIr dây hai lớp hệ thủy tinh CoP Hình 3.12 Tỷ số MIr hệ dây Cu/ FeNi chế tạo phương pháp điện kết tủa b) a) d) c) e) Hình 3.2 Phổ EDS màng kết tủa dung dịch có nồng độ NaH2PO2 khác khác (Thời gian mạ 10 phút, bề dày màng 10 m ): a) 10g/l b) 20g/l c) 30g/l 44 d) 40g/l e) 50g/l 30 Co24,1-P75,9 25 Co28,4-P71,6 20 Co34,6-P65,4 P% 15 Co44,3-P55,7 10 Co61,4-P38,6 0 10 20 30 40 50 60 Nồng độ NaH2PO2 (g/l) Hình 3.3 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới hàm lượng P 3.1.3 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới cấu trúc hợp kim CoP Nhằm nghiên cứu cấu trúc pha hợp kim CoP, màng CoP kết tủa lên Cu, lý dây thủy tinh phủ CoP cho tín hiệu thấp, không đủ quan sát cấu trúc màng CoP Và có phổ nhiễu xạ tia X dây hai lớp hệ thủy tinh CoP hình 3.4 1200 Cu 1000 Intensity 800 C o 600 Co Cu 400 200 35 40 45 50 55 60 th e ta Hình 3.4 Phổ nhiễu xạ tia X dây hai lớp hệ thủy tinh CoP từ dung dịch có nồng độ NaH2PO2 khác 45 Từ phổ nhiễu xạ tia X, cực đại pha tinh thể mẫu Điều có nghĩa với mẫu đó, tồn trạng thái vô định hình hoàn toàn Peak Co(111) cho thấy tồn dạng vô định hình Đồng thời so sánh tỷ lệ diện tích Co(200) Cu(200) màng, Co tồn dạng tinh thể Vậy hợp kim CoP hợp kim bán vô định hình Điều hoàn toàn phù hợp với lý thuyết trình bày Theo giản đồ pha (hình 1.7), lớp mạ CoP có cấu trúc thay đổi từ bán vô định hình sang vô định hình hoàn toàn phụ thuộc vào hàm lượng P có thành phần hợp kim Hợp kim CoP có cấu trúc vô định hình hoàn toàn khoảng thành phần P từ 18-32% hàm lượng P nhỏ 18% xuất pha tinh thể Co lòng pha vô định hình Do đặc điểm hợp kim photpho có cấu trúc vô định hình, đặc trưng cấu trúc phi trật tự Kích thước nguyên tử P nhỏ nên dao động quanh 1nm vài lớp nguyên tử - tính vô định hình, nên tăng nồng độ NaH2PO2, tức tăng hàm lượng P hợp kim tính vô định hình hợp kim tăng dần lên 3.1.4 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới tính chất từ hợp kim CoP Tính chất từ vật liệu, phụ thuộc vào tính chất vật liệu mà phụ thuộc vào thành phần vật liệu Với thiết bị từ kế mẫu rung, ta nghiên cứu tính chất từ hợp kim CoP: 46 200 100 100 M (memu) M (memu) 50 H c= 5.02e P = w t% 150 Hc=78 O e P w t% 50 -50 -100 -5 -150 (a ) -1 0 -1 -1 -5 10 (b ) -200 -15 15 -10 10 15 M agnetic field (kO e) M a g n e tic fie ld (k O e ) 50 H c = O e 14 w t% P ==10,2 wt% 25 M (memu) M (memu) -5 -1 H c = O e P = w t% -2 -2 -3 (c ) -4 -1 -1 -5 10 (d ) -5 -1 15 -1 10 -5 10 15 M a g n e tic fie ld (k O e ) M a g n e tic fie ld (k O e ) Hc = Oe P = w t% M (memu) -5 (e ) -1 -1 -1 -5 10 15 M a g n e tic fie ld (k O e ) Hình 3.5 Đường cong từ trễ VSM dây hai lớp CoP hệ thủy tinh có nồng độ NaH2PO2 khác nhau: a) 10g/l b) 20g/l c) 30g/l d) 40g/l e) 50g/l Sự ảnh hưởng hàm lượng P tới tính chất từ dây biểu diễn cụ thể hình 3.6 47 90 80 Co98-p2 70 Hc (Oe) 60 50 40 30 20 10 Co91-P9 Co89,8P10,2 Co88-P12 Co86,8P13.2 -10 10 12 14 P(%) Hình 3.6 ảnh hưởng hàm lượng P tới lực kháng từ H c Kết cho thấy lực kháng từ H c tương đối nhỏ, giảm dần nồng độ tăng dần, điều hoàn toàn phù hợp với lý thuyết Trong hợp kim vô định hình, phân tử mang nguyên tử kim loại chuyển tiếp Fe, Co, Ni, hay Mn, Các nguyên tử phi từ tính làm ổn định trạng thái vô định P, B, C, Si, Theo mô hình Cluster, mô hình đa diện nhiều kết thực nghiệm cho phép quan niệm hợp kim vô định hình gồm hạt tinh thể kích thước số lớp nguyên tử, tương đương với kích thước D ~ 1nm Với kích thước vậy, dị hướng từ tinh thể hiệu dụng (đối với vật liệu từ) gần không lý quan trọng giải thích tính từ mềm vật hợp kim định hình Như tăng nồng độ P nghĩa tăng độ vô định hình hợp kim, tính từ mềm hợp kim tăng lên, nghĩa lực kháng từ H c giảm [3] 3.1.5 ảnh hưởng nồng độ NaH2PO2 tới tỷ số GMI hợp kim CoP Tỷ số GMI phụ thuộc vào tần số theo biểu thức: MIr Z ( H ) Z ( H MAX ) x100% Z ( H MAX ) (3.1) (3.2) z A f eff ( f , H ) 48 Với kết đo tỷ số MIr hợp kim CoP thể hình 3.7: 240 f = M H z g /l g /l g /l g /l g /l 200 GMIr (%) 160 120 80 40 -3 0 -2 0 -1 0 100 200 300 H (O e ) Hình 3.7 Tỷ số MIr hợp kim CoP với dung dịch có nồng độ NaH2PO2 khác Mối liên hệ tỷ số MIr nồng độ NaH2PO2 biễu diễn cụ thể hình 3.8: Tỷ số MIr MAX (%) 250 200 150 100 50 0 10 20 30 40 50 60 Nồng độ NaH2PO2 (g/l) Hình 3.8 ảnh hưởng nồng độ H2PO2 đến tỷ số MIr Trong kết hình 3.8 này, điểm đáng ý số trường hợp có tượng tách đỉnh Hiện tượng tách đỉnh giải thích nguyên nhân hướng từ hóa tạo góc với phương từ trường ngoài, tượng xảy vật liệu dạng băng có phương từ hóa trùng với phương từ trường 49 Tỷ số MIr đạt giá trị lớn nồng độ NaH2PO2 khoảng 30 g/l Trong dung dịch mà nồng độ NaH2PO2 giá trị MIrmax = Khi thêm P, nồng độ NaH2PO2 = 20g/l, ta thấy tỷ số MIrmax =100% Nhưng tăng hàm lượng NaH2PO2 30g/l tỷ số lại giảm Từ hình 3.6, ta nhận thấy tăng hàm lượng NaH2PO2 tăng thời gian mạ tỷ số MIr giảm Kết hợp với kết VSM, ta nhận thấy rằng, lực kháng từ H c nhỏ tỷ số MIr lớn, điều phù hợp với lý thuyết Sự thay đổi H c làm thay đổi độ từ thẩm, dẫn đến tổng trở Z thay đổi MIr thay đổi Ta xét kỹ ảnh hưởng hàm lượng H PO2 tới tỷ số MIr hình 3.7 Khi tăng hàm lượng NaH PO2 đến giá trị tới hạn, 30g/l, trình bày trên, lượng khí H2 sinh tăng lên, só bám vào bề mặt lớp mạ, dẫn đến độ nhám bề mặt lớp mạ vết nứt tăng lên (tuy chưa có sai hỏng lớn) điều dẫn đến H c tăng nhẹ dần, tương ứng tỷ số MIr giảm dần 3.2 ảnh hưởng thời gian mạ tới tính chất từ tỷ số GMI Tỷ số từ tổng trở MIr dây hai lớp CoP hệ thủy tinh với thời gian mạ khác thể hình 3.9 180 160 frequency 4.5MHz ]= 30 g/l a)[NaH [NaH2PO 2PO22] = 20 g/l mins mins 10 mins 15 mins 20 mins 30 mins 140 GMIr (%) 120 100 80 60 40 20 -20 -300 -200 -100 H(Oe) 50 100 200 300 frequency 4.5MHz 160 mins mins 10 mins 15 mins 20 mins 30 mins 15 mins b) [NaHPO 2PO]=40g/l 2] = 30 g/l [NaH 2 GMIr (%) 120 80 40 -300 -200 -100 100 200 300 H(Oe) 240 frequency 4.5MHz mins mins 10 mins 15 mins 20 mins 30 mins 15 mins c) [NaHPO 2PO]=30g/l 2] = 40 g/l [NaH 2 200 GMIr (%) 160 120 80 40 -300 -200 -100 H(Oe) 51 100 200 300 mins mins 10 mins 15 mins 20 mins 30 mins 15 mins frequency 4.5MHz d) [NaH [NaH PO 2PO]=50g/l 2] = 50 g/l 2 200 GMIr (%) 160 120 80 40 -300 -200 -100 100 200 300 H(Oe) Hình 3.9 Tỷ số từ tổng trở MIr dây hai lớp CoP hệ thủy tinh với thời gian mạ tốc độ mạ khác a) Nồng độ NaH PO2 : 20g/l, tốc độ mạ: 0,6 m / phut b) Nồng độ NaH PO2 : 30g/l, tốc độ mạ: 0,75 m / phut c) Nồng độ NaH PO2 : 40g/l, tốc độ mạ: 0,8 m / phut d) Nồng độ NaH PO2 : 50g/l, tốc độ mạ: 0,84 m / phut Thời gian mạ ảnh hưởng định đền độ dày lớp mạ, song từ kết hình 3.9 b) 3.9 d), thấy tượng tách đỉnh xảy không theo quy luật thay đổi độ dày lớp mạ Có thể phương dây đo đặt không thẳng góc 90 với từ trường Do tốc độ mạ theo lý thuyết phụ thuộc vào nồng độ NaH2PO2, cụ thể là: Bảng 3.1: Nồng độ NaH2PO2 dung dịch tốc độ mạ Nồng độ NaH2PO2 (g/l) 20 30 40 50 Tốc độ mạ ( m / phut ) 0,75 0,80 0,84 0,50 Hình 3.10 Biểu diễn mối liên hệ tỷ số MIr tốc độ mạ 52 180 160 160 140 140 120 120 Mirmax% Mirmax% 180 100 80 100 80 60 60 40 40 20 20 0 10 15 20 10 Chiều dày màng a) 20 25 30 b) 250 250 200 200 MIrmax% MIrmax% 15 Chiều dày màng 150 100 50 150 100 50 0 10 15 20 25 30 Chiều dày màng 10 15 20 25 30 35 Chiều dày màng c) d) Hình 3.10 Sự phụ thuộc tỷ số MIr vào chiều dày màng a) Nồng độ NaH2PO2: 20g/l, tốc độ mạ 0.50 m / phut b) Nồng độ NaH2PO2: 30g/l, tốc độ mạ 0.75 m / phut c) Nồng độ NaH2PO2: 40g/l, tốc độ mạ 0.80 m / phut d) Nồng độ NaH2PO2: 50g/l, tốc độ mạ 0.84 m / phut Hình 3.11 sau thể ảnh hưởng thời gian mạ đến tỷ số MIr dây hai lớp hệ thủy tinh CoP: 53 a) b) 180 160 160 140 140 Tỷ số MIr MAX (%) Tỷ số MIr MAX (%) 180 120 100 80 60 120 100 80 60 40 40 20 20 0 10 15 20 25 30 35 10 c) 250 30 40 d) 250 200 Tỷ số MIr MAX (%) Tỷ số MIr MAX (%) 20 Thời gian mạ (phút) Thời gian mạ (phút) 150 100 50 200 150 100 50 0 10 20 30 40 10 20 30 40 Thời gian mạ (phút) Thời gian mạ (phút) e) 40 35 GMIr (max) 30 25 20 15 10 0 50 100 150 200 250 Thời gian mạ (phút) Hình 3.11 ảnh hưởng thời gian mạ đến tỷ số MIr dây hai lớp hệ thủy tinh CoP: a) Nồng độ NaH2PO2: 20g/l b) Nồng độ NaH2PO2: 30g/l c) Nồng độ NaH2PO2: 40g/l d) Nồng độ NaH2PO2: 50g/l e) Tỷ số MIr max dung dịch có nồng độ NaH2PO2 khác theo thời gian mạ Với kết thu hình 3.10, đặc biệt 3.10 e, cho thấy tăng thời gian mạ, tỷ số MIr giảm mạnh MIrmax đạt cực đại thời gian mạ phút, lớp mạ mỏng, số lượng đômen ít, định hướng chúng theo từ 54 trường cực đại, H c giảm cực tiểu tỷ số MIr đạt cực đại Khi tăng thời gian mạ, lớp mạ tăng dần lên, nên định hướng theo từ trường đômen giảm dần, H c tăng dần tỷ số MIr giảm dần Khi độ dày lớp mạ đạt đến giá trị lớn chiều sâu độ thấm từ tỷ số MIr đạt giá trị bão hòa, tiếp tục tăng thời gian mạ, nồng độ P tiếp tục tăng, tạo nên lớp phủ P bề mặt lớp mạ, tỷ số MIr giảm đột ngột 3.3 So sánh kết thu với hệ dây Cu/FeNi có hiệu ứng GMI chế tạo phương pháp điện kết tủa Các kết đo tỷ số MIr hệ dây Cu/FeNi chế tạo phương pháp điện kết tủa biểu diễn hình 3.12: a) 25 25 20 20 15 15 10 10 5 0 -500 -300 -100 100 300 Chưa xử lý nhiệt -500 -300 -100 100 300 500 o 500 Xử lý nhiệt 450 C b) Hình 3.12 Tỷ số MIr hệ dây Cu/ FeNi chế tạo phương pháp điện kết tủa: a) Đường cong GMI thu mật độ dòng thấp b) Đường cong GMI thu mật độ dòng cao 55 Từ kết thu được, so sánh với kết hệ dây Cu/FeNi, có hiệu ứng GMI chế tạo phương pháp điện kết tủa rút nhận xét sau: Dây Cu/ FeNi có quy luật đạt tỷ số MIr cực đại theo chiều dày Kết luận giải thích hiệu ứng GMI hiệu ứng bề mặt Tính từ mềm ( H c nhỏ) tốt nhiều So với dây Cu/ FeNi, dây thủy tinh/ CoP có tỷ số MIr lớn nhiều lần 56 Chương - Kết luận Dây từ hai lớp CoP hệ thủy tinh có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ chế tạo phương pháp mạ hóa học Thành phần, cấu trúc, tính chất từ tỷ số MIr dây hai lớp CoP hệ thủy tinh phụ thuộc vào nhiều yếu tố, yếu tố là: Hàm lượng NaH2PO2 dung dịch mạ Thời gian mạ Trong luận văn này, mối liên hệ giữa: hàm lượng NaH2PO2 dung dịch mạ, thời gian mạ hiệu ứng GMI làm sáng tỏ Chế độ tối ưu đạt tỷ lệ MIr lớn với nồng độ NaH2PO2 = 40g/l thời gian mạ phút Dây từ hai lớp CoP hệ thủy tinh chế tạo phương pháp mạ hóa học cho tỷ số MIr lớn nhiều lần so với dây hai lớp FeNi/Cu chế tạo phương pháp điện kết tủa hay FeNi dạng màng mỏng 57 Tài liệu tham khảo Tài liệu tiếng Việt Bùi Xuân Chiến (2006), Nghiên cứu vật liệu từ cấu trúc nanô dạng hạt có hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR) chế tạo công nghệ nguội nhanh, Luận án Tiến sĩ Vật lý, Đại học Bách Khoa Hà Nội Chu Văn Thuấn (2006), Chế tạo dây Cu/FeNi có hiệu ứng từ tổng trở (MI) cao kỹ thuật điện kết tủa, Luận văn Thạc sĩ Vật lý, Đại học Bách Khoa Hà Nội Mai Xuân Dương (1999), Nghiên cứu cấu trúc tính chất từ hợp kim vô định hình-nano tinh thể, Luận án Tiến sĩ Vật lý, Đại học Bách Khoa Hà Nội Mai Thanh Tùng (2005), Mạ hóa học NiP dung dịch hypophotphit: ảnh hưởng thông số đến tốc độ mạ, Tạp chí Hóa học ứng dụng, (4), 32-35 Nguyễn Hoàng Nghị (2003), Các phương pháp thực nghiệm phân tích cấu trúc, Nhà Xuất Giáo dục, Hà Nội Nguyễn Hoàng Nghị 2003, Lý thuyết nhiễu xạ tia X, Nhà xuất Giáo dục, Hà Nội Trần Minh Ho ng (1998), Công nghệ mạ điện, Nhà xuất Khoa học v Kỹ thuật, H Nội Vũ Đình Cự (1996), Từ học, Nhà Xuất Khoa học kỹ thuật, Hà Nội Tài liệu tiếng Anh Beach R S and Berkowitz A E (1994), Appl Phys Lett, (64), 3652 10 Bui Thi Khanh Nhung (2006), Investigation of giant magnetoimpedance effect in electrodeposited Cu-CoP wires, Master thesis of materials science, Hanoi university of technology 11 Gllen Mallory (2005), Electroless deposition technology, Surface Finishing Publisher, NewYork 58