1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

(LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03

145 3 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Lý Thuyết Lượng Tử Về Hiệu Ứng Hall Trong Hố Lượng Tử Và Siêu Mạng
Tác giả Bùi Đình Hợi
Người hướng dẫn GS. TS. Trần Công Phong, GS. TS. Nguyễn Quang Báu
Trường học Đại học Quốc gia Hà Nội
Chuyên ngành Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Thể loại luận án tiến sĩ
Năm xuất bản 2015
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 145
Dung lượng 1,26 MB

Nội dung

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ HÀ NỘI, 2015 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG Chuyên ngành : Vật lí lí thuyết vật lí tốn Mã số: 62440103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS TS TRẦN CƠNG PHONG GS TS NGUYỄN QUANG BÁU HÀ NỘI, 2015 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng Các kết nghiên cứu nêu luận án trung thực chưa công bố cơng trình khác Tác giả luận án Bùi Đình Hợi i TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CẢM ƠN Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến GS.TS Trần Công Phong GS.TS Nguyễn Quang Báu - người thầy tận tình hướng dẫn, đóng góp ý kiến quý báu cho tác giả suốt trình thực luận án Tác giả xin chân thành cám ơn Ban Giám hiệu, Khoa Vật lý phòng Sau đại học Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội, tạo điều kiện tốt cho tác giả hoàn thành luận án Tác giả bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới thầy, cô bạn đồng nghiệp thuộc Bộ môn Vật lý lý thuyết, khoa Vật lý Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đóng góp ý kiến quý báu cho luận án Tác giả xin chân thành cám ơn Ban Giám hiệu phòng, khoa chức Trường Đại học Xây dựng tạo điều kiện thuận lợi thời gian hỗ trợ kinh phí cho tác giả thời gian nghiên cứu hoàn thành luận án Cuối cùng, tác giả xin cám ơn giúp đỡ tận tình anh chị đồng nghiệp môn Vật lý, Trường Đại học Xây dựng, bạn bè người thân gia đình động viên cho tác giả hồn thành luận án Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến người Tác giả luận án ii TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com MỤC LỤC Mục lục Bảng đối chiếu thuật ngữ Anh - Việt chữ viết tắt Danh mục số ký hiệu thường dùng Bảng giá trị thông số bán dẫn GaAs GaN Danh mục hình vẽ, đồ thị MỞ ĐẦU 15 Chương TỔNG QUAN VỀ HỆ HAI CHIỀU VÀ LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG BÁN DẪN KHỐI 20 1.1 Tổng quan hố lượng tử siêu mạng 20 1.1.1 Phổ lượng hàm sóng electron hố lượng tử đặt từ trường điện trường vng góc với 22 1.1.2 Phổ lượng hàm sóng electron siêu mạng bán dẫn đặt từ trường điện trường vng góc với 25 1.2 Phương pháp phương trình động lượng tử lý thuyết lượng tử hiệu ứng Hall bán dẫn khối 28 Chương HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ PARABOL DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH 36 2.1 Trường hợp từ trường vng góc với mặt phẳng tự electron 36 2.1.1 Tương tác electron - phonon quang 38 2.1.2 Tương tác electron - phonon âm 41 2.1.3 Kết tính số thảo luận 42 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 2.2 Trường hợp từ trường nằm mặt phẳng tự electron 52 2.2.1 Tương tác electron - phonon quang 54 2.2.2 Tương tác electron - phonon âm 55 2.2.3 Kết tính số thảo luận 57 2.3 Kết luận chương 61 Chương HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VNG GĨC VỚI THẾ CAO VƠ HẠN DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH 63 3.1 Trường hợp từ trường vng góc với mặt phẳng tự electron 63 3.1.1 Tương tác electron - phonon quang 65 3.1.2 Tương tác electron - phonon âm 67 3.1.3 Kết tính số thảo luận 68 3.2 Trường hợp từ trường nằm mặt phẳng tự electron 76 3.2.1 Tương tác electron - phonon quang 78 3.2.2 Tương tác electron - phonon âm 79 3.2.3 Kết tính số thảo luận 80 3.3 Kết luận chương 83 Chương HIỆU ỨNG HALL TRONG SIÊU MẠNG BÁN DẪN PHA TẠP DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH 85 4.1 Trường hợp từ trường vng góc với mặt phẳng tự electron 85 4.1.1 Tương tác electron - phonon quang 87 4.1.2 Tương tác electron - phonon âm 89 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 4.1.3 Kết tính số thảo luận 90 4.2 Trường hợp từ trường nằm mặt phẳng tự electron 98 4.2.1 Tương tác electron - phonon quang 100 4.2.2 Tương tác electron - phonon âm 101 4.2.3 Kết tính số thảo luận 102 4.3 Kết luận chương 105 KẾT LUẬN 107 CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN 109 TÀI LIỆU THAM KHẢO 111 PHỤ LỤC 122 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT Tiếng Anh Tiếng Việt Viết tắt Zero dimension Không chiều 0D One dimension Một chiều 1D Two dimensions Hai chiều 2D Three dimensions Ba chiều 3D Semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn Compositional semiconductor Siêu mạng bán dẫn hợp phần superlattice CSSL Doped semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn pha tạp DSSL Parabolic quantum well Hố lượng tử parabol PQW Quantum well Hố lượng tử QW Square quantum well Hố lượng tử vng góc SQW Optical phonon Phonon quang Acoustic phonon Phonon âm Vacuum permittivity Độ cảm chân không Acoustic deformation potential Thế biến dạng âm Electron form factor Thừa số dạng electron Magnetoconductivity Độ dẫn từ Magnetoresistance Từ trở Hall conductivity Độ dẫn Hall Hall resistance Điện trở Hall Hall coefficient Hệ số Hall TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC MỘT SỐ KÝ HIỆU THƯỜNG DÙNG Đại lượng Bán kính cyclotron Ký hiệu B Độ rộng SQW Lz Chu kỳ siêu mạng d Tần số giam giữ đặc trưng PQW ωz Tần số plasma đặc trưng cho DSSL ωp Tần số sóng điện từ ω Tần số phonon quang khơng tán sắc ω0 Tần số cyclotron ωc Chỉ số mức Landau N Chỉ số mini vùng n Từ trường B Điện trường khơng đổi E1 Biên độ sóng điện từ E0 Điện tích electron e Hằng số Boltzmann kB Hằng số Planck rút gọn = h/(2π) Độ thẩm điện môi cao tần/tĩnh χ∞ /χ0 Hằng số điện (độ cảm chân không) Khối lượng hiệu dụng/trạng thái tự electron κ me /m0 Vận tốc sóng âm vs Mật độ khối lượng vật liệu ρ Mật độ electron n0 Thế biến dạng âm Ed Năng lượng Fermi εF Năng lượng photon ω Năng lượng phonon ωq Độ dẫn từ σxx , σzz Độ dẫn Hall σyx , σzx Từ trở ρxx , ρzz RH Hệ số Hall TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Bảng giá trị thông số bán dẫn GaAs GaN Thông số Ký hiệu GaAs (GaN) Độ thẩm điện môi cao tần χ∞ 10.9 (5.47) Độ thẩm điện môi tĩnh χ0 13.1 (10.4) Hằng số biến dạng Ed 13.5 (9.2) eV Khối lượng electron tự m0 9.1 × 10−31 kg Khối lượng hiệu dụng electron me 0.067m0 (0.206m0 ) Mật độ tinh thể ρ 5320 (6150) kg.m−3 Năng lượng Fermi εF 0.05 (0.187) eV (không tán sắc) ω0 36.25 (90.57) meV Vận tốc sóng âm vs 5370 (6560) m.s−1 Năng lượng phonon quang TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com for N=0; for N1=1; if N==N1 break else for n=0; for n1=1; lz=sqrt(h./(m.*omez(l))); f=(-1).^n.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n); f1=(-1).^n1.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n1); ff=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).*p i))).*exp(-x.^2).*cos(qz.*x.*lz).*f.*f1; I11=int(ff,x,-inf,inf); ff1=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).* pi))).*exp(-x.^2).*sin(qz.*x.*lz).*f.*f1; I21=int(ff1,x,-inf,inf); Isq=I11.^2+I21.^2; Isqnk=int(Isq,qz,-inf,inf); Isqn=double(Isqnk); A=h.*xi.^2./(2.*rho.*vs); alp=h.*Vd; thet=e^2.*E0.^2./(m.^2.*ome.^4); epsNn=(N+1/2).*h.*omc+(n+1/2).*h.*omez(l)+m.*Vd.^2./2 gamm=ne.*A.*Ly.*Isqn.*(epsNnepsF)./(8.*pi^3.*bta.*vs.*h.^2.*alp.^2.*lB.^2.*omc); delx=(sqrt(N+1/2)+sqrt(N+1+1/2)).*lB./2; xx=e.*E.*delx; yy=h.*ome; Gamma=h./Tau; eps1=((n-n1).*h.*omez(l)+e.*E.*delx)./(h.*omc); eps2=((n-n1).*h.*omez(l)+e.*E.*delx-h.*ome)./(h.*omc); eps3=((n-n1).*h.*omez(l)+e.*E.*delx+h.*ome)./(h.*omc); u1=0;ak1=1;u2=0;ak2=1;u3=0;ak3=1; for s=1:50 ak1=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps1); u1=u1+ak1; ak2=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps2); u2=u2+ak2; ak3=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps3); u3=u3+ak3; end 127 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com u1;u2;u3; I=gamm.*((e.*B.*delx)./h).*(1+u1); II=-gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u1)./2; III=gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u2)./4; IV=gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u3)./4; b=4.*pi.*e.*h./(m).*(I+II+III+IV); a=ne.*h.*e.*Ly./(2*pi.*m.*alp).*(epsNn-epsF); sigxxk(:,l)=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+e.*b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./(m.*(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigyxk(:,l)=omc.*Tau.^2./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+2*b.*e.*Tau./(m *(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigxx(:,l)=sigxx(:,l)+sigxxk(:,l); sigyx(:,l)=sigyx(:,l)+sigyxk(:,l); rhoyx(:,l)=-sigyx(:,l)./(B(:).*(sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); rhoxx(:,l)=sigxx(:,l)./((sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); end end end end end end plot(B,rhoxx(:,1),'-k','linewidth',3);hold on plot(B,rhoxx(:,2),' k','linewidth',3); plot(B,rhoxx(:,3),':k','linewidth',3); xlabel('\bf B (T)','Fontsize',16); ylabel('\bf \rho_{xx} (\Omega)','Fontsize',16); legend('\omega_{z}=10^{12}s^{-1}','\omega_{z}=10^{13}s^{-1}', '\omega_{z}=10^{14}s^{-1}'); set(gca,'fontweight','bold','fontsize',16); XLIM([1 12]); • Chương trình khảo sát phụ thuộc từ trở vào tỉ số tần số sóng điện từ tần số cyclotron tần số sóng điện từ cố định, trường hợp tương tác electron - phonon âm (Hình 2.4) clc;close all;clear all; m=.6097*10^(-31); ne=3e16; rho=5320; Xinf=10.9;X0=12.9; vareps0=8.86e-12; e0=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; e=e0; vs=5220; 128 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com xi=13.5*1.6e-19;%xi=13,5eV c=3e8; hnu=3.66e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; E=5e2; E0(1)=2e5; E0(2)=0; Lx=100e-9;Ly=100e-9; Tau=1e-12; epsF=0.05*1.6*10^(-19); B=linspace(0.6,5,100); ome=7e12; sigxxk=ones(length(B),2);sigxx=zeros(length(B),2); sigyxk=ones(length(B),2);sigyx=zeros(length(B),2); T=4; for l=1:2; bta=1./(kb.*T); omc=e.*B./m; lB=sqrt(h./(m.*omc)); omez=5.5e13; Vd=E./B; syms x ky qz; for N=0; for N1=1; if N==N1 break else for n=0; for n1=1; lz=sqrt(h./(m.*omez)); f=(-1).^n.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n); f1=(-1).^n1.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n1); ff=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).*p i))).*exp(-x.^2).*cos(qz.*x.*lz).*f.*f1; I11=int(ff,x,-inf,inf); ff1=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).* pi))).*exp(-x.^2).*sin(qz.*x.*lz).*f.*f1; I21=int(ff1,x,-inf,inf); Isq=I11.^2+I21.^2; Isqnk=int(Isq,qz,-inf,inf); Isqn=double(Isqnk); A=h.*xi.^2./(2.*rho.*vs); alp=h.*Vd; thet=e^2.*E0(l).^2./(m.^2.*ome.^4); epsNn=(N+1/2).*h.*omc+(n+1/2).*h.*omez+m.*Vd.^2./2 129 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com gamm=ne.*A.*Ly.*Isqn.*(epsNnepsF)./(8.*pi^3.*bta.*vs.*h.^2.*alp.^2.*lB.^2.*omc); delx=(sqrt(N+1/2)+sqrt(N+1+1/2)).*lB./2; Gamma=h./Tau; eps1=((n-n1).*h.*omez+e.*E.*delx)./(h.*omc); eps2=((n-n1).*h.*omez+e.*E.*delx-h.*ome)./(h.*omc); eps3=((n-n1).*h.*omez+e.*E.*delx+h.*ome)./(h.*omc); u1=0;ak1=1;u2=0;ak2=1;u3=0;ak3=1; for s=1:50 ak1=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps1); u1=u1+ak1; ak2=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps2); u2=u2+ak2; ak3=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps3); u3=u3+ak3; end u1;u2;u3; I=gamm.*((e.*B.*delx)./h).*(1+u1); II=-gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u1)./2; III=gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u2)./4; IV=gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u3)./4; b=4.*pi.*e.*h./(m).*(I+II+III+IV); a=ne.*h.*e.*Ly./(2*pi.*m.*alp).*(epsNn-epsF); sigxxk(:,l)=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+e.*b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./(m.*(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigyxk(:,l)=omc.*Tau.^2./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+2*b.*e.*Tau./(m *(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigxx(:,l)=sigxx(:,l)+sigxxk(:,l); sigyx(:,l)=sigyx(:,l)+sigyxk(:,l); rhoyx(:,l)=-sigyx(:,l)./(B(:).*(sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); rhoxx(:,l)=sigxx(:,l)./((sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); end end end end end end plot(ome./omc,rhoxx(:,1),'-k','linewidth',3);hold on plot(ome./omc,rhoxx(:,2),' k','linewidth',3); legend('E_{0}=2\times 10^{5}V.m^{-1}, \omega=7\times 10^{12}s^{-1}','E_{0}=0'); 130 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com xlabel('\bf \omega/\omega_{c}','Fontsize',16); ylabel('\bf \rho_{xx} (\Omega)','Fontsize',16); XLIM([0.5 3.5]); set(gca,'fontweight','bold','fontsize',16); • Chương trình khảo sát phụ thuộc hệ số Hall vào từ trường hai trường hợp: khơng có sóng điện từ có mặt sóng điện từ, trường hợp tương tác electron - phonon âm (Hình 2.6) clc;close all;clear all; m=.6097*10^(-31); ne=3e16; rho=5320; Xinf=10.9;X0=12.9; vareps0=8.86e-12; e0=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; e=e0; vs=5220; xi=13.5*1.6e-19;%xi=13,5eV c=3e8; E=5e2; E0(1)=0; E0(2)=2e5; Lx=100e-9;Ly=100e-9; Tau=1e-12; epsF=0.05*1.6*10^(-19); B=linspace(2,12,100); ome=7e12; sigxxk=ones(length(B),2);sigxx=zeros(length(B),2); sigyxk=ones(length(B),2);sigyx=zeros(length(B),2); T=4; for l=1:2; bta=1./(kb.*T); omc=e.*B./m; lB=sqrt(h./(m.*omc)); omez=5.5e13; Vd=E./B; syms x ky qz; for N=0; for N1=1; if N==N1 break else for n=0; 131 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com for n1=1; lz=sqrt(h./(m.*omez)); f=(-1).^n.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n); f1=(-1).^n1.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n1); ff=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).*p i))).*exp(-x.^2).*cos(qz.*x.*lz).*f.*f1; I11=int(ff,x,-inf,inf); ff1=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).* pi))).*exp(-x.^2).*sin(qz.*x.*lz).*f.*f1; I21=int(ff1,x,-inf,inf); Isq=I11.^2+I21.^2; Isqnk=int(Isq,qz,-inf,inf); Isqn=double(Isqnk); A=h.*xi.^2./(2.*rho.*vs); alp=h.*Vd; thet=e^2.*E0(l).^2./(m.^2.*ome.^4); epsNn=(N+1/2).*h.*omc+(n+1/2).*h.*omez+m.*Vd.^2./2 gamm=ne.*A.*Ly.*Isqn.*(epsNnepsF)./(8.*pi^3.*bta.*vs.*h.^2.*alp.^2.*lB.^2.*omc); delx=(sqrt(N+1/2)+sqrt(N+1+1/2)).*lB./2; Gamma=h./Tau; eps1=((n-n1).*h.*omez+e.*E.*delx)./(h.*omc); eps2=((n-n1).*h.*omez+e.*E.*delx-h.*ome)./(h.*omc); eps3=((n-n1).*h.*omez+e.*E.*delx+h.*ome)./(h.*omc); u1=0;ak1=1;u2=0;ak2=1;u3=0;ak3=1; for s=1:50 ak1=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps1); u1=u1+ak1; ak2=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps2); u2=u2+ak2; ak3=2.*(-1).^s.*exp(2*pi*s.*(Gamma./(h.*omc))).*cos(2.*pi.*s.*eps3); u3=u3+ak3; end u1;u2;u3; I=gamm.*((e.*B.*delx)./h).*(1+u1); II=-gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u1)./2; III=gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u2)./4; IV=gamm.*thet.*((e.*B.*delx)./h).^3.*(1+u3)./4; b=4.*pi.*e.*h./(m).*(I+II+III+IV); a=ne.*h.*e.*Ly./(2*pi.*m.*alp).*(epsNn-epsF); 132 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com sigxxk(:,l)=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+e.*b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./(m.*(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigyxk(:,l)=omc.*Tau.^2./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+2*b.*e.*Tau./(m *(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigxx(:,l)=sigxx(:,l)+sigxxk(:,l); sigyx(:,l)=sigyx(:,l)+sigyxk(:,l); rhoyx(:,l)=-sigyx(:,l)./(B(:).*(sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); rhoxx(:,l)=sigxx(:,l)./((sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); end end end end end end plot(B,rhoyx(:,1),'-k','linewidth',3);hold on plot(B,rhoyx(:,2),' k','linewidth',3); legend('E_{0}=0','E_{0}=2\times 10^{5}V.m^{-1}, \omega=7\times 10^{12}s^{-1}'); xlabel('\bf B(T)','Fontsize',16); ylabel('\bf R_{H} (dvbk)','Fontsize',16); set(gca,'fontweight','bold','fontsize',16); • Chương trình khảo sát phụ thuộc tensor độ dẫn vào lượng cyclotron khơng có có mặt sóng điện từ, trường hợp tương tác electron – phonon quang (Hình 2.8) clc;close all;clear all; m=.6097*10^(-31); Xinf=10.9;X0=12.9; eps0=8.86e-12; e=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; ne=3.3e16; T=270; c=3e8; hnu=3.625e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; omez=0.5*ome0; N0=kb.*T./(h*ome0); E=5e2;E0(1)=0;E0(2)=1e5; Lx=100e-9;Ly=100e-9; Tau=1e-12;Ef=0.05*1.6*10^(-19); B=linspace(0.1,45,500); ome=7e12; omc=e.*B./m; lB=sqrt(h./(m.*omc)); 133 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com sigxxk=ones(length(B),2);sigxx=zeros(length(B),2); sigyxk=ones(length(B),2);sigyx=zeros(length(B),2); for l=1:2; bta=1./(kb.*T); N0=kb.*T./(h.*ome0); Vd=E./B; for N=0; for N1=1; if N==N1 break else syms x qz; for n=0; for n1=0:1; lz=sqrt(h./(m.*omez)); f=(-1).^n.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n); f1=(-1).^n1.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n1); ff=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).*p i))).*exp(-x.^2).*cos(qz.*x.*lz).*f.*f1; I11=int(ff,x,-inf,inf); ff1=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).* pi))).*exp(-x.^2).*sin(qz.*x.*lz).*f.*f1; I21=int(ff1,x,-inf,inf); Isq=I11.^2+I21.^2; Isqnk=int(Isq,qz,-inf,inf); Isqn=double(Isqnk) delx=(sqrt(N+1/2)+sqrt(N+1+1/2)).*lB./2; A=(2*pi*e^2*h*ome0/eps0)*(1/Xinf-1/X0); alp=h.*Vd; thet=e^2.*E0(l).^2./(m.^2.*ome.^4); Gam=h/Tau; EN=(N+1/2).*h.*omc; En=(n+1/2).*h.*omez; EN1=(N1+1/2).*h.*omc; En1=(n1+1/2).*h.*omez; epsNn=(N+1/2).*h.*omc+(n+1/2).*h.*omez+m.*Vd.^2./2; HSC=exp(bta.*(Ef-epsNn)); a1=Lx./(2.*lB.^2); TPky=a1./(alp.*bta).*(exp(alp.*bta.*a1)+exp(-alp.*bta.*a1))1./(alp.*bta).^2.*(exp(alp.*bta.*a1)-exp(-alp.*bta.*a1)); del1=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del2=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del3=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delxh.*ome0+h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; 134 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com del4=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del5=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del6=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del7=Gam./((EN-EN1+EnEn1+e.*E.*delx+h.*ome0+h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del8=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; qy=e.*B.*delx./h; M=abs(N1-N); I=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy./(16.*pi.^3.*M).*((factorial(N1)).^2./(f actorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del1; II=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(32.*pi.^3.*M).*((factorial(N1)) ^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del2; III=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial( N1)).^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del3; IV=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial(N 1)).^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del4; V=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy./(16.*pi.^3.*M).*((factorial(N)).^2./(fa ctorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del5; VI=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(32.*pi.^3.*M).*((factorial(N)) ^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del6; VII=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial( N)).^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del7; VIII=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial (N)).^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del8; b=2.*pi.*e.*N0.*ne.*h./(m).*(I+II+III+IV+V+VI+VII+VIII); a=-h.*ne.*e^2.*Ly.*bta.*Vd./(2*pi.*m).*TPky.*HSC; sigxxk(:,l)=-Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+e.*b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./(m.*(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigyxk(:,l)=omc.*Tau.^2./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+2*b.*e.*Tau./(m *(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigxx(:,l)=sigxx(:,l)+sigxxk(:,l); sigyx(:,l)=sigyx(:,l)+sigyxk(:,l); rhoyx(:,l)=-sigyx(:,l)./(B(:).*(sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); end end end end end end figure(1) 135 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com plot(omc.*h.*1e3/e,sigxx(:,1),'-k','linewidth',3);hold on plot(omc.*h.*1e3/e,sigxx(:,2),' k','linewidth',3); xlabel('\bf h\omega_{c} (meV)','Fontsize',16); ylabel('\bf \sigma_{xx} (dvbk)','Fontsize',16); legend('E_{0}=0','E_{0}=10^{5} V.m^{-1}, \omega=7\times 10^{12} s^{-1}'); set(gca,'fontweight','bold','fontsize',16); • Chương trình khảo sát phụ thuộc từ trở vào nhiệt độ giá trị khác biên độ sóng điện từ, trường hợp tương tác electron – phonon quang (Hình 2.10) clc;close all;clear all; maple('with','orthopoly'); m=.6097*10^(-31); Xinf=10.9;X0=12.9; eps0=8.86e-12; e=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; ne=3.3e16; T=80:400; c=3e8; hnu=3.625e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; omez=0.5*ome0; N0=kb.*T./(h*ome0); E=5e2;E0(1)=0;E0(2)=3e5;E0(3)=5e5 Lx=100e-9;Ly=100e-9; Tau=1e-12;Ef=0.05*1.6*10^(-19); B=3; ome=7e12; omc=e.*B./m; lB=sqrt(h./(m.*omc)); sigxxk=ones(length(T),3);sigxx=zeros(length(T),3); sigyxk=ones(length(T),3);sigyx=zeros(length(T),3); for l=1:3; bta=1./(kb.*T); N0=kb.*T./(h.*ome0); Vd=E./B; for N=0; for N1=1; if N==N1 break else syms x qz; for n=0; 136 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com for n1=0:1; lz=sqrt(h./(m.*omez)); f=(-1).^n.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n); f1=(-1).^n1.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n1); ff=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).*p i))).*exp(-x.^2).*cos(qz.*x.*lz).*f.*f1; I11=int(ff,x,-inf,inf); ff1=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).* pi))).*exp(-x.^2).*sin(qz.*x.*lz).*f.*f1; I21=int(ff1,x,-inf,inf); Isq=I11.^2+I21.^2; Isqnk=int(Isq,qz,-inf,inf); Isqn=double(Isqnk) delx=(sqrt(N+1/2)+sqrt(N+1+1/2)).*lB./2; A=(2*pi*e^2*h*ome0/eps0)*(1/Xinf-1/X0); alp=h.*Vd; thet=e^2.*E0(l).^2./(m.^2.*ome.^4); Gam=h/Tau; EN=(N+1/2).*h.*omc; En=(n+1/2).*h.*omez; EN1=(N1+1/2).*h.*omc; En1=(n1+1/2).*h.*omez; epsNn=(N+1/2).*h.*omc+(n+1/2).*h.*omez+m.*Vd.^2./2; HSC=exp(bta.*(Ef-epsNn)); a1=Lx./(2.*lB.^2); TPky=a1./(alp.*bta).*(exp(alp.*bta.*a1)+exp(-alp.*bta.*a1))1./(alp.*bta).^2.*(exp(alp.*bta.*a1)-exp(-alp.*bta.*a1)); del1=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del2=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del3=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delxh.*ome0+h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del4=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del5=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del6=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del7=Gam./((EN-EN1+EnEn1+e.*E.*delx+h.*ome0+h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del8=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; qy=e.*B.*delx./h; M=abs(N1-N); I=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy./(16.*pi.^3.*M).*((factorial(N1)).^2./(f actorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del1; 137 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com II=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(32.*pi.^3.*M).*((factorial(N1)) ^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del2; III=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial( N1)).^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del3; IV=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial(N 1)).^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del4; V=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy./(16.*pi.^3.*M).*((factorial(N)).^2./(fa ctorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del5; VI=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(32.*pi.^3.*M).*((factorial(N)) ^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del6; VII=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial( N)).^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del7; VIII=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial (N)).^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del8; b=2.*pi.*e.*N0.*ne.*h./(m).*(I+II+III+IV+V+VI+VII+VIII); a=-h.*ne.*e^2.*Ly.*bta.*Vd./(2*pi.*m).*TPky.*HSC; sigxxk(:,l)=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+e.*b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./(m.*(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigyxk(:,l)=omc.*Tau.^2./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+2*b.*e.*Tau./(m *(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigxx(:,l)=sigxx(:,l)+sigxxk(:,l); sigyx(:,l)=sigyx(:,l)+sigyxk(:,l); rhoxx(:,l)=-sigxx(:,l)./((sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); rhoyx(:,l)=-sigyx(:,l)./(B(:).*(sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); end end end end end end figure(1) plot(T,rhoxx(:,1),'-k','linewidth',3);hold on plot(T,rhoxx(:,2),' k','linewidth',3); plot(T,rhoxx(:,3),':k','linewidth',3); xlabel('\bf T (K)','Fontsize',16); ylabel('\bf \rho_{xx} (\Omega)','Fontsize',16); legend('E_{0}=0','E_{0}=3\times10^{5} V.m^{1}','E_{0}=5\times10^{5} V.m^{-1}'); set(gca,'fontweight','bold','fontsize',16); XLIM([80 400]); 138 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com • Chương trình khảo sát phụ thuộc hệ số Hall vào từ trường khơng có có mặt sóng điện từ, trường hợp tương tác electron – phonon quang (Hình 2.11) clc;close all;clear all; maple('with','orthopoly'); m=.6097*10^(-31); Xinf=10.9;X0=12.9; eps0=8.86e-12; e=1.60219e-19;h=1.05459e-34;kb=1.3807e-23; ne=3.3e16; T=270; c=3e8; hnu=3.625e-2*1.60219e-19;ome0=hnu/h; omez=0.5*ome0; N0=kb.*T./(h*ome0); E=5e2;E0(1)=0;E0(2)=5e5; Lx=100e-9;Ly=100e-9; Tau=1e-12;Ef=0.05*1.6*10^(-19); B=linspace(2,15,200); ome=7e12; omc=e.*B./m; lB=sqrt(h./(m.*omc)); sigxxk=ones(length(B),2);sigxx=zeros(length(B),2); sigyxk=ones(length(B),2);sigyx=zeros(length(B),2); for l=1:2; bta=1./(kb.*T); N0=kb.*T./(h.*ome0); Vd=E./B; for N=0; for N1=1; if N==N1 break else syms x qz; for n=0; for n1=0:1; lz=sqrt(h./(m.*omez)); f=(-1).^n.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n); f1=(-1).^n1.*exp(x.^2).*diff(exp(-x.^2),n1); ff=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).*p i))).*exp(-x.^2).*cos(qz.*x.*lz).*f.*f1; I11=int(ff,x,-inf,inf); 139 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ff1=sqrt((1./(2.^n.*factorial(n))).*(1./(2.^n1.*factorial(n1).* pi))).*exp(-x.^2).*sin(qz.*x.*lz).*f.*f1; I21=int(ff1,x,-inf,inf); Isq=I11.^2+I21.^2; Isqnk=int(Isq,qz,-inf,inf); Isqn=double(Isqnk) delx=(sqrt(N+1/2)+sqrt(N+1+1/2)).*lB./2; A=(2*pi*e^2*h*ome0/eps0)*(1/Xinf-1/X0); alp=h.*Vd; thet=e^2.*E0(l).^2./(m.^2.*ome.^4); Gam=h/Tau; EN=(N+1/2).*h.*omc; En=(n+1/2).*h.*omez; EN1=(N1+1/2).*h.*omc; En1=(n1+1/2).*h.*omez; epsNn=(N+1/2).*h.*omc+(n+1/2).*h.*omez+m.*Vd.^2./2; HSC=exp(bta.*(Ef-epsNn)); a1=Lx./(2.*lB.^2); TPky=a1./(alp.*bta).*(exp(alp.*bta.*a1)+exp(-alp.*bta.*a1))1./(alp.*bta).^2.*(exp(alp.*bta.*a1)-exp(-alp.*bta.*a1)); del1=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del2=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del3=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delxh.*ome0+h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del4=Gam./((EN1-EN+En-En1-e.*E.*delx-h.*ome0h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del5=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del6=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0).^2+Gam.^2)./pi; del7=Gam./((EN-EN1+EnEn1+e.*E.*delx+h.*ome0+h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; del8=Gam./((EN-EN1+En-En1+e.*E.*delx+h.*ome0h.*ome).^2+Gam.^2)./pi; qy=e.*B.*delx./h; M=abs(N1-N); I=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy./(16.*pi.^3.*M).*((factorial(N1)).^2./(f actorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del1; II=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(32.*pi.^3.*M).*((factorial(N1)) ^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del2; III=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial( N1)).^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del3; IV=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial(N 1)).^2./(factorial(N)).^2).*HSC.*TPky.*del4; 140 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com V=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy./(16.*pi.^3.*M).*((factorial(N)).^2./(fa ctorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del5; VI=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(32.*pi.^3.*M).*((factorial(N)) ^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del6; VII=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial( N)).^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del7; VIII=bta.*A.*Ly.*Isqn.*qy.^3.*thet./(64.*pi.^3.*M).*((factorial (N)).^2./(factorial(N1)).^2).*HSC.*TPky.*del8; b=2.*pi.*e.*N0.*ne.*h./(m).*(I+II+III+IV+V+VI+VII+VIII); a=-h.*ne.*e^2.*Ly.*bta.*Vd./(2*pi.*m).*TPky.*HSC; sigxxk(:,l)=Tau./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+e.*b.*Tau.*(1omc.^2.*Tau.^2)./(m.*(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigyxk(:,l)=omc.*Tau.^2./(1+omc.^2.*Tau.^2).*(a+2*b.*e.*Tau./(m *(1+omc.^2.*Tau.^2))); sigxx(:,l)=sigxx(:,l)+sigxxk(:,l); sigyx(:,l)=sigyx(:,l)+sigyxk(:,l); rhoyx(:,l)=-sigyx(:,l)./(B(:).*(sigyx(:,l).^2+sigxx(:,l).^2)); end end end end end end figure(1) plot(B,rhoyx(:,1),'-k','linewidth',3);hold on plot(B,rhoyx(:,2),' k','linewidth',3); xlabel('\bf B (T)','Fontsize',16); ylabel('\bf R_{H} (dvbk)','Fontsize',16); legend('E_{0}=0','E_{0}=5\times10^{5} V.m^{-1}, \omega=7\times 10^{12} s^{-1}'); set(gca,'fontweight','bold','fontsize',16); 141 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ... ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG Chuyên ngành : Vật lí lí thuyết vật lí tốn Mã số: 6 2440 103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS TS TRẦN... TỔNG QUAN VỀ HỆ HAI CHIỀU VÀ LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG BÁN DẪN KHỐI Chương trình bày số vấn đề tổng quan hố lượng tử siêu mạng, phổ lượng hàm sóng electron hố lượng tử siêu mạng đặt... sát hiệu ứng Hall hố lượng tử siêu mạng chương 1.1.1 Phổ lượng hàm sóng electron hố lượng tử đặt từ trường điện trường vng góc với • Hố lượng tử vng góc với giam giữ cao vơ hạn Xét hố lượng tử

Ngày đăng: 12/07/2022, 09:36

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Nguyễn Quang Báu (chủ biên), Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyết bán dẫn
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn
Nhà XB: NXB Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2004
[2] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội.Tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý bán dẫn thấp chiều
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền
Nhà XB: NXB Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2007
[3] Balkan N., Celik H., Vickers A. J., and Cankurtaran M. (1995), “Warm-electron power loss in GaAs/Ga 1−x Al x As multiple quantum wells: Well-width dependence”, Phys. Rev. B 52, pp. 17210–17222 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Warm-electron power loss in GaAs/Ga 1−x Al x As multiple quantum wells: Well-width dependence
Tác giả: Balkan N., Celik H., Vickers A. J., Cankurtaran M
Nhà XB: Phys. Rev. B
Năm: 1995
[4] Barnes D. J. et. al. (1991), “Observation of optically detected magnetophonon res- onance”, Phys. Rev. Lett. 66, pp. 794–797 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Observation of optically detected magnetophonon resonance
Tác giả: Barnes D. J., et. al
Nhà XB: Phys. Rev. Lett.
Năm: 1991
[5] N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc (2009), “The nonlinear absorption coeffcient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, J.Korean Phys. Soc. 54(2), pp. 765–773 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorption coeffcientof a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc
Năm: 2009
[6] N. Q. Bau, H. D. Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong elec- tromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”, J. Korean Phys.Soc. 56(1) . pp. 120–127 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires
Tác giả: N. Q. Bau, H. D. Trien
Nhà XB: J. Korean Phys. Soc.
Năm: 2010
[7] N. Q. Bau , L. T. Hung, and N. D. Nam (2010), “The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic waves by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, Journal of Electromagnetic Waves and Applications 24, pp. 1751–1761 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic waves by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons
Tác giả: N. Q. Bau, L. T. Hung, N. D. Nam
Nhà XB: Journal of Electromagnetic Waves and Applications
Năm: 2010
[8] N. Q. Bau, D. M. Hung, and L. T. Hung (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices”, Progress In Electromagnetics Research Letters 15, pp. 175–185 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The influences of confined phonons on the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung, L. T. Hung
Nhà XB: Progress In Electromagnetics Research Letters
Năm: 2010
[9] N. Q. Bau and D. M. Hung (2010), “Calculation of the nonlinear apsorption coef- ficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlat- tices”, Progress In Electromagnetics Research B 25, pp. 39–52 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculation of the nonlinear apsorption coef- ficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlat- tices
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung
Nhà XB: Progress In Electromagnetics Research B
Năm: 2010
[10] N. Q. Bau, N. V. Hieu, and N. V. Nhan (2012), “The quantum acoustomagneto- electric field in a quantum well with a parabolic potential”, Superlatt. Microstruct.52(5), pp. 921–930 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The quantum acoustomagneto- electric field in a quantum well with a parabolic potential
Tác giả: N. Q. Bau, N. V. Hieu, N. V. Nhan
Nhà XB: Superlattices and Microstructures
Năm: 2012
[11] Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, Nguyen Vu Nhan (2012), “Calculations of acoustoelectric current in a quantum well by using a quantum kinetic equation”, J.Korean Phys. Soc. 61(12), pp. 2026–2031 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculations ofacoustoelectric current in a quantum well by using a quantum kinetic equation
Tác giả: Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, Nguyen Vu Nhan
Năm: 2012
[12] N. Q. Bau, N. V. Hieu (2013), “The quantum acoustoelectric current in a doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be”, Superlatt. Microstruct. 63, pp. 121–130 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The quantum acoustoelectric current in a dopedsuperlattice GaAs:Si/GaAs:Be
Tác giả: N. Q. Bau, N. V. Hieu
Năm: 2013
[13] N. Q. Bau, N. T. T. Nhan, and N. V. Nhan (2014) “Negative absorption coefficient of a weak electromagnetic wave caused by electrons confined in rectangular quantum wires in the presence of laser radiation”, J. Korean Phys. Soc. 64(4), pp. 574–578 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Negative absorption coefficient of a weak electromagnetic wave caused by electrons confined in rectangular quantum wires in the presence of laser radiation
Tác giả: N. Q. Bau, N. T. T. Nhan, N. V. Nhan
Nhà XB: J. Korean Phys. Soc.
Năm: 2014
[14] Cavill S. A., Challis L. J., Kent A. J., Ouali F. F., Akimov A. V., and Henini M. (2002), “Acoustic phonon-assisted tunneling in GaAs/AlAs superlattices”, Phys.Rev. B 66, pp. 235320 (11 pages) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Acoustic phonon-assisted tunneling in GaAs/AlAs superlattices
Tác giả: Cavill S. A., Challis L. J., Kent A. J., Ouali F. F., Akimov A. V., Henini M
Nhà XB: Phys.Rev. B
Năm: 2002
[15] Charbonneau M., Van Vliet K. M., and Vasilopoulos P. (1982), “Linear response theory revisited III: One-body response formulas and generalized Boltzmann equa- tions”, J. Math. Phys. 23, pp. 318–336 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Linear responsetheory revisited III: One-body response formulas and generalized Boltzmann equa-tions
Tác giả: Charbonneau M., Van Vliet K. M., and Vasilopoulos P
Năm: 1982
[16] Chaubey M. P. and Van Vliet C. M. (1986), “Transverse magnetoconductivity of quasi-two-dimensional semiconductor layers in the presence of phonon scattering”, Phys. Rev. B 33, pp. 5617–5622 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Transverse magnetoconductivity of quasi-two-dimensional semiconductor layers in the presence of phonon scattering
Tác giả: Chaubey M. P., Van Vliet C. M
Nhà XB: Phys. Rev. B
Năm: 1986
[17] Chen X. (1997), “Local-field study of optical intersubband saturation in a parabolic quantum well under crossed magnetic and electric fields”, J. Phys.: Condens. Matter 9, pp. 8249–8256 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Local-field study of optical intersubband saturation in a parabolicquantum well under crossed magnetic and electric fields
Tác giả: Chen X
Năm: 1997
[18] Cho Y. J., and Choi S. D (1993), “Theory of cyclotron-resonance line shapes based on the isolation-projection technique”, Phys. Rev. B 47, pp. 9273–9278 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Theory of cyclotron-resonance line shapes based on the isolation-projection technique
Tác giả: Cho Y. J., Choi S. D
Nhà XB: Phys. Rev. B
Năm: 1993
[19] Cho Y. J., and Choi S. D (1994), “Calculation of quantum-limit cyclotron-resonance linewidths in Ge and Si by the isolation-projection technique”, Phys. Rev. B 49, pp.14301–14306 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculation of quantum-limit cyclotron-resonancelinewidths in Ge and Si by the isolation-projection technique
Tác giả: Cho Y. J., and Choi S. D
Năm: 1994
[20] Choi S. D., Lee S. C., Lee H. J., Ahn H. S., Kim S. W. and Ryu J. Y. (2002),“Optically detected magnetophonon resonances in semiconductor based n-Ge and n-GaAs”, Phys. Rev. B 66, pp. 155208–155219 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Optically detected magnetophonon resonances in semiconductor based n-Ge and n-GaAs
Tác giả: Choi S. D., Lee S. C., Lee H. J., Ahn H. S., Kim S. W., Ryu J. Y
Nhà XB: Phys. Rev. B
Năm: 2002

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT (Trang 8)
Bảng giá trị các thông số cơ bản trong bán dẫn GaAs và GaN - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Bảng gi á trị các thông số cơ bản trong bán dẫn GaAs và GaN (Trang 10)
Hình 1.1: Dị cấu trúc hố lượng tử (a) và sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng tương ứng (b). - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 1.1 Dị cấu trúc hố lượng tử (a) và sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng tương ứng (b) (Trang 25)
Hình 1.2: (a) Cấu trúc đa hố lượng tử. Khi độ dày các lớp ngăn cách B đủ nhỏ thì cấu trúc là một siêu mạng - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 1.2 (a) Cấu trúc đa hố lượng tử. Khi độ dày các lớp ngăn cách B đủ nhỏ thì cấu trúc là một siêu mạng (Trang 25)
Hình 2.1: Sự phụ thuộc của từ trở ρ xx vào từ trường B (hình trái) và nghịch đảo từ trường 1/B (hình phải) trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron -phonon âm tại các giá trị khác nhau của nhiệt độ khi - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.1 Sự phụ thuộc của từ trở ρ xx vào từ trường B (hình trái) và nghịch đảo từ trường 1/B (hình phải) trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron -phonon âm tại các giá trị khác nhau của nhiệt độ khi (Trang 48)
Hình 2.3: Sự phụ thuộc của từ trở vào từ trường tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ của hố parabol ω z khi không có mặt sóng điện từ (E 0 = 0) - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.3 Sự phụ thuộc của từ trở vào từ trường tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ của hố parabol ω z khi không có mặt sóng điện từ (E 0 = 0) (Trang 49)
Hình 2.4: (bên trái) Sự phụ thuộc của từ trở vào tỷ số ω/ω c với ω cố định trong hai trường hợp: có mặt sóng điện từ (đường liền nét) và không có sóng điện từ (đường gạch gạch) - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.4 (bên trái) Sự phụ thuộc của từ trở vào tỷ số ω/ω c với ω cố định trong hai trường hợp: có mặt sóng điện từ (đường liền nét) và không có sóng điện từ (đường gạch gạch) (Trang 50)
Hình 2.8: Sự phụ thuộc của độ dẫn σ xx vào năng lượng cyclotron ~ ω c trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.8 Sự phụ thuộc của độ dẫn σ xx vào năng lượng cyclotron ~ ω c trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: (Trang 52)
Hình 2.12: Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B trong PQW khi từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.12 Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B trong PQW khi từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch (Trang 62)
Hình 2.13: Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ khi không có sóng điện từ (E 0 = 0) - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.13 Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ khi không có sóng điện từ (E 0 = 0) (Trang 62)
Hình 2.14: Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B trong PQW khi từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon âm trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạ - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.14 Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B trong PQW khi từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon âm trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạ (Trang 63)
Hình 2.15: Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ của PQW khi không có mặt sóng điện từ (E 0 = 0) - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.15 Sự phụ thuộc của từ trở ρ zz vào từ trường B tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ của PQW khi không có mặt sóng điện từ (E 0 = 0) (Trang 64)
Hình 2.16: Sự phụ thuộc của hệ số Hall R H vào từ trường B trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạch) - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 2.16 Sự phụ thuộc của hệ số Hall R H vào từ trường B trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạch) (Trang 64)
Hình 3.4: (bên trái) Sự phụ thuộc của từ trở vào tỷ số ω/ω c với ω cố định trong hai trường hợp: có mặt sóng điện từ (đường liền nét) và không có sóng điện từ (đường gạch gạch) - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 3.4 (bên trái) Sự phụ thuộc của từ trở vào tỷ số ω/ω c với ω cố định trong hai trường hợp: có mặt sóng điện từ (đường liền nét) và không có sóng điện từ (đường gạch gạch) (Trang 74)
Hình 3.8: Sự phụ thuộc của độ dẫn σ xx vào năng lượng cyclotron ~ ω c trong SQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: - (LUẬN án TIẾN sĩ) lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án TS vật lý62 44 01 03
Hình 3.8 Sự phụ thuộc của độ dẫn σ xx vào năng lượng cyclotron ~ ω c trong SQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: (Trang 77)

TRÍCH ĐOẠN

Kết luận chương 4

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w