ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT

• 1. Đặc tuyến ngõ vào IB/ VBE

(A)

V

• Lập mạch thí nghiệm như hình 6.9a với nguồn điện áp VBB có thể điều chỉnh được.

• Hình 6.9a là đặc tuyến chỉ sự quan hệ giữa dòng điện IB theo điện áp VBE.

• Đặc tuyến IB/ VBE có dạng giống như đặc tuyến của diod, sau khi điện áp VBE tăng đến trị số điện áp thềm V thì bắt đầu có dòng điện IB và dòng điện IB cũng tăng lên theo hàm số mũ như dòng ID của diod.

• Ở mỗi điện áp VBE thì dòng điện IB có trị số khác nhau, ví dụ như sau:

• VBE  0,5V , IB  10A

• VBE  0,55V , IB  20A

• VBE  0,6V , IB  30A

• VBE  0,65V , IB  40A

• Đặc tuyến trên được vẽ ứng với điện áp VCE = 2V, khi điện áp VCE lớn hơn 2V thì đặc tuyến thay đổi không đáng kể.

• 2. Đặc tuyến truyền dẫn IC/ VBE

• Bây giờ cùng với mạch thí nghiệm hình 6.9a nhưng lại xét dòng điện IC theo điện áp VBE.

• Đặc tuyến IC/ VBE có dạng giống như đặc tuyến IB/ VBE nhưng dòng điện IC có trị số lớn hơn IB nhiều lần.

• Ở mỗi điện áp VBE thì dòng điện IC có trị số khác nhau ví dụ như sau:

IC(mA)

0V 1 2 3 4

Hình 6.10

0,5 0,550,6

0,65

VBE(V V

VBE  0,5V , IB  10A , IC  1mA VBE  0,55V , IB  20A , IC  2mA VBE  0,6V , IB  30A , IC  3mA VBE  0,65V , IB  40A , IC  4mA Người ta tạo tỉ số:





B C

I I

gọi là độ khuếch đại dòng điện của transistor.

• Thí dụ: Ở điện áp VBE = 0,55V thì IB = 20A, IC = 2mA.

• Suy ra:

• Độ khuếch đại dòng điện  thường có trị số lớn từ vài chục đến vài trăm laàn.

• Trong phần nguyên lý vận chuyển của transistor ta đã có:

• IE = IB + IC

A 100 20

mA 2

I I

B

C 

 





• Thay hay IC = .IB vào công thức trên ta có:

• IE = IB +  . IB = ( + 1) IB

• Do  >> 1 nên trong tính toán gần đúng ta có thể lấy:

• hay





B C

I I

B

E . I

I   IE  IC

• 3. Đặc tuyến ngõ ra IC/VCE

• Cùng với mạch thí nghiệm hình 6.9a

nhưng thay đổi điện áp VCE bằng cách ủieàu chổnh nguoàn VCC.

40A 30A 20A IB = 10A

50A

• Nếu ở cực B không có điện áp phân cực đủ lớn (VB < V) thì dòng điện IB = 0 và IC = 0, do đó, đầu tiên phải tạo điện áp phân cực VBE, để tạo dòng IB, sau đó tăng điện áp VCE, để đo dòng điện IC.

• Khi tăng VCE từ 0V lên, dòng điện IC tăng nhanh và sau khi đạt trị số IC =  . IB thì gần như IC không thay đổi mặc dù VCE tiếp tục taêng cao.

• Muốn dòng điện IC tăng cao hơn thì phải tăng phân cực ở cực B để có IB tăng cao hơn, khi đó dòng IC sẽ tăng theo VCE trên đường đặc tuyến cao hơn.

• 4. Các thông số kỹ thuật của transistor

• a) ẹoọ khueỏch ủaùi doứng ủieọn :

• Độ khuếch đại dòng điện  của transistor thật ra không phải là một hằng số mà  có trị số thay đổi theo dòng điện IC.

• Hình 6.12 cho thấy khi dòng điện IC nhỏ thì

 thấp, dòng điện IC tăng thì  tăng đến giá trị cực đại max nếu tiếp tục tăng IC đến mức bão hòa thì  giảm.

• Trong các sách tra đặc tính kỹ thuật của transistor thường chỉ ghi giá trị max hay ghi  trong một khoảng từ mức thấp nhất đến tối đa. Thí dụ:  = 80 đến 200.

IC Hình 6.12

max



• b) ẹieọn aựp giụựi haùn:

• Điện áp đánh thủng BV (Breakdown Voltage) là điện áp ngược tối đa đặt vào giữa các cặp cực, nếu quá điện áp này thì transistor sẽ bị hư. Có ba điện áp giới hạn:

• - BVCEO : điện áp đánh thủng giữa C và E khi cực B hở.

• - BVCEO : điện áp đánh thủng giữa C và B khi cực E hở.

• - BVEBO : điện áp đánh thủng giữa E và B khi cực C hở.

• c) Doứng ủieọn giụựi haùn:

• Dòng điện qua transistor phải được giới hạn ở một mức cho phép, nếu quá trị số này thì transistor sẽ bị hư.

• Ta có: ICmax là dòng điện tối đa ở cực C và IBmax là dòng điện tối đa ở cực B.

• d) Công suất giới hạn:

• Khi có dòng điện qua transistor sẽ sinh ra một công suất nhiệt làm nóng transistor, công suất sinh ra được tính theo công thức:

• PT = IC.VCE.

• Mỗi transistor đều có một công suất giới hạn được gọi là công suất tiêu tán toỏi ủa PDmax (Dissolution).

• Nếu công suất sinh ra trên transistor lớn hụn coõng suaỏt PDmax thỡ transistor seừ bũ hử.

• e) Tần số cắt (thiết đoạn):

• Tần số thiết đoạn (fcut-off) là tần số mà transistor có độ khuếch đại công suất là 1.

• Thí dụ: Transistor 2SC458 có các thông số kỹ thuật như sau:

•  = 230, BVCEO = 30V, BVCEO = 30V, BVCEO = 6V, PDmax = 200mW.

• fcut-off = 230MHz, ICmax = 100mA, loại NPN chaát Si.

• 5. Xeùt transistor PNP

PNP

• Trong phần 6.2 nói về nguyên lý vận chuyển của transistor, ta đã biết transistor PNP được phân cực với các điện áp ngược đối với transistor NPN, đồng thời các loại transistor NPN thông thường làm bằng chất Si trong khi transistor PNP thông thường làm bằng chất Ge.

• Mạch điện hình 6.13 là mạch thí nghiệm đặc tính kỹ thuật của transistor PNP với các nguồn điện áp âm phân cực cho cực B và cực C.

• Transistor PNP cũng có các đặc tuyến ngõ vào đặc tuyến truyền dẫn, đặc tuyến ngõ ra và các thông số kỹ thuật tương tự như transistor NPN nhưng các giá trị điện áp và dòng điện đều là trị soá aâm.

KKỸỸ THUTHUẬẬT ĐIT ĐIỆỆN TN TỬỬ

Chửụng 4: