Bộ giáo dục đào tạo Trường đại học bách khoa hà nội - Nguyễn kiều Ân Nghiên cứu yếu tố ảnh hưởng đến sai số đo profile bề mặt chi tiết máy sử dụng máy đo ba chiều vk450 Luận văn thạc sĩ khoa học Công nghệ khí Hà Nội, năm 2010 Bộ giáo dục đào tạo Trường đại học bách khoa hà nội - Nguyễn kiều Ân Nghiên cứu yếu tố ảnh hưởng đến sai số đo profile bề mặt chi tiết máy sử dụng máy đo ba chiều vk450 Chuyên ngành: Máy Chính xác Mã số: Luận văn thạc sĩ khoa học Người hướng dẫn khoa học TS Nguyễn Thị Phương Mai Hà nội - 2010 Mục lục Trang Mục lục Mở đầu Chương I: Tổng quan phương pháp đo độ nhám thông dụng 1.1 Khái niệm định nghĩa độ nhám bề mặt 1.1.1 Khái niệm bề mặt 1.1.2 Đặc trưng nhấp nhô bề mặt 1.1.3 Các tiêu đánh giá độ nhám bề mặt 1.2 Các phương pháp đo độ nhám thông dụng 1.2.1 Các phương pháp đo tiếp xúc 1.2.1.1 Nguyên tắc chung phương pháp 1.2.1.2 Ưu nhược điểm phương pháp đo tiếp xúc 1.2.1.3 Các phương pháp đo độ nhám theo nguyên tắc đo tiếp xúc 1.2.2 Các phương pháp đo không tiếp xúc 10 1.2.2.1 Nguyên tắc chung phương pháp 10 1.2.2.2 Ưu nhược điểm phương pháp đo không tiếp xúc 10 1.2.2.3 Các phương pháp đo độ nhám theo nguyên tắc đo không tiếp xúc 1.2.3 Phương pháp đo độ nhám ảnh toàn ký điện tử 11 22 1.2.3.1 Nguyên lý ảnh toàn ký 23 1.2.3.2 ảnh toàn ký đồng trục 24 1.2.3.3 ảnh toàn ký lệch trục 27 1.2.3.4 ảnh toàn ký sử dụng sóng khác 28 Chương II: Nghiên cứu ảnh toàn ký điện tử 2.1 Tạo ảnh toàn ký điện tử 30 2.1.1 Biểu đồ tia 30 2.1.2 Thiết bị thí nghiệm 32 a Súng điện tử hệ thống chiếu 33 b Giao thoa kế điện tử 33 c Hệ thống ghi 34 2.2 Tái tạo hình ảnh 35 2.2.1 Kính hiển vi giao thoa 36 2.2.2 Kính hiển vi giao thoa khuyếch đại pha 37 a Phương pháp quang học 37 b Phương pháp số 40 c Phương pháp chuyển dịch pha tái tạo quang học 41 d Phương pháp chuyển dịch pha hiển vi điện tử 42 2.2.3 Tái tạo hình ảnh ba chiều 43 2.2.4 Quan sát tức thời 44 2.2.5 Lưu hình ảnh cách bù quang sai 46 2.2.6 Vi nhiễu xạ điện tử 49 Chương III: Thực nghiệm đánh giá thông số bề mặt qua phân tích ảnh 3.1 Tìm hiểu máy đo VK 450 3.1.1 Giới thiệu tính hoạt động 52 52 3.1.2 Đánh giá bề mặt chi tiết qua phân tích ảnh VK 450 cấu trúc profile độ nhám chi tiết 3.2 Chế tạo mẫu nhám bề mặt 3.2.1 Chế độ cắt mẫu phay 61 74 74 3.2.2 Kết đo độ nhám mẫu gia công phay phương pháp đo tiếp xúc 76 3.3 So sánh phương pháp quang học phương pháp đầu dò 85 Kết luận 86 Tài liệu tham khảo 87 DANH MụC CáC HìNH TT Ký hiệu hình Chương Hình 1.1 Hình 1.2 Hình 1.3a Hình 1.3b Hình 1.4 Hình 1.5 Hình 1.6 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 Hình 1.7 Hình 1.8 Hình 1.9.a Hình 1.9.b Hình 1.10 Hình 1.11 Hình 1.12 Hình 1.13 Hình 1.14 Hình 1.15 Hình 1.16 Hình 1.17 20 Hình 1.18 21 Hình 1.19 22 23 Chương Hình 2.1 Hình 2.2 24 25 Hình 2.3 a, b Hình 2.4 26 27 Hình 2.5 a,b Hình 2.6 a,b Nội dung Minh hoạ khái niệm bề mặt Dạng Profile bề mặt Những đặc trưng nhấp nhô bề mặt Mô tả chiều dài chuẩn , chiều dài khoảng đo lường Mơ tả đường trung bình Profile Mơ tả dạng bề mặt kiểm tra quỹ tích tâm đầu đo Nguyên lý đo Profilemet kiểu khí Nguyên lý đo Profilogafa kiểu cảm ứng Nguyên lý đo phương pháp Nguyên lý dùng mỏng hình nêm Minh hoạ vân dao thoa Nguyên lý đo dụng cụ Sơ đồ đo khí nén Nguyên lý đo dùng điện dung Nguyên lý phương pháp Mô tả độ nhấp nhô bề mặt theo màu sắc Mô tả 3D bề mặt vật liệu Nguyên lý đo phương pháp đốm sáng ảnh toàn ký điện tử đồng trục điểm vật Hình ảnh tái tạo không bị cản trở ảnh kết hợp, kích thước giảm qua trình hình thành ảnh toàn ký Phương pháp ảnh toàn ký lệch trục đối tượng điểm Biểu đồ tia ảnh dao thoa điện tử Sơ đồ mặt cắt ngang kính hiển vi điện tử tạo ảnh tồn ký Lăng kính điện tử kép Hệ thống tái tạo lại ảnh kính hiển vi giao thoa ảnh giao thoa Nguyên lý sau khuyếch đại pha kính hiển vi 28 Hình 2.7 29 Hình 2.8 30 Hình 2.9 31 Hình 2.10 32 33 Hình 2.11 Hình 2.12 34 Hình 2.13 35 Hình 2.14 36 37 Hình 2.15 Hình 2.16 38 Hình 2.17 39 40 41 42 43 Hình 2.18 Chương Hình 3.1 Hình 3.2 Hình 3.3 Hình 3.4 44 45 46 Hình 3.5 Hình 3.6 Hình 3.7 47 Hình 3.8 48 Hình 3.9 49 50 51 52 53 Hình 3.10 Hình 3.11 Hình 3.12 Hình 3.13 Hình 3.14 giao thoa Hệ thống quang học tái tạo lại giao thoa dùng kính hiển vi điện tử Hệ thống lọc quang không gian dạng khuyếch đại pha Hệ thống tái tạo lại khuyếch đại pha kính hiển vi dùng hai phương pháp quang học phương pháp số Nguyên lý sau dịch chuyển pha dụng cụ đo giao thoa Nguyên lý sau tomography máy tính Quan sát tức thời ảnh tồn ký điện tử sử dụng thuỷ tinh giới hạn Hệ thống quang tái tạo lại hình ảnh có sử dụng thuỷ tinh giới hạn Hình ảnh tái tạo phần tử MgO tiêu cự khác Cấu sai thấu kính Hệ thống tái tạo lai quang học để điều chỉnh cầu sai Mẫu vi nhiếu xạ điện tử vùng phân tử coban Mẫu nhiễu xạ từ phân tử Máy đo ba chiều VK 450 Mô tả chức trường qua sát sâu Mơ tả chức phóng đại hình ảnh Mơ tả khả làm giảm yếu tố ảnh hưởng Mô tả hệ quan sát xa Mô tả thích nghi chiếu sáng thẳng đứng Mơ tả quan sát IC với độ phóng đại 175 lần Mô tả cấu làm tăng khả chiếu sáng Mô tả khác chiếu sáng thẳng đứng, chiếu biên ảnh bề mặt lớp bề mặt phay thép CT45 ảnh 3D mẫu CT45 Quan hệ Ra tốc độ cắt V Quan hệ Ra tiến S Quan hệ Ra chiều sâu cắt t 54 55 56 Hình 3.15 Hình 3.16 Hình 3.17 ảnh đường cong loạt mẫu thứ ảnh đường cong loạt mẫu thứ hai ảnh đường cong loạt mẫu thứ ba DANH MụC CáC BảNG TT Ký hiệu bảng Bảng 3.1 Bảng 3.2 Bảng 3.3 Bảng 3.4 Bảng 3.5 Bảng 3.6 Bảng 3.7 Bảng 3.8 Nội dung Khoảng cách quan sát đèn Chế độ cắt mấu phay thay đổi tốc độ cát từ lớn tới bé Chế độ cắt mẫu phay thay đổi chiều sâu cắt từ lớn tới bé Chế độ cắt mẫu phay thay đổi lượng chay dao từ lớn tới bé Kết đo độ nhám loạt mẫu thứ nhât Kết đo độ nhám loạt mẫu thứ hai Kết đo độ nhám loạt mẫu thứ ba So sánh phương pháp đầu dò tiếp xúc phương pháp quang học chương I tổng quan phương pháp đo độ nhám bề mặt 1.1 khái niệm định nghĩa độ nhám bề mặt: 1.1.1 Khái niệm bề mặt: Đầu đo Bề mặt thực Bề mặt đo Bề mặt hình học Hình 1.1: Minh hoạ khái niệm bề mặt - Bề mặt hình học: Là bề mặt ngăn cách vật thể môi trường xung quanh, không tồn nhấp nhơ sai lệch hình dạng - Bề mặt thực: Là bề mặt ngăn cách chi tiết môi trường, sản phẩm nhận sau q trình gia cơng để tạo vật thể - Bề mặt đo: Là bề mặt nhận sau trình chép từ bề mặt thực chi tiết cần đo qua dụng cụ đo - Profile hình học: Là tiết diện bề mặt hình học cắt mặt phẳng theo phương định so với bề mặt hình học Nhìn vào đồ thị ta thấy vận tốc V tăng độ nhám Ra giảm nhanh, đường cong biểu diễn dốc Thông số độ nhám (µm) Mẫu Số Ra Ry Rz Rq 01 1,07 6,0 4,0 1,34 02 1,15 6,4 4,5 1,41 03 1,34 7,0 5,0 1,64 04 0,77 4,9 2,9 0,99 05 1,54 7,7 5,3 1,86 06 1,36 6,8 4,8 1,64 07 1,22 6,9 4,8 1,47 08 1,17 6,8 4,2 1,44 Ghi Bảng 3.6 Kết đo độ nhám loạt mẫu thứ hai Qua bảng số liệu đo ta vẽ đồ thị mối quan hệ độ nhám bước tiến sau: 78 Ra(µm) 1,54 1,36 1,34 1,22 1,17 1,15 1,07 0,77 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 100 200 300 400 500 600 700 800 900 S(mm/ph) Hình 3.13 Quan hệ Ra bước tiến S ảnh hưởng bước tiến đến chiều cao nhấp nhô bề mặt nguyên nhân hình học kể mà phần lớn biến dạng dẻo đàn hồi lớp bề mặt Khi bước tiến S = 600 mm/ph ảnh hưởng đến độ nhấp nhơ giảm nhiều 79 Thơng số độ nhám (µm) Mẫu Số Ra Ry Rz Rq 001 1,32 7,3 4,9 1,61 002 1,12 5,7 4,2 1,35 003 1,26 7,2 4,6 1,59 004 1,07 6,0 4,0 1,33 005 0,96 4,9 3,5 1,15 006 1,41 7,5 5,4 1,75 007 1,64 8,7 5,1 2,05 008 1,29 7,1 4,7 1,6 Ghi Bảng 3.7 Kết đo độ nhám loạt mẫu thứ ba Qua bảng số liệu đo ta vẽ đồ thị mối quan hệ độ nhám chiều sâu cắt sau: 80 Ra(µm) 1,64 1,41 1,32 1,29 1,26 1,12 0,96 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 t(mm) Hình 3.14 Quan hệ Ra chiều sâu căt t ảnh hưởng chiều sâu cắt t đến độ nhấp nhô bề măt nhỏ nên thực tế bỏ qua Nhưnh chọn chiều sâu cắt q lớn ảnh hưởng đến mịn dao Nếu t < S chiều sâu cắt có ảnh hưởng hình dạng hình học đến độ nhẵn bề mặt nên giảm t giảm Ra ảnh đường cong profile sóng bề mặt mẫu đo máy đo tiếp xúc : Mẫu số I.1.Vận tốc V =8000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S = 1040 (mm/phút) 81 Mẫu số I.2.Vận tốc V = 7000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S = 1040(mm/phút) Mẫu số I.3.Vận tốc V = 6000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S = 1040(mm/phút) Mẫu số I.4.Vận tốc V = 5000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S = 1040(mm/phút) Mẫu số I.5.Vận tốc V = 4000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S = 1040(mm/phút) Mẫu số I.6 Vận tốc V = 3000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S= 1040(mm/phút) Mẫu số I.7.Vận tốc V = 2000(vòng/ phút), t = 0,5(mm),S = 1040(mm/phút) 82 Mẫu số I.8 Vận tốc V= 1000(vòng/ phút), t = 0,5(mm), S = 1040(mm/phút) Hình 3.15.ảnh đường cong Profile loạt mẫu thứ Qua hình 3.15 loạt mẫu thứ ta thấy vận tốc giảm dần biên độ ảnh đo máy đo độ nhám Ra tăng dần lên Mẫu số II.1 Lượng chạy dao S = 900(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/phút) Mẫu số II.2 Lượng chạy dao S = 800(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/ phút) Mẫu số II.3 Lượng chạy dao S =700(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/ phút) Mẫu số II.4 Lượng chạy dao S = 600(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/ phút) Mẫu số II.5 Lượng chạy dao S = 500(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/ phút) 83 Mẫu số II.6 Lượng chạy dao S = 400(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/ phút) Mẫu số II.7 Lượng chạy dao S = 300(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vòng/ phút) Mẫu số II.8 Lượng chạy dao S = 200(mm/ph), t = 0,5(mm) , V = 3000(vịng/ phút) Hình 3.16 ảnh đường cong Profile loạt mẫu thứ hai Qua hình 3.16 ta thấy lượng chạy dao thay đổi từ cao tới thấp biên độ ảnh thay đổi khơng Trong khoảng lượng chạy dao thay đổi từ lớn tới bé sau lại gần vói biên độ ban đầu Mẫu số III.1 Chiều sâu cắt t = 1,3(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Mẫu số III.2 Chiều sâu cắt t = 1,2(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) 84 Mẫu số III.3 Chiều sâu cắt t = 1,1(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Mẫu số III.4 Chiều sâu cắt t = 1,0(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Mẫu số III.5 Chiều sâu cắt t = 0,9(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Mẫu số III.6 Chiều sâu cắt t = 0,8(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Mẫu số III.7 Chiều sâu cắt t = 0,7(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Mẫu số III.8 Chiều sâu cắt t = 0,6(mm) ,V = 3000(vòng/ phút), S = 800(mm) Hình 3.17 ảnh đường cong Profile loạt mẫu thứ ba Qua hình 3.17 ta thấy thay đổi chiều sâu cắt từ lớn tới bé biên độ ảnh thay đổi không đáng kể 85 Như qua thực nghiệm ta thấy thay đổi chế độ cắt ( V, S, t) vận tốc thay đổi ảnh hưởng đến độ nhám bề mặt nhiều rõ rệt 3.3 So sánh phương pháp quang học phương pháp đầu dị Thực tế phương pháp quang học khơng linh động phải tuân theo định luận qquang học, ccung có điểm thuật lợi khơng thuận lọi Ví dụ cho độ phân giải cố định góc đối diện Tạo vật kính khơng thay đổi Do đó, góc đối, độ phân giải chều sâu tiêu cự thay đổi mà không ảnh hưởng tới yếu tố khác Trrong đó, phương pháp đầu dị ta tạo góc mũi dị độc lập với kích thước Đối với bề mặt nhẵn bóng, giá trị đo khác phương pháp đo quang học phương pháp đo đầu đo tiếp xúc Phương pháp quang học cho giá trị lớn phương pháp tiếp xúc Đó thiết bị đo tiếp xúc xác định giá trị trung bình thay giá trị lớn phương pháp quạng Phương pháp sử dụng đầu dị tiếp xúc Phương pháp quang học Có khả làm hỏng bề mặt đo Kích thước mũi dị góc khơng phụ thuộc Mũi dị bị gãy Không nhạy độ nghiêng mẫu Tốc độ đo tương đối thấp Cần làm mẫu, loại bỏ chất bẩn chất lỏng bề mặt trước đo Có thể sử dụng để đo thơng số vật lý hình học, ví dụ độ cứng hay độ ma sát Có thể dùng mâũ chuẩn độ nhám để hiệu chuẩn tất phạm vi Chịu ảnh hưởng thời gian tác dụng động lực học Không làm hỏng bề mặt đo Độ phân giải đầu đo góc phụ thuộc Đầu đo khơng bị gãy Cần giới hạn độ nghiêng Có thể quét nhanh Có thể đo với tình trạng Chỉ đường quang Rất khó để hiệu chuẩn chuẩn ảnh hưởng yếu tố hình học khơng gian Bảng 3.8 So sánh phương pháp đầu dò tiếp xúc phương pháp quang học 86 87 Kết luận Sau thời gian thực đồ án tốt nghiệp, với đánh giá thân đề tài “ Nghiên cứu yếu tố ảnh hưởng đến sai số đo Profile bề mặt chi tiết máy sử dụng máy đo ba chiều VK450 ” hoàn thành Trong thời gian thực em học hỏi nhiều kiến thức, kỹ làm việc, khẳng định áp dụng kiến thức thầy cô trang bị suốt thời gian vừa qua Trong đề tài tốt nghiệp này, em giải vấn đề sau : Biểu thức tốn học hồn tồn xác định Trong bao gồm hệ số phải xác định qua thực nghiệm Thực phân tích ảnh giao thoa để đo độ nhám bề mặt profile chi tiết gia cơng khí Đã phân tích thơng số bề mặt: profile độ nhám đo kính hiển vi Hướng nghiên cứu tiếp theo: - Dùng phân tích lập thể lập phần mềm phân tích quang phổ để xác định hệ số thực nghiệm - Chụp ảnh phân tích mẫu vừa làm để xác định độ nhám chi tiết gia cơng khí thơng dụng phương pháp phân tích ảnh - Xây dựng phần mềm tính tốn mơ số liệu để tính hệ số so sánh giá trị với phương pháp đo đầu dò 86 Tài liệu tham khảo Tiếng Anh L Reimer: Transmission Electron Microscopy, 4th edn., Springer Ser Opt Sci., Vol 36 (Springer, Berlin, Heidelberg 1997) G Mửllensteds, H Dỹker: Beobachtung und Messungen an biprisma Interferenzen mit Elektronen Wellen, Z Phys 145, 377 (1956) A Tonomura: Optimum design of accelerating electrodes for a field emission electron gun, Jpn J Appl Phys 12, 1065 (1973) K Matsumoto, M Takahashi: Phase-difference amplification by nonlinear holograms, J Opt Soc Am 60, 30 (1970) J Endo, T Matsuda, A Tonomura: Interference electron microscopy by means of holography, Jpn J Appl Phys 18, 2291 (1979) J Endo, T Kawasaki, T Osakabe, A Tonomura: Sensitivity improvement in electron-holographic interferometry Proc 13th Int’1 Commission for Optics (Sapporo 1984), ed By H Ohzu (Organizing Committee Sapporo 1984) pp 480-481 A Tonomura, T Matsuda, T Kawasaki, J Endo, N Osakabe: Sensitivity-enhanced electron-holographic interferometry and thicknessmeasurement applications at atomics scale, Phys Rev Lett 54, 60 (1985) H.I Bjelkhagen: Silver-Halide Recording Materials and their Processing, Springer Ser Opt Sci Vol 66 (Springer, Berlin, Heidelberg 1993) M Takeda, H Ina, S Kobayashi: Fourier-transform method of fringe pattern analysis for computer-based holography and interferometry, J Opt Soc Am 72, 156 (1982) 87 10 M Takeda, Q Ru: Computer-based highly sensitive electron-wave interforemetry, Appl Opt 24, 3068 (1985) 11 J.H Bruning: Fringe scanning interferometers, in Optical Shop Testing, ed By D Malacara (Wiley, Newyork 1978) pp 409-437 12 T Yatagai, K Ohmura, S Iwasaki, S Hasegawa, J Endo, A Tonomura: Quantitative phase analysis in electron holographic interferometry, Appl Opt 26, 377 (1987) 13 S Hasegawa, T Kawasaki, J Endo, A.Tonomura: Sensitivityenhanced electron holography and its application to magnetic recording investigations, J Appl, Phys 65, 2000 (1989) 14 Q Ru, J Endo, T Tanji, A Tonomura: Phase-shifting electron holography by beam tilting, Appl Phys Lett, 59, 2372 (1991) 15 G Lai, T Hirayama, K Ishizuka, T Tanji, Tonomura: Threedimensional reconstruction of eletric-potential distribution in eletronholographic interferometry, Appl Opt 33, 829 (1994) 16 G Lai, T Hirayama, A Fukuhara, K Ishizuka, T Tanji, A Tonomura: Three-dimensional reconstruction of magnetic vector fields using electron-holographic interferometry, J Appl Phys 75, 4593 (1994) 17 J Chen, T Hirayama, G Lai, T Tanji, K Ishizuka, A Tonomura: Real-time electron-holographic interference microscopy with a liquid-crystal spatial light modulator, Opt Lett 18 1887 (1993) 18 J Chen, G Lai, K Ishizuka, A Tonomura: Method of compensating for aberrations in electron holography by using a liquid-crystal spatial-light modulator Appl, Opt 33, 1187 (1994) 19 O Scherzer: The theoretical resolution limit of the electron microscopy, J Appl Phys 20, 20 (1949) 88 20 G Saxon: The compensation of magnetic lens wavefront aberrations in side-band holography with electrons, Optik 35, 359 (1972) 21 A Tonomura, T Matsuda, J Endo: Spherical-aberration correction of electron lens by holography, Jpn J Appl Phys 18, 1373 (1979) 22 D Gabor: Microscopy by reconstructed wavwfront, Proc Roy Soc London A 197, 454 (1949) 23 I Weingọrtner, W Mirandộ, E Menzel: Enhancement of resolution in electron microscopy, Optik 30, 318 (1969) 24 M Haider, S Uhlemann, E Schwan, H Rose, B Kabius, K Urban: Electron microscopy image enhanced, Nature 392, 768, (28 April 1998) 25 A Tonomura, T Matsuda: A new method for micro-area electron diffraction by electron holography, Jpn Appl Phys 19 L97 (1980) 26 T.R Thomas, Rough Surfaces, Longman, London, 1982 27 D Wehbi, G Montheil and C Roques-Carmes, Notion de rugositộ de surface et mộthodes de mesure, Le vide les couches minces 224 (1985), p 107 28 K.J Stout et al., Three-Dimensional Surface Topography; Measurement, Interpretation and Applications: a Survey and Bibliography, Penton Press, 1994 29 T.R Thomas, B.G Rosen, N Amini, Fractal characterisation of the anisotropy of rough surfaces, Wear 232 (1999) 41–50 30 W.P Dong, P.J Sullivan, K.J Stout, Comprehensive study of parameters for characterising three-dimensional surface topography 31 W.P Dong, P.J Sullivan and K.J Stout, Some inherent properties of parameter variation Wear 159 (1992), pp 161–171 32 W.P Dong, P.J Sullivan and K.J Stout, Statistical properties of parameter variation Wear 167 (1993), pp 9–21 89 Tiếng Việt 69 Tạ Văn Đĩnh, “ Phương pháp tính ”, NXB Đại học giáo dục chuyên nghiệp, Hà nội, 1992 70 Bành Tiến Long, Trần Thế Lục, Trần Sỹ Tuý, “ Nguyên lý gia công vật liệu ”, NXB Khoa học kỹ thuật, Hà nội, 2001 71 Nguyễn Thị Phương Mai, “ Luận án tiến sĩ kỹ thuật ”, 2003 72 Nguyễn Tiến Thọ, Nguyễn Thị Xuân Bảy, Nguyễn Thị Cẩm Tú, “ Kỹ thuật đo lường kiểm tra chế tạo khí ”, NXB Khoa học kỹ thuật, Hà nội, 2001 73 Nguyễn Dỗn ý, “ Giáo trình quy hoạch thực nghiệm ”, NXB Khoa học kỹ thuật, Hà nội, 2003 90 ... nội - Nguyễn kiều Ân Nghiên cứu yếu tố ảnh hưởng đến sai số đo profile bề mặt chi tiết máy sử dụng máy đo ba chi? ??u vk450 Chuyên ngành: Máy Chính xác Mã số: Luận văn thạc sĩ khoa học... nhám bề mặt 1.1 khái niệm định nghĩa độ nhám bề mặt: 1.1.1 Khái niệm bề mặt: Đầu đo Bề mặt thực Bề mặt đo Bề mặt hình học Hình 1.1: Minh hoạ khái niệm bề mặt - Bề mặt hình học: Là bề mặt ngăn cách... nhơ sai lệch hình dạng - Bề mặt thực: Là bề mặt ngăn cách chi tiết môi trường, sản phẩm nhận sau q trình gia cơng để tạo vật thể - Bề mặt đo: Là bề mặt nhận sau trình chép từ bề mặt thực chi tiết