1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013

71 8 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Research On Lightning Protection Solutions For Electronic Devices According To TCVN 9888:2013
Chuyên ngành Electrical Engineering
Thể loại Thesis
Định dạng
Số trang 71
Dung lượng 1,59 MB

Cấu trúc

  • CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU (11)
    • 1.1 Đặt vấn đề (11)
    • 1.2 Các nghiên cứu trong và ngoài nước (12)
      • 1.2.1 Nghiên cứu ngoài nước [1-11] (12)
      • 1.2.2 Nghiên cứu trong nước [12-17] (12)
    • 1.3 Mục tiêu nghiên cứu (12)
    • 1.4 Nhiệm vụ nghiên cứu và giới hạn đề tài (13)
    • 1.5 Phương pháp nghiên cứu (13)
    • 1.6. Điểm mới của luận văn (13)
    • 1.7. Giá trị thực tiễn của luận văn (13)
  • CHƯƠNG 2: BIỆN PHÁP BẢO VỆ CÁC HỆ THỐNG ĐIỆN CHỐNG XUNG SÉT ĐIỆN TỪ (14)
    • 2.1. Giới thiệu tiêu chuẩn TCVN 9888-4:2013 (14)
    • 2.2. Hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ (14)
    • 2.3. Thiết kế SPM (18)
    • 2.4. Các vùng bảo vệ chống sét (LPZ) (19)
    • 2.5. Trường từ bên trong LPZ (22)
      • 2.5.1. Màn chắn không gian dạng lưới của LPZ 1 trong trường hợp sét đánh trực tiếp 12 2.5.2. Màn chắn không gian dạng lưới của LPZ 1 trong trường hợp sét đánh gần (22)
      • 2.5.3. Màn chắn không gian dạng lưới cho LPZ 2 và cao hơn (26)
    • 2.6. Nối đất và liên kết (27)
      • 2.6.1. Hệ thống đầu tiếp đất (28)
      • 2.6.2. Mạng liên kết (29)
    • 2.7 Liên kết tại biên của LPZ (33)
    • 2.8 Vật liệu và kích thước của các bộ phận liên kết (34)
    • 2.9 Định tuyến và che chắn đường dây (35)
  • CHƯƠNG 3: XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN VÀ SPD (37)
    • 3.1 Vùng bảo vệ theo tiêu chuẩn IEEE 587 và IEC 1024 (37)
    • 3.2 Mô hình máy phát xung tiêu chuẩn (38)
    • 3.3. Mô hình SPD (43)
      • 3.3.1 Mô hình khe phóng điện (Spark Gap) (43)
      • 3.3.2. Mô hình MOV (49)
    • 1. Sơ đồ thay thế (49)
    • 2. Sơ đồ khối quan hệ dòng-áp của MOV (51)
    • 3. Xây dựng mô hình MOV trong Matlab (52)
    • 4. Kiểm tra độ chính xác của mô hình MOV (55)
  • CHƯƠNG 4: LỰA CHỌN VÀ LẮP ĐẶT SPD PHỐI HỢP (59)
    • 4.1 Lựa chọn SPD (59)
    • 4.2. Phối hợp các SPD (60)
    • 1. Kiểu phối hợp I (60)
    • 2. Kiểu phối hợp II (61)
    • 3. Kiểu phối hợp III (61)
      • 4.3. Đánh giá hiệu quả bảo vệ của các kiểu phối hợp SPD (62)
        • 4.3.1. Mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi I (62)
        • 4.3.2. Mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi II (64)
        • 4.3.3. Mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi III (66)
      • 4.4. So sánh hiệu quả bảo vệ của các kiểu phối hợp bảo vệ I, II và III (68)
  • CHƯƠNG 5: KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN (69)
    • 5.1 Kết Luận (69)
    • 5.2. Hướng nghiên cứu phát triển (69)

Nội dung

Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013 Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013 Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013 Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013

GIỚI THIỆU

Đặt vấn đề

Việt Nam, với khí hậu nhiệt đới ẩm gió mùa, có số ngày dông sét tương đối lớn, đặc biệt là trong mùa mưa với cường độ mạnh Sét gây ra nhiều thiệt hại cho đời sống con người và làm hư hỏng thiết bị điện, đặc biệt là thiết bị điện tử trong các công trình Mức độ thiệt hại do sét phụ thuộc vào điều kiện khí hậu, thời tiết và địa hình của từng vùng, cũng như trang bị kỹ thuật Do đó, mỗi quốc gia cần tiến hành nghiên cứu đặc tính hoạt động dông sét và các thông số phóng điện sét trên lãnh thổ của mình để áp dụng các biện pháp phòng chống hiệu quả Việc đề ra giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888:2013 là rất cần thiết.

Bài viết này nghiên cứu sâu về các biện pháp bảo vệ hệ thống điện và điện tử trước tác động của xung sét điện từ theo tiêu chuẩn TCVN 9888:2013 Nó bao gồm việc xây dựng mô hình máy phát xung tiêu chuẩn và thiết bị triệt xung sử dụng công nghệ MOV, đồng thời đánh giá hiệu quả bảo vệ của các kiểu phối hợp SPD khác nhau.

Kết quả nghiên cứu của luận văn sẽ cung cấp một công cụ mô phỏng hữu ích cho các nhà nghiên cứu, nghiên cứu sinh (NCS) và học viên cao học, giúp họ nghiên cứu hiệu quả các phản ứng của thiết bị triệt xung sét SPD khi chịu tác động của xung sét lan truyền trên đường nguồn hạ.

Các nghiên cứu trong và ngoài nước

 Tiêu chuẩn IEC 62305-4, bảo vệ chống sét cho thiết bị điện-điện tử bên trong tòa nhà

 Tiêu chuẩn ANSI/IEEE Std C62.41–199, hướng dẫn về thiết bị chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp

 Tiêu chuẩn IEEE W.G 3.4.11, mô hình chống sét van dạng MOV

 Các nghiên cứu và mô hình chống sét van dạng MOV, mô hình máy pháy xung tiêu chuẩn

Các nghiên cứu hiện tại chủ yếu tập trung vào việc phát triển mô hình chống sét van MOV cao áp, trong khi chưa xem xét sâu về mô hình SPD dạng SG và MOV hạ áp Hơn nữa, cần khảo sát hiệu quả bảo vệ của các kiểu phối hợp SPD khác nhau để nâng cao hiệu quả chống sét.

 Các nghiên cứu về các kiểu phối hợp SPD bảo vệ xung quá độ do sét nhưng chưa đầy đủ và mang tính hệ thống;

 Các nghiên cứu về xây dựng mô hình SPD dạng MOV trong môi trường Matlab nhưng chưa đề cập đến cấu trúc bảo vệ đa tầng;

 Nghiên cứu đến thiết kế lắp đặt các biện pháp bảo vệ chống xung sét điện từ (LEMP) thì chưa được quan tâm một cách đầy đủ ở Việt Nam.

Mục tiêu nghiên cứu

 Nghiên cứu hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ: che chắn từ và cách thức đi dây, hệ thống tiếp đất và bao bọc

 Nghiên cứu các kiểu phối hợp SPD bảo vệ xung quá độ do sét lan truyền trên đường nguồn

 Xây dựng mô hình SG, và MOV trong Matlab

 Đánh giá hiệu quả bảo vệ chống xung sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp của các kiểu phối hợp SPD.

Nhiệm vụ nghiên cứu và giới hạn đề tài

 Nghiên cứu tiêu chuẩn TCVN 9888:2013;

 Nghiên cứu các biện pháp bảo vệ thiết bị điện - điện tử bên trong tòa nhà chống hư hỏng do tác hại của xung sét.

Phương pháp nghiên cứu

 Tham khảo tài liệu và ý kiến của chuyên gia;

 Phương pháp phân tích, tổng hợp;

 Phương pháp mô hình hóa và mô phỏng.

Điểm mới của luận văn

 Đề xuất biện pháp bảo vệ chống xung sét điện từ cho thiết bị điện-điện tử bên trong tòa nhà theo khuyến cáo của TCVN 9888:2013;

 Xây dựng mô hình SPD có giao diện thân thiện, dễ sử dụng và độ chính xác đạt yêu cầu;

 Đánh giá hiệu quả bảo vệ chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp với các kiểu phối hợp SPD khác nhau.

Giá trị thực tiễn của luận văn

 Cung cấp các mô hình SPD phục vụ công tác nghiên cứu hiệu quả bảo vệ chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp;

Kết quả nghiên cứu có thể được sử dụng làm tài liệu tham khảo cho các biện pháp bảo vệ thiết bị điện và điện tử trong tòa nhà khỏi xung sét điện từ, đồng thời đánh giá hiệu quả bảo vệ chống sét lan truyền trên đường nguồn với các kiểu phối hợp SPD khác nhau.

BIỆN PHÁP BẢO VỆ CÁC HỆ THỐNG ĐIỆN CHỐNG XUNG SÉT ĐIỆN TỪ

Giới thiệu tiêu chuẩn TCVN 9888-4:2013

Tiêu chuẩn này hướng dẫn thiết kế, lắp đặt, kiểm tra, bảo trì và thử nghiệm các biện pháp bảo vệ hệ thống điện và điện tử (SPM) nhằm giảm thiểu rủi ro hỏng hóc vĩnh viễn do xung sét điện từ (LEMP) trong các công trình xây dựng.

Tiêu chuẩn này không đề cập đến việc bảo vệ chống lại can nhiễu điện từ do sét, có thể gây ra sự cố cho các hệ thống bên trong Tuy nhiên, nó có thể được sử dụng để đánh giá các loại nhiễu này Các biện pháp bảo vệ chống can nhiễu điện từ được quy định trong TCVN 7447-4-44 (IEC 60364-4-44) và bộ tiêu chuẩn IEC 61000.

Tiêu chuẩn này đưa ra hướng dẫn cho sự hợp tác giữa các nhà thiết kế hệ thống điện và điện tử với những người thiết kế biện pháp bảo vệ, nhằm đạt được hiệu quả bảo vệ tối ưu.

Tiêu chuẩn này không đề cập đến các thiết kế chi tiết của bản thân các hệ thống điện và điện tử.

Hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ

Các thiết bị điện và điện tử rất dễ bị tổn thương do xung sét điện từ (LEMP) Để bảo vệ các hệ thống bên trong khỏi hư hại, việc sử dụng SPM là cần thiết.

Thiết kế của SPM cần được thực hiện bởi các chuyên gia có chuyên môn trong lĩnh vực bảo vệ chống sét và bảo vệ chống đột biến, với kiến thức sâu rộng về tương thích điện từ (EMC) và kinh nghiệm thực tiễn trong lắp đặt.

Bảo vệ chống LEMP được thực hiện thông qua việc xác định các vùng bảo vệ chống sét (LPZ), trong đó các hệ thống cần bảo vệ sẽ được phân chia thành các LPZ riêng biệt Các vùng này được tổ chức theo không gian hoặc theo các hệ thống bên trong, nhằm đảm bảo an toàn tối đa cho thiết bị và cơ sở hạ tầng.

LEMP có 5 mức độ khắc nghiệt tương ứng với khả năng chịu đựng của các hệ thống bên trong (Hình 2.1) Các khu vực nối tiếp nhau thể hiện sự thay đổi rõ rệt về mức độ khắc nghiệt của LEMP Ranh giới của một khu vực bảo vệ (LPZ) được xác định bởi các biện pháp bảo vệ được áp dụng (Hình 2.2).

Hình 2.1 Nguyên tắc chung của việc phân chia thành các LPZ khác nhau

 Liên kết các dịch vụ đi vào kết cấu một cách trực tiếp hoặc thông qua SPD thích hợp

Trong ví dụ về phân chia kết cấu thành các khu vực bảo vệ (LPZ), tất cả các dịch vụ kim loại được kết nối ở biên của LPZ 1 thông qua các thanh liên kết Đồng thời, các dịch vụ dẫn vào LPZ 2, chẳng hạn như phòng máy tính, cũng được liên kết ở biên của LPZ 2 qua các thanh liên kết.

2.2a SPM sử dụng màn chắn không gian và hệ thống SPD phối hợp – Thiết bị được bảo vệ tốt chống các đột biến dẫn ( U2

Ngày đăng: 20/11/2021, 16:43

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. IEEE Recommended Practice on Surge Voltages in Low–Voltage AC Power Circuits, ANSI/IEEE Std. C62.41–1991 Khác
3. P. Pinceti, M. Giannettoni, A simplified model for zinc oxid surge arrester, IEEE – 1999 Khác
4. IEC 62305-4:2005, Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4: Electrical and electronic systems within structures Khác
5. Performance of Surge Arresters in a Low Voltage Distribution System, Chryssa Nasiopoulou, Eleftheria Pyrgioti, International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria 2012 Khác
6. Modelling of metal oxide surge arresters as elements of overvoltage protection Systems, Saad Dau, International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria 2012 Khác
7. Simulation of Impulse Voltage Generator and Impulse Testing of Insulator using MATLAB Simulink; Ramleth Sheeba, Madhavan Jayaraju, Thangal Kunju Nediyazhikam Shanavas; World Journal of Modelling and Simulation, Vol. 8 (2012) No. 4, pp. 302-309 Khác
8. Nonlinear Load and RLC Pulse Shaping Surge Generator Models in Simulation Environment, Mahesh Edirisinghe, International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy, SciPress Ltd., Switzerland, 2014 Khác
9. How to select the best value surge & transeint protection for your mains equiment, Warwich Beech – Erico Lighting Technologies Ltd, 2014 Khác
10. Metal Oxide Surge Arresters Modelling in Temporary Overvoltage Conditions, Wichet Thipprasert and Ekkachai Chaidee, International Journal of Electronics and Electrical Engineering Vol. 4, No. 2, April 2016 Khác
11. Evaluation of metal oxide surge arrester models based on laboratory experiments, G. A. Alonso-Cardenas-Alba, Proceedings of Academicsera International Conference, Toronto, Canada, 26th-27th November 2016 Khác
12. Bảo vệ chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn và tín hiệu, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Phát triển Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh, 4+5/1999 Khác
13. Khe hở phóng điện tự kích TSG, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 11/2001 Khác
14. Mô hình thiết bị chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, trường ĐH Kỹ Thuật, 42+43/2003 Khác
15. Nghiên cứu mô hình chống sét van dạng oxít kim loại, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 9/2005 Khác
16. Nghiên cứu hiệu quả bảo vệ máy biến áp của thiết bị chống sét van có xét đến các yếu tố ảnh hưởng, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Phát Triển Khoa Học & Công Nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 8/2009 Khác
17. Các mô hình máy phát xung sét cải tiến, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Giáo dục Kỹ thuật, ISSN 1859-1272, ĐHSPKT Tp HCM, 14/2010 Khác

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

 Tại đường biên của LPZ 2 (ví dụ ở bảng phân phối phụ SB); - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
i đường biên của LPZ 2 (ví dụ ở bảng phân phối phụ SB); (Trang 17)
Chú thích: Hình 2.3c thể hiện hai LPZ 2 được nối với nhau bằng các đường dây điện hoặc dây tín hiệu - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
h ú thích: Hình 2.3c thể hiện hai LPZ 2 được nối với nhau bằng các đường dây điện hoặc dây tín hiệu (Trang 21)
Bảng 2.1 Suy giảm trường từ của các màn chắn không gian dạng lưới đối với sóng phẳng  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Bảng 2.1 Suy giảm trường từ của các màn chắn không gian dạng lưới đối với sóng phẳng (Trang 25)
Hình 2.8 Hệ thống đầu tiếp đất dạng lưới của nhà máy - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 2.8 Hệ thống đầu tiếp đất dạng lưới của nhà máy (Trang 28)
Các phần dẫn điện (ví dụ như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) và dây dẫn nối đất bảo vệ (PE) của các hệ thống bên trong phải được nối với mạng liên kết theo các cấu  hình dưới đây (xem hình 2.11)  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
c phần dẫn điện (ví dụ như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) và dây dẫn nối đất bảo vệ (PE) của các hệ thống bên trong phải được nối với mạng liên kết theo các cấu hình dưới đây (xem hình 2.11) (Trang 31)
Bảng 2.2 Tiết diện nhỏ nhất của các bộ phận liên kết - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Bảng 2.2 Tiết diện nhỏ nhất của các bộ phận liên kết (Trang 34)
Hình 2.13 Hệ thống không được bảo vệ - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 2.13 Hệ thống không được bảo vệ (Trang 35)
XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN VÀ SPD TRONG MẠNG HẠ ÁP   - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN VÀ SPD TRONG MẠNG HẠ ÁP (Trang 37)
3.2 Mô hình máy phát xung tiêu chuẩn - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
3.2 Mô hình máy phát xung tiêu chuẩn (Trang 38)
Hình 3.4 Đường cong quan hệ giữa b/a và t2/t1 - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.4 Đường cong quan hệ giữa b/a và t2/t1 (Trang 39)
Hình 3.6 Đường cong quan hệ giữa b/a và I1/I. 1.Xây dựng sơ đồ khối  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.6 Đường cong quan hệ giữa b/a và I1/I. 1.Xây dựng sơ đồ khối (Trang 40)
Kết quả thực hiện mô hình máy phát xung tiêu chuẩn dạng sóng 8/20µs trong Matlab trình bày ở Hình 3.7:  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả thực hiện mô hình máy phát xung tiêu chuẩn dạng sóng 8/20µs trong Matlab trình bày ở Hình 3.7: (Trang 41)
Hình 3.10 Sơ đồ mô phỏng máy phát xung dòng. Nhập các thông số cho nguồn xung dòng như Hình 3.11:  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.10 Sơ đồ mô phỏng máy phát xung dòng. Nhập các thông số cho nguồn xung dòng như Hình 3.11: (Trang 42)
Hình 3.9 Khai báo các thông số dòng xung tiêu chuẩn 2.Mạch mô phỏng máy phát xung dòng  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.9 Khai báo các thông số dòng xung tiêu chuẩn 2.Mạch mô phỏng máy phát xung dòng (Trang 42)
Hình 3.12 Dạng xung dòng 3kA 8/20µs và 20kA 8/20µs. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.12 Dạng xung dòng 3kA 8/20µs và 20kA 8/20µs (Trang 43)
4. Kiểm tra độ chính xác mô hình - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
4. Kiểm tra độ chính xác mô hình (Trang 48)
Kết quả đáp ứng điện áp dư của Spark Gap là 4326V (Hình 3.21) - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả đáp ứng điện áp dư của Spark Gap là 4326V (Hình 3.21) (Trang 49)
cả các phần tử này được nối tiếp với một điện cảm Ls và điện trở Rs (Hình 3.22). Điện trở Rs của mô hình có giá trị cực nhỏ khoảng 100nΩ được thêm vào để ngăn ngừa việc  nối  tiếp  mô  hình  nguồn  dòng  lý  tưởng  với  điện  cảm  hay  nguồn  dòng  khác   - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
c ả các phần tử này được nối tiếp với một điện cảm Ls và điện trở Rs (Hình 3.22). Điện trở Rs của mô hình có giá trị cực nhỏ khoảng 100nΩ được thêm vào để ngăn ngừa việc nối tiếp mô hình nguồn dòng lý tưởng với điện cảm hay nguồn dòng khác (Trang 50)
Hộp thoại giá trị thông số đầu vào Initialization được trình bày như Hình 3.27 - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
p thoại giá trị thông số đầu vào Initialization được trình bày như Hình 3.27 (Trang 54)
Đáp ứng điện áp dư của mô hình MOV V275LA40A được trình bày trong Hình 3.30.   - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
p ứng điện áp dư của mô hình MOV V275LA40A được trình bày trong Hình 3.30. (Trang 56)
Hình 3.31 Điện áp dư của MOV B32K275 ứng với xung dòng 3kA và 20kA 8/20µs. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.31 Điện áp dư của MOV B32K275 ứng với xung dòng 3kA và 20kA 8/20µs (Trang 57)
Bảng 3.4 Kết quả so sánh giá trị điện áp dư của MOV của Hãng Siemens thông qua mô phỏng và qua catalogue  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Bảng 3.4 Kết quả so sánh giá trị điện áp dư của MOV của Hãng Siemens thông qua mô phỏng và qua catalogue (Trang 58)
Hình 4.1 trình bày mô hình cơ bản phối hợp năng lượng giữa các SPD. Mô hình này chỉ phù hợp khi trở kháng của mạng liên kết và điện cảm tác động lẫn nhau giữa  các liên kết mạng kết nối giữa SPD1 và SPD2, là không đáng kể - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.1 trình bày mô hình cơ bản phối hợp năng lượng giữa các SPD. Mô hình này chỉ phù hợp khi trở kháng của mạng liên kết và điện cảm tác động lẫn nhau giữa các liên kết mạng kết nối giữa SPD1 và SPD2, là không đáng kể (Trang 60)
Hình 4.6 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổ iI 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.6 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổ iI 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs (Trang 63)
Hình 4.8 Sơ đồ mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi II. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.8 Sơ đồ mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi II (Trang 64)
Hình 4.10 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 20kA 8/20µs  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.10 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 20kA 8/20µs (Trang 65)
Hình 4.9 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.9 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs (Trang 65)
Kết quả điện áp dư ngang qua SPD với xung dòng 3kA 8/20µs trình bày ở Hình 4.12 và với xung dòng 20kA 8/20µs trình bày ở Hỉnh 4.13 - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả điện áp dư ngang qua SPD với xung dòng 3kA 8/20µs trình bày ở Hình 4.12 và với xung dòng 20kA 8/20µs trình bày ở Hỉnh 4.13 (Trang 66)
Hình 4.13 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi III SG, MOV2, MOV3 với xung dòng 20kA 8/20µs  - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.13 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi III SG, MOV2, MOV3 với xung dòng 20kA 8/20µs (Trang 67)
Kết quả tổng kết giá trị điện áp dư trong 2 trường hợp nêu trên trình bày ở Bảng 4.3. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả tổng kết giá trị điện áp dư trong 2 trường hợp nêu trên trình bày ở Bảng 4.3 (Trang 67)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w