1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer

70 33 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Nghiên Cứu Chế Tạo Vật Liệu 2D Graphene Sử Dụng Phương Pháp CVD Và Kỹ Thuật Transfer
Thể loại Khóa Luận Tốt Nghiệp
Định dạng
Số trang 70
Dung lượng 4,14 MB

Cấu trúc

  • 1. Tính cấp thiết của đề tài (11)
  • 2. Mục tiêu đề tài (12)
  • 3. Đối tượng, phạm vi và phương pháp nghiên cứu (0)
  • CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU 2D GRAPHENE (13)
    • 1.1. Lịch sử hình thành và phát triển của vật liệu 2D graphene (13)
    • 1.2. Cấu trúc của vật liệu 2D graphene (15)
    • 1.3. Phương pháp tổng hợp (0)
      • 1.3.1. Phương pháp chế tạo từ vật liệu khối (0)
      • 1.3.2. Phương pháp chế tạo từ sự hình thành bởi các nguyên tử carbon (0)
      • 1.3.3. Lắng đọng hơi hóa học (CVD) (21)
        • 1.3.3.1. Lựa chọn đế tổng hợp graphene (21)
        • 1.3.3.2. Các giai đoạn của phương pháp CVD (0)
        • 1.3.3.3. Tạo mầm trên đồng (24)
        • 1.3.3.4. Các tác nhân ảnh hưởng đến quá trình tạo màng graphene (27)
    • 1.4. Tính chất của vật liệu 2D graphene (27)
      • 1.4.1. Tính chất cơ học (27)
      • 1.4.2. Tính chất nhiệt (28)
      • 1.4.3. Tính chất điện (28)
    • 1.5. Transfer graphene (29)
      • 1.5.1. Transfer ăn mòn ướt không sử dụng lớp hỗ trợ polymer (29)
      • 1.5.2. Transfer ăn mòn ướt sử dụng polymer làm lớp hỗ trợ (30)
        • 1.5.2.1. Paraffin (31)
        • 1.5.2.2. PMMA (31)
      • 1.5.3. Kỹ thuật transfer graphene khác (31)
      • 1.5.4. Các tác nhân ảnh hưởng đến chất lượng màng graphene trong quá trình (32)
        • 1.5.4.1. Muối ăn mòn (32)
        • 1.5.4.2. Nhiệt độ (32)
    • 1.6. Ứng dụng của vật liệu 2D graphene (32)
      • 1.6.1. Trong lĩnh vực điện tử (32)
      • 1.6.2. Lưu trữ năng lượng (33)
  • CHƯƠNG 2: CHẾ TẠO VẬT LIỆU 2D GRAPHENE TRÊN ĐẾ ĐỒNG SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP CVD (0)
    • 2.1. Hệ CVD nhiệt trong chế tạo vật liệu 2D graphene (34)
    • 2.2. Chuẩn bị vật liệu xúc tác (đế Cu) (34)
      • 2.2.1. Khảo sát thời gian ăn mòn đế Cu với acid hay muối/acid (34)
      • 2.2.2. Khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ tăng trưởng đến bề mặt đế Cu (38)
    • 2.3. Quy trình chế tạo vật liệu 2D graphene trên đế Cu (39)
    • 2.4. Kết quả chế tạo vật liệu 2D graphene (41)
      • 2.4.1. Ảnh hưởng của áp suất, nhiệt độ và thời gian tăng trưởng đến chất lượng màng graphene (41)
      • 2.4.2. Ảnh hưởng của lưu lượng khí metan đến chất lượng màng graphene (44)
    • 2.5. Kết luận (46)
  • CHƯƠNG 3: KỸ THUẬT TRANSFER VẬT LIỆU 2D GRAPHENE LÊN ĐẾ SiO 2 /Si (48)
    • 3.1. Quy trình tách chuyển graphene từ đế Cu sang đế SiO 2 /Si (48)
    • 3.2. Các kỹ thuật transfer vật liệu 2D graphene lên đế SiO 2 /Si (49)
      • 3.2.1. Transfer graphene mẫu 0107 (49)
        • 3.2.1.1. Khảo sát trước khi transfer (0)
        • 3.2.1.2. Các kỹ thuật transfer graphene (51)
      • 3.2.2. Transfer graphene mẫu 0407 (58)
        • 3.2.2.1. Khảo sát trước khi transfer (0)
        • 3.2.2.2. Các kỹ thuật transfer graphene (59)
    • 3.3. Kết luận (63)
  • CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN VÀ ĐỊNH HƯỚNG PHÁT TRIỂN (64)
    • 4.1. Kết luận (64)
    • 4.2. Định hướng phát triển (64)
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO (66)

Nội dung

Luận văn công nghệ vật liệu Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer Luận văn công nghệ vật liệu Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer Luận văn công nghệ vật liệu Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer

Tính cấp thiết của đề tài

Sự phát triển mạnh mẽ của khoa học và công nghệ đã dẫn đến việc khám phá ra loại thù hình mới của carbon, đó là vật liệu carbon cấu trúc nano Với cấu trúc tinh thể độc đáo và nhiều tính chất ưu việt về vật lý, hóa học, quang học và cơ học, vật liệu này đang trở thành đối tượng nghiên cứu quan trọng trong cả khoa học cơ bản và ứng dụng Graphene, dạng thù hình mới nhất của carbon, đã thu hút sự chú ý lớn khi hai nhà khoa học phát hiện ra nó được trao giải Nobel Vật lý năm 2010 chỉ sau 6 năm, minh chứng cho tiềm năng hứa hẹn của vật liệu 2D này.

Graphene, từ khi được phát hiện, đã được kỳ vọng sẽ thay thế silic trong ngành công nghiệp bán dẫn Tuy nhiên, do thiếu vùng cấm và nhiều thách thức trong kỹ thuật tổng hợp và chuyển giao, graphene đã dần bị lãng quên.

Tốc độ thu nhỏ của ngành công nghiệp bán dẫn đang chậm lại, khiến định luật Moore không còn đúng nữa Gordon Moore từng dự đoán rằng mật độ transistor sẽ tăng gấp đôi sau mỗi hai năm, cho phép các chip mới mạnh mẽ hơn và tiết kiệm điện hơn Tuy nhiên, giới hạn của silic đã khiến điều này không còn khả thi Trong bối cảnh này, graphene nổi lên như một vật liệu tiềm năng thay thế silic, hứa hẹn đáp ứng lại định luật Moore.

Vật liệu graphene, với diện tích bề mặt lớn, khả năng dẫn điện và dẫn nhiệt tốt, độ bền cơ học cao, độ linh động điện tử lớn, và tính bền hóa học trong môi trường dung dịch, cùng với độ tương thích sinh học cao, đang mở ra nhiều triển vọng ứng dụng mới Đặc biệt, graphene có tiềm năng lớn trong lĩnh vực điện tử, năng lượng và chế tạo cảm biến kích thước nhỏ, phục vụ cho công nghiệp 4.0.

Với ý nghĩa thực tiễn trên, chúng tôi quyết định thực hiện đề tài: “Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer”

Mục tiêu đề tài

Nghiên cứu này tập trung vào việc chế tạo vật liệu 2D graphene trên nền đồng (Cu), phân tích ảnh hưởng của các điều kiện tăng trưởng đến chất lượng màng graphene Bên cạnh đó, nghiên cứu cũng khảo sát các kỹ thuật chuyển giao graphene lên đế SiO2/Si khác nhau và đưa ra kết luận về phương pháp chuyển giao hiệu quả nhất trong môi trường phòng thí nghiệm.

3 Đối tượng, phạm vi và phương pháp nghiên cứu Đối tượng nghiên cứu

Quá trình tổng hợp vật liệu 2D graphene trên đế đồng (Cu) được thực hiện thông qua phương pháp CVD, đồng thời nghiên cứu ảnh hưởng của các điều kiện tăng trưởng đến chất lượng của màng graphene.

- Khảo sát các kỹ thuật transfer graphene

- Sử dụng phương pháp CVD chế tạo vật liệu 2D graphene

- Sử dụng quá trình ăn mòn ướt trong kỹ thuật transfer graphene

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU 2D GRAPHENE

1.1 Lịch sử hình thành và phát triển của vật liệu 2D graphene

Carbon là một nguyên tố hóa học phổ biến với nhiều đồng vị khác nhau, trong đó kim cương và than chì là hai dạng quan trọng có mặt trong tự nhiên và được sử dụng rộng rãi Kim cương được hình thành từ mạng lưới nguyên tử carbon có tổ chức cao với cấu trúc không gian 3D, trong khi than chì được cấu tạo bởi các lớp nguyên tử carbon xếp chồng lên nhau.

Hình 1.1 Sự khác nhau giữa kim cương và than chì

Than chì, một khoáng chất phong phú trong tự nhiên, đã được biết đến từ gần 500 năm trước và được sử dụng từ thời trung cổ để chế tạo dụng cụ đánh dấu Với cấu trúc phân lớp và lực phân tán yếu, than chì hiện nay trở thành vật liệu lý tưởng cho chất bôi trơn khô, dẫn điện và dẫn nhiệt, được ứng dụng trong các điện cực và thiết bị nhiệt công nghiệp Độ cứng cơ học cao của nó (1060 GPa) cũng được khai thác trong vật liệu tổng hợp gia cố bằng sợi carbon, từ đó dẫn đến sự chú ý ngày càng tăng đối với than chì, mở ra con đường khám phá graphene với những tính chất tuyệt vời.

Năm 2004 đánh dấu một cột mốc quan trọng trong lĩnh vực khoa học khi Konstantin Novoselov và Andre Geim thành công trong việc cô lập đơn lớp graphene bằng cách bóc tách liên tục nhiều lớp than chì bằng băng dính Vật liệu hai chiều này có khả năng uốn cong thành hình cầu gọi là fullerenes (0D) và có thể được gấp lại để tạo thành các ống carbon với kích thước nanomet.

4 nanotubes (1D), (iii) xếp chồng lên nhau để tạo thành than chì gọi là graphite (3D)

Về ranh giới giữa vật liệu 2D và 3D, 3D thường được tạo thành từ tập hợp gồm

100 lớp nhưng đối với graphene, nó giảm xuống còn dưới 10 lớp [3]

Hình 1.2 Sơ đồ minh họa sự chuyển biến từ graphene sang fullerenes, carbon nanotubes và graphite, từ trái sang phải

Hình 1.3 Số lượng ấn phẩm graphene theo năm, sử dụng dữ liệu của SciFinder cho đến ngày 22 tháng 12 năm 2016

Graphene, ngay từ khi được phát hiện, đã thể hiện những đặc tính ấn tượng của vật liệu 2D Với độ linh động của hạt mang điện lên tới hơn 200.000 cm²/V.s, graphene được coi là một trong những chất dẫn điện tốt nhất hiện nay.

Graphene có 5 chất nhiệt và tính chất cơ phi thường, cho thấy tiềm năng ứng dụng rộng rãi Năm 2010, Geim và Novoselov nhận giải Nobel vật lý nhờ những đóng góp trong nghiên cứu về graphene, dẫn đến một làn sóng nghiên cứu với hơn 30.000 bài báo trong một năm Sự chú ý gia tăng đối với graphene đã thúc đẩy cải tiến các phương pháp tổng hợp, trong đó phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) được phát triển thành công vào năm 2009 và hiện vẫn là phương pháp tối ưu để tạo ra màng graphene chất lượng cao.

1.2 Cấu trúc của vật liệu 2D graphene

Carbon là nguyên tố thứ sáu trong bảng tuần hoàn, với hạt nhân bao quanh bởi sáu electron, trong đó có bốn electron hóa trị Các electron hóa trị này có khả năng tạo thành ba loại lai hóa: sp, sp² và sp³ Lai hóa sp² dẫn đến sự hình thành một mạng lưới tổ ong phẳng, được gọi là graphene đơn lớp, khi các nguyên tử carbon chia sẻ electron với ba nguyên tử lân cận Ô đơn vị của tinh thể graphene chứa hai nguyên tử carbon và các vectơ đơn vị a1 và a2 có cùng hằng số mạng là 2,46 Å.

Trong quá trình lai hoá sp² của hai nguyên tử carbon gần nhau trên lớp graphene, liên kết π được hình thành ngoài mặt phẳng nhờ các quỹ đạo 2pz vuông góc, trong khi liên kết trong mặt phẳng xuất phát từ các quỹ đạo lai hóa sp² (2s, 2px và 2py) Liên kết cộng hóa trị σ có chiều dài khoảng 1,42 Å, mạnh hơn so với liên kết carbon-carbon lai hóa sp³ trong kim cương, góp phần tạo nên các đặc tính cơ học nổi bật của graphene đơn lớp, như mô đun Young đạt 1 TPa và độ bền kéo nội tại lên tới 130,5 GPa Thêm vào đó, các liên kết π tạo ra tương tác van der Waals yếu giữa các lớp graphene trong cấu trúc graphene hai lớp và nhiều lớp.

Trong tự nhiên, các mạng hai chiều thường bị phá hủy bởi dao động nhiệt, dẫn đến việc graphene phẳng hoàn toàn được cho là không tồn tại Hơn nữa, các màng siêu mỏng, ngay cả khi có hàng chục lớp, cũng không ổn định về mặt nhiệt động nếu không có cấu trúc ba chiều Sử dụng kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM), một graphene đơn lớp đã được nghiên cứu.

Trong nghiên cứu về graphene, đã phát hiện ra rằng 6 loại biến dạng đàn hồi ngẫu nhiên xuất hiện trong cả môi trường chân không và không khí Sự phân bố không đối xứng của độ dài liên kết carbon-carbon khiến mạng tinh thể graphene không phẳng, nhằm giảm thiểu năng lượng tự do, dẫn đến sự hình thành các gợn sóng cao tới 1nm Đặc biệt, mật độ gợn sóng tăng lên khi gần các khuyết tật, do sự bất đối xứng được khuếch đại từ những sai hỏng này.

Cấu trúc nguyên tử của carbon bao gồm các mức năng lượng của electron lớp ngoài và sự hình thành lai hóa sp² Trong mạng tinh thể của graphene, các nguyên tử carbon được phân chia thành hai mạng khác nhau, với các vectơ đơn vị a1 và a2 Liên kết sigma và liên kết pi được hình thành thông qua quá trình lai hóa sp², tạo nên tính chất độc đáo của vật liệu này.

Ngoài gợn sóng, nếp nhăn và nếp gấp là hai loại nếp nhăn khác trong màng graphene Khác với gợn sóng chỉ có chênh lệch độ cao khoảng 1 nm, nếp nhăn có thể đạt tỷ lệ chênh lệch lên tới 10 lần Những nếp nhăn này thường xuất hiện trên đế kim loại do biến dạng nhiệt và khuyết tật trên bề mặt Ngoài ra, nếp nhăn cũng có thể hình thành do sự thoát nước giữa graphene và chất nền trong quá trình chuyển giao graphene.

Graphene, với tư cách là một vật liệu 2D, không gặp phải một số khuyết tật điển hình của vật liệu 3D Các khuyết tật chính trong graphene chủ yếu là khuyết tật điểm và khuyết tật đường Đặc biệt, graphene có khả năng tái cấu trúc một phần mạng tinh thể thông qua việc sử dụng các vòng không phải lục giác, nhằm duy trì tính đối xứng nguyên tử.

Khuyết tật điểm trong mạng tinh thể là sự không ổn định tại một vị trí nhất định, có thể do sự hiện diện hoặc thiếu hụt của nguyên tử Các loại khuyết tật này bao gồm khuyết tật Stone-Wales (SW), vị trí trống, nhiều vị trí trống, adatoms và các tạp chất thay thế Những yếu tố này ảnh hưởng đến tính toàn vẹn của mạng tinh thể.

Hình 1.5 Tổng hợp ba loại nếp gấp trên graphene (gợn sóng, wrinkles và crumples)

Hình 1.6 Khuyết tật Stone - Wales được hình thành bằng cách xoay một liên kết carbon một góc 90˚: (a) Hình ảnh TEM của khuyết tật, (b) Cấu trúc nguyên tử của nó [7]

Hình 1.7 Các khuyết tật của graphene: (a) Vị trí trống đơn, (b) Vị trí trống kép, (c)

Adatom, (d) Tạp chất thay thế [7]

Về các khuyết tật một chiều, graphene có các khuyết tật đáng chú ý sau đây: khuyết tật lệch mạng, ranh giới hạt, khuyết tật Large - Angle Grain Boundaries

Hình 1.8 Các khuyết tật 1D trong graphene: (a, b, c) Thể hiện cho các khuyết tật lệch mạng, (d, e) Thể hiện các khuyết tật Large-Angle Grain Boundaries [8]

TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU 2D GRAPHENE

CHẾ TẠO VẬT LIỆU 2D GRAPHENE TRÊN ĐẾ ĐỒNG SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP CVD

KỸ THUẬT TRANSFER VẬT LIỆU 2D GRAPHENE LÊN ĐẾ SiO 2 /Si

Ngày đăng: 08/11/2021, 21:14

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] J. M. Allen, T. C. Vincent, and K. B. Richard (2010). “Honeycomb carbon : A Review of Graphene What is graphene ?,” Chem. Rev. 110(1), pp. 132–145 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Honeycomb carbon : A Review of Graphene What is graphene 
Tác giả: J. M. Allen, T. C. Vincent, and K. B. Richard
Năm: 2010
[2] A. & M. Novoselov, K., Geim (2004). “Electric field effect in atomically thin carbon films,” Science. 306(5696), pp. 666 - 669 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electric field effect in atomically thin carbon films
Tác giả: A. & M. Novoselov, K., Geim
Năm: 2004
[3] A. K. Geim and K. S. Novoselov (2010). “The rise of graphene,” Nat. Mater. 6(3), pp. 183–191 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The rise of graphene
Tác giả: A. K. Geim and K. S. Novoselov
Năm: 2010
[4] T. C. Dinadayalane and J. Leszczynski (2010). “Remarkable diversity of carbon- carbon bonds: Structures and properties of fullerenes, carbon nanotubes, and graphene,” Struct. Chem. 21(6), pp. 1155–1169 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Remarkable diversity of carbon-carbon bonds: Structures and properties of fullerenes, carbon nanotubes, and graphene
Tác giả: T. C. Dinadayalane and J. Leszczynski
Năm: 2010
[5] G. Yang, L. Li, W. B. Lee, and M. C. Ng (2018). “Structure of graphene and its disorders: a review,” Sci. Technol. Adv. Mater. 19(1), pp. 613–648 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Structure of graphene and its disorders: a review
Tác giả: G. Yang, L. Li, W. B. Lee, and M. C. Ng
Năm: 2018
[6] S. Deng and V. Berry (2016). “Wrinkled, rippled and crumpled graphene: An overview of formation mechanism, electronic properties, and applications,” Mater.Today. 19(4), pp. 197–212 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Wrinkled, rippled and crumpled graphene: An overview of formation mechanism, electronic properties, and applications
Tác giả: S. Deng and V. Berry
Năm: 2016
[7] A. V. Krasheninnikov, F. Banhart and J.Kotakoski (2011). “Structural defects in graphene,” Defects Adv. Electron. Mater. Nov. Low Dimens. Struct. 5 (1), pp. 26–41 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Structural defects in graphene
Tác giả: A. V. Krasheninnikov, F. Banhart and J.Kotakoski
Năm: 2011
[8] O. V. Yazyev and S. G. Louie (2010). “Topological defects in graphene: Dislocations and grain boundaries,” Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys.81(19), pp. 1–7 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Topological defects in graphene: Dislocations and grain boundaries
Tác giả: O. V. Yazyev and S. G. Louie
Năm: 2010
[9] A. C. Ferrari et al (2006). “Raman spectrum of graphene and graphene layers,” Phys. Rev. Lett. 97(18), pp. 1–4 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Raman spectrum of graphene and graphene layers
Tác giả: A. C. Ferrari et al
Năm: 2006
[10] P. Poncharal, A. Ayari, T. Michel, and J.-L. Sauvajol (2008). “Raman spectra of misoriented bilayer graphene,” Phys. Rev. B. 78(11), pp. 1–8 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Raman spectra of misoriented bilayer graphene
Tác giả: P. Poncharal, A. Ayari, T. Michel, and J.-L. Sauvajol
Năm: 2008
[11] Y. Liu, Z. Liu, W. S. Lew, and Q. J. Wang (2013). “Temperature dependence of the electrical transport properties in few-layer graphene interconnects,” Nanoscale Res. Lett. 8(1), pp. 335 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Temperature dependence of the electrical transport properties in few-layer graphene interconnects
Tác giả: Y. Liu, Z. Liu, W. S. Lew, and Q. J. Wang
Năm: 2013
[12] A. Poniatowska, M. Trzaskowski, and T. Ciach (2019). “Production and properties of top-down and bottom-up graphene oxide,” Colloids Surfaces A Physicochem.Eng. Asp. 561, pp. 315–324 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Production and properties of top-down and bottom-up graphene oxide
Tác giả: A. Poniatowska, M. Trzaskowski, and T. Ciach
Năm: 2019
[13] K. S. Novoselov and A. H. Castro Neto (2012). “Two-dimensional crystals-based heterostructures: Materials with tailored properties,” Phys. Scr. 2012(T146), 014006 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Two-dimensional crystals-based heterostructures: Materials with tailored properties
Tác giả: K. S. Novoselov and A. H. Castro Neto
Năm: 2012
[14] Y. Hernandez et al (2008). “High-yield production of graphene by liquid-phase exfoliation of graphite,” Nat. Nanotechnol. 3(9), pp. 563–568 Sách, tạp chí
Tiêu đề: High-yield production of graphene by liquid-phase exfoliation of graphite
Tác giả: Y. Hernandez et al
Năm: 2008
[16] K. Parvez et al (2014). “Exfoliation of graphite into graphene in aqueous solutions of inorganic salts,” J. Am. Chem. Soc. 136(16), pp. 6083–6091 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Exfoliation of graphite into graphene in aqueous solutions of inorganic salts
Tác giả: K. Parvez et al
Năm: 2014
[17] W. Norimatsu and M. Kusunoki (2014). “Epitaxial graphene on SiC{0001}: Advances and perspectives,” Phys. Chem. Chem. Phys. 16(8), pp. 3501–3511 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Epitaxial graphene on SiC{0001}: Advances and perspectives
Tác giả: W. Norimatsu and M. Kusunoki
Năm: 2014
[18] R. Muủoz and C. Gúmez-Aleixandre (2013). “Review of CVD synthesis of graphene,” Chem. Vap. Depos. 19(10–12), pp. 297–322 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Review of CVD synthesis of graphene
Tác giả: R. Muủoz and C. Gúmez-Aleixandre
Năm: 2013
[19] X. Li et al (2009). “Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils,” Science. 324(5932), pp. 1312–1314 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils
Tác giả: X. Li et al
Năm: 2009
[20] C. Mattevi, H. Kim, and M. Chhowalla (2011). “A review of chemical vapour deposition of graphene on copper,” J. Mater. Chem. 21(10), pp. 3324–3334 Sách, tạp chí
Tiêu đề: A review of chemical vapour deposition of graphene on copper
Tác giả: C. Mattevi, H. Kim, and M. Chhowalla
Năm: 2011
[21] I. A. Kostogrud, K. V. Trusov, and D. V. Smovzh (2016). “Influence of Gas Mixture and Temperature on AP-CVD Synthesis of Graphene on Copper Foil,”Adv. Mater. Interfaces. 3(8), pp. 1–6 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Influence of Gas Mixture and Temperature on AP-CVD Synthesis of Graphene on Copper Foil
Tác giả: I. A. Kostogrud, K. V. Trusov, and D. V. Smovzh
Năm: 2016

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.3. Số lượng ấn phẩm graphene theo năm, sử dụng dữ liệu của SciFinder cho - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.3. Số lượng ấn phẩm graphene theo năm, sử dụng dữ liệu của SciFinder cho (Trang 14)
Hình 1.2. Sơ đồ minh họa sự chuyển biến từ graphene sang fullerenes, carbon - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.2. Sơ đồ minh họa sự chuyển biến từ graphene sang fullerenes, carbon (Trang 14)
Hình 1.4. (a) Cấu trúc nguyên tử của nguyên tử carbon, (b) Mức năng lượng của - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.4. (a) Cấu trúc nguyên tử của nguyên tử carbon, (b) Mức năng lượng của (Trang 16)
Hình 1.5. Tổng hợp ba loại nếp gấp trên graphene (gợn sóng, wrinkles và crumples) - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.5. Tổng hợp ba loại nếp gấp trên graphene (gợn sóng, wrinkles và crumples) (Trang 17)
Hình 1.7. Các khuyết tật của graphene: (a) Vị trí trống đơn, (b) Vị trí trống kép, (c) - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.7. Các khuyết tật của graphene: (a) Vị trí trống đơn, (b) Vị trí trống kép, (c) (Trang 18)
Hình 1.8. Các khuyết tật 1D trong graphene: (a, b, c) Thể hiện cho các khuyết tật - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.8. Các khuyết tật 1D trong graphene: (a, b, c) Thể hiện cho các khuyết tật (Trang 18)
Hình 1.9. Phổ Raman graphene từ 1 đến 5 lớp [11]. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.9. Phổ Raman graphene từ 1 đến 5 lớp [11] (Trang 19)
Hình 1.10. Phương pháp bóc tách vi mô: (a) Băng dính được gắn vào tinh thể than - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.10. Phương pháp bóc tách vi mô: (a) Băng dính được gắn vào tinh thể than (Trang 20)
Hình 1.12. Biểu đồ tỉ lệ hoà tan của carbon trên các chất nền: (a) Ni, (b) Cu. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.12. Biểu đồ tỉ lệ hoà tan của carbon trên các chất nền: (a) Ni, (b) Cu (Trang 22)
Hình 1.13. Bề mặt Cu: (a) Trước và (b) Sau khi ăn mòn với acid. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.13. Bề mặt Cu: (a) Trước và (b) Sau khi ăn mòn với acid (Trang 23)
Hình 1.14. Giản đồ thể hiện nhiệt độ theo thời gian trong buồng CVD. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.14. Giản đồ thể hiện nhiệt độ theo thời gian trong buồng CVD (Trang 24)
Bảng 1.2. Hệ số dẫn nhiệt của một số chất phổ biến. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Bảng 1.2. Hệ số dẫn nhiệt của một số chất phổ biến (Trang 28)
Bảng 1.1. Tính chất cơ học của một số vật liệu phổ biến. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Bảng 1.1. Tính chất cơ học của một số vật liệu phổ biến (Trang 28)
Hình 1.18. Quy trình transfer ăn mòn ướt graphene không sử dụng lớp hỗ trợ [29]. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 1.18. Quy trình transfer ăn mòn ướt graphene không sử dụng lớp hỗ trợ [29] (Trang 30)
Hình 2.1. Hệ CVD OTF-1200X được lắp đặt tại Phòng Thí nghiệm Công nghệ Vật - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.1. Hệ CVD OTF-1200X được lắp đặt tại Phòng Thí nghiệm Công nghệ Vật (Trang 34)
Hình 2.2. So sánh bề mặt của lá Cu khi xử lý trong 2 quy trình: (a) Xử lý qua quy - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.2. So sánh bề mặt của lá Cu khi xử lý trong 2 quy trình: (a) Xử lý qua quy (Trang 36)
Bảng 2.1. Quan sát bề mặt lá Cu bằng kính hiển vi quang học OM sau khi xử lý - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Bảng 2.1. Quan sát bề mặt lá Cu bằng kính hiển vi quang học OM sau khi xử lý (Trang 37)
Hình 2.3. Lá Cu sau khi xử lý bề mặt bởi acid acetic: (a) Trong 20 phút theo quy - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.3. Lá Cu sau khi xử lý bề mặt bởi acid acetic: (a) Trong 20 phút theo quy (Trang 38)
Hình 2.4. Bề mặt đế Cu sau khi ủ nhiệt trong buồng CVD: (a) Ở 1000˚C trong 30 - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.4. Bề mặt đế Cu sau khi ủ nhiệt trong buồng CVD: (a) Ở 1000˚C trong 30 (Trang 39)
Bảng 2.2. Nhiệt độ - thời gian của quá trình CVD, x là nhiệt độ tổng hợp graphene, - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Bảng 2.2. Nhiệt độ - thời gian của quá trình CVD, x là nhiệt độ tổng hợp graphene, (Trang 40)
Hình 2.6. Ảnh chụp kính hiển vi quang học OM và phổ Raman hai vị trí bất kỳ: - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.6. Ảnh chụp kính hiển vi quang học OM và phổ Raman hai vị trí bất kỳ: (Trang 42)
Hình 2.7. Sự biến đổi của tỉ lệ I2D/IG và FWHM 2D của các mẫu 1405, 1006, 0407. - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.7. Sự biến đổi của tỉ lệ I2D/IG và FWHM 2D của các mẫu 1405, 1006, 0407 (Trang 43)
Hình 2.8. Ảnh chụp kính hiển vi quang học OM và phổ Raman hai vị trí bất kỳ: (a) - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 2.8. Ảnh chụp kính hiển vi quang học OM và phổ Raman hai vị trí bất kỳ: (a) (Trang 45)
Hình 3.4. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0107 sau khi transfer lên đế SiO2/Si - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 3.4. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0107 sau khi transfer lên đế SiO2/Si (Trang 52)
Hình 3.7. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0107 sau khi transfer lên đế SiO2/Si sử - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 3.7. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0107 sau khi transfer lên đế SiO2/Si sử (Trang 54)
Hình 3.10. Ảnh SEM bề mặt graphene 0107 sau khi transfer lên đế SiO2/Si sử - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 3.10. Ảnh SEM bề mặt graphene 0107 sau khi transfer lên đế SiO2/Si sử (Trang 56)
Bảng 3.1. Các đỉnh D, G, 2D và tỉ lệ cường độ I2D/IG của graphene mẫu 0107 trước - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Bảng 3.1. Các đỉnh D, G, 2D và tỉ lệ cường độ I2D/IG của graphene mẫu 0107 trước (Trang 58)
Hình 3.14. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0407 sau khi transfer lên đế SiO2/Si - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 3.14. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0407 sau khi transfer lên đế SiO2/Si (Trang 60)
Hình 3.16. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0407 sau khi transfer lên đế SiO2/Si - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 3.16. Ảnh SEM bề mặt graphene mẫu 0407 sau khi transfer lên đế SiO2/Si (Trang 62)
Hình 3.17. Phổ Raman của graphene mẫu 0407 trước và sau khi thực hiện các kỹ - Nghiên cứu chế tạo vật liệu 2D graphene sử dụng phương pháp CVD và kỹ thuật transfer
Hình 3.17. Phổ Raman của graphene mẫu 0407 trước và sau khi thực hiện các kỹ (Trang 63)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w