Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 16 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
16
Dung lượng
2,71 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện Chương 4: PHÂN CỰC CHO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC 4.1 Điểm làm việc Q Điểm làm việc Mục đích: Phân cực choBJT nhằm xác định chế độ hoạt động điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) BJT 4.2 Độ ổn định mạch Các yếu tố gây bất ổn định điểm làm việc Q: + nguồn cung cấp + nhiệt độ +… 4.3 Các dạng phân cực 4.3.1 Mạch phân cực định dòng khơng có RE Mạch vòng BE =Vγ -Vcc + IBRB + VBE = VCC VBE IB RB ICQ= IC= βIB Mạch vòng CE -Vcc + ICRC + VCE = VCEQ= VCE = Vcc - ICRC Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) 4.3.2 Mạch phân cực ổn định cực phát –có RE) Mạch vòng BE =Vγ -Vcc + IBRB + VBE + IERE= Mà IE= (β+1)IB IB VCC VBE RB 1RE ICQ= IC= βIB Mạch vòng CE -Vcc + ICRC + VCE + IERE= VCEQ= VCE = Vcc – IC(RC + RE) (IC IE) Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) 4.3.3 Mạch phân cực dùng cầu phân áp Tính gần (IB