1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

chuong 4 1

16 12 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 16
Dung lượng 2,71 MB

Nội dung

BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện Chương 4: PHÂN CỰC CHO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC 4.1 Điểm làm việc Q Điểm làm việc Mục đích: Phân cực choBJT nhằm xác định chế độ hoạt động điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) BJT 4.2 Độ ổn định mạch Các yếu tố gây bất ổn định điểm làm việc Q: + nguồn cung cấp + nhiệt độ +… 4.3 Các dạng phân cực 4.3.1 Mạch phân cực định dòng khơng có RE Mạch vòng BE =Vγ -Vcc + IBRB + VBE =  VCC  VBE IB  RB  ICQ= IC= βIB Mạch vòng CE -Vcc + ICRC + VCE =   VCEQ= VCE = Vcc - ICRC Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) 4.3.2 Mạch phân cực ổn định cực phát –có RE) Mạch vòng BE =Vγ -Vcc + IBRB + VBE + IERE= Mà IE= (β+1)IB   IB  VCC  VBE RB    1RE ICQ= IC= βIB Mạch vòng CE -Vcc + ICRC + VCE + IERE=   VCEQ= VCE = Vcc – IC(RC + RE) (IC  IE) Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) 4.3.3 Mạch phân cực dùng cầu phân áp Tính gần (IB

Ngày đăng: 18/03/2020, 12:08