1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb

86 0 0
Tài liệu được quét OCR, nội dung có thể không chính xác

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
Tác giả Nguyễn Thị Mỹ Nhung
Người hướng dẫn PGS. TS. Đinh Như Thảo
Trường học Trường Đại học Sư phạm Huế
Chuyên ngành Vật lý
Thể loại luận văn
Năm xuất bản 2018
Thành phố Huế
Định dạng
Số trang 86
Dung lượng 9,37 MB

Nội dung

Ngày đăng: 13/02/2024, 04:21

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Sơ đồ thế năng giếng lượng tử thế vuông góc sâu hữu hạn. 16 Nghiệm đồ thị cho giếng lượng tử thế vuông góc sâu hữu - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
Sơ đồ th ế năng giếng lượng tử thế vuông góc sâu hữu hạn. 16 Nghiệm đồ thị cho giếng lượng tử thế vuông góc sâu hữu (Trang 7)
Hình LÍ: Sở đồ Lhế năng của giếng thể một chiều vuông góc sâu vô hạn - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh LÍ: Sở đồ Lhế năng của giếng thể một chiều vuông góc sâu vô hạn (Trang 16)
Hỡnh 1.2: Dộ thi him sing của hat trong giếng lượng tử thế vuụng gúc sõu v0 han - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 1.2: Dộ thi him sing của hat trong giếng lượng tử thế vuụng gúc sõu v0 han (Trang 18)
Hình 1.3: So dé thé nang giếng lượng tử thế vuông góc sân hiữu hạn - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 1.3: So dé thé nang giếng lượng tử thế vuông góc sân hiữu hạn (Trang 19)
Hình L4: Nghiệm đồ thị cho giếng lượng tử thế vuông gúc sâu hữu hạn ứng với £ khác nhan - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh L4: Nghiệm đồ thị cho giếng lượng tử thế vuông gúc sâu hữu hạn ứng với £ khác nhan (Trang 22)
Hình Lõ: Sơ đồ ba mức năng lượng và hầm sông của hạt trong giếng lượng tử thế vuửng góc sâu hữu hạn - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh Lõ: Sơ đồ ba mức năng lượng và hầm sông của hạt trong giếng lượng tử thế vuửng góc sâu hữu hạn (Trang 24)
Hỡnh L.0 Sứ đồ thế năng cũa giếng lượng tử parabol - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh L.0 Sứ đồ thế năng cũa giếng lượng tử parabol (Trang 25)
Hình 1.8: So 46 thé nang etia giếng lượng tử Lam giác - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 1.8: So 46 thé nang etia giếng lượng tử Lam giác (Trang 28)
Hình 1.9: Các mức năng lượng và hàm sóng của hạt trong giếng lượng tử thế tam giác, - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 1.9: Các mức năng lượng và hàm sóng của hạt trong giếng lượng tử thế tam giác, (Trang 30)
Hình 1.10: Cin tric tinh thé giả kẽm. - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 1.10: Cin tric tinh thé giả kẽm (Trang 31)
Bảng 37 trình bày một số hằng số vật lý cơ bản được dùng trong tính toán, - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
ng 37 trình bày một số hằng số vật lý cơ bản được dùng trong tính toán, (Trang 57)
Hình 3.1: Hầm sống ¢ (2) trong giếng lượng tử tam giác InGaAs/GaASb ứng với các - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 3.1: Hầm sống ¢ (2) trong giếng lượng tử tam giác InGaAs/GaASb ứng với các (Trang 58)
Hình 3.2 Hàm sóng ¢ (2) trong giêng lương tử tam giác InGaAs/GaAsSb ứng với các giá tị Ai khác nhan - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 3.2 Hàm sóng ¢ (2) trong giêng lương tử tam giác InGaAs/GaAsSb ứng với các giá tị Ai khác nhan (Trang 59)
Hình 3.8 Hàm sóng € (2) trong giêng lượng tử tam giác InGaAs/GaAsSb ứng với các giá trị mật độ điệu tích lá của điện Lử nụ khác nhau, - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 3.8 Hàm sóng € (2) trong giêng lượng tử tam giác InGaAs/GaAsSb ứng với các giá trị mật độ điệu tích lá của điện Lử nụ khác nhau, (Trang 60)
Hỡnh 35: Biểu điễn sự phụ thuộc của đụ linh động của điện tử vào mặt độ điện tớch phan cực trờn mặt chuyển tiếp ứ/z ứng với Ly = 70 A, ny = 0.5 x 10% me? và N,= 50x 10 m4 - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
nh 35: Biểu điễn sự phụ thuộc của đụ linh động của điện tử vào mặt độ điện tớch phan cực trờn mặt chuyển tiếp ứ/z ứng với Ly = 70 A, ny = 0.5 x 10% me? và N,= 50x 10 m4 (Trang 62)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN