1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch

233 7 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Xác Định Các Thuộc Tính Plasma Ion Hóa Yếu Trong Va Chạm Electron Của Phân Tử Khí Tries Và Khả Năng Ứng Dụng Trong Công Nghệ Chế Tạo Vi Mạch
Tác giả Phan Thị Tươi
Người hướng dẫn PGS. TS Đỗ Anh Tuấn, PGS. TS Phạm Ngọc Thắng
Trường học Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Hưng Yên
Chuyên ngành Kỹ thuật điện tử
Thể loại luận án tiến sĩ kỹ thuật
Năm xuất bản 2022
Thành phố Hưng Yên
Định dạng
Số trang 233
Dung lượng 2,65 MB

Nội dung

Ngày đăng: 11/05/2022, 05:26

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.1 Hệ thống phóng điện phát sáng một chiều (Trang 23)
Hình 1.6 Các bước tạo một mạch tích hợp [43,87] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.6 Các bước tạo một mạch tích hợp [43,87] (Trang 32)
Hình 1.7 Lắng đọng hơi hoá học tăng cường plasma trong hệ thống PECVD [85] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.7 Lắng đọng hơi hoá học tăng cường plasma trong hệ thống PECVD [85] (Trang 35)
Hình 1.8 Quá trình lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma [94] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.8 Quá trình lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma [94] (Trang 37)
Hình 1.9 Lắng đọng phù hợp SiO 2 dùng Si(OC 2 H 5 ) 4 /O 2 [94] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.9 Lắng đọng phù hợp SiO 2 dùng Si(OC 2 H 5 ) 4 /O 2 [94] (Trang 38)
Hình 1.11 Các bước thực hiện sử dụng phần mềm Comsol Multiphysic - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.11 Các bước thực hiện sử dụng phần mềm Comsol Multiphysic (Trang 39)
Hình 1.12 Điện trường (bề mặt) và mật độ điện tử tới hạn trong vi sóng plasma - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.12 Điện trường (bề mặt) và mật độ điện tử tới hạn trong vi sóng plasma (Trang 40)
Hình 1.14 Ứng dụng của xác định tiết diện va chạm các electron trong các phân - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.14 Ứng dụng của xác định tiết diện va chạm các electron trong các phân (Trang 44)
Hình 1.15 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong phân tử O 2 - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.15 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong phân tử O 2 (Trang 53)
Hình 1.16 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Ar [57, - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.16 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Ar [57, (Trang 54)
Hình 1.17 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Kr - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.17 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Kr (Trang 55)
Hình 1.18 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Xe [73, - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.18 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Xe [73, (Trang 56)
Hình 1.19 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử He [77, - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.19 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử He [77, (Trang 57)
Hình 1.20 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Ne [77, - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 1.20 Bộ tiết diện va chạm của các electron trong nguyên tử Ne [77, (Trang 58)
Hình 2.1 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] - Xác định các thuộc tính plasma ion hóa yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch
Hình 2.1 Hàm phân bố Maxwellian và Druyvesteyn [14] (Trang 66)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w