Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha
Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu
Trong những năm gần đây, bộ nghịch lưu đã được ứng dụng rộng rãi trong điều khiển động cơ điện xoay chiều và các lĩnh vực sản xuất công nghiệp, năng lượng mới, hệ thống phân phối điện, xe điện và pin nhiên liệu Để đạt được điện áp ngõ ra cao hơn ngõ vào cho các ứng dụng có nguồn năng lượng thấp như tấm pin mặt trời, bộ nghịch lưu truyền thống thường cần thêm bộ tăng áp, dẫn đến việc mạch phải trải qua hai quá trình chuyển đổi, làm tăng chi phí, kích thước và tổn hao năng lượng Ngoài ra, nhược điểm của nghịch lưu truyền thống là các khóa không được phép đóng cùng lúc, gây nguy hiểm cho thiết bị Để khắc phục những nhược điểm này, nhiều nghiên cứu đã phát triển bộ nghịch lưu nguồn Z (ZSI), được áp dụng trong điều khiển xe điện sử dụng acquy hoặc pin nhiên liệu So với nghịch lưu qSBI cải tiến, cấu hình qSBI cho thấy nhiều ưu điểm như dòng điện qua các linh kiện nhỏ hơn, điện áp chịu được trên tụ lớn hơn, hiệu suất cao hơn và hệ số tăng áp lớn hơn.
Phương pháp điều chế độ rộng xung cho nghịch lưu ba pha sáu dây bằng hai bộ nghịch lưu nguồn đơn sử dụng cấu hình qSBI trong mạch tăng áp đã được trình bày, cho thấy cấu hình SBI có kích thước nhỏ gọn hơn nhờ chỉ sử dụng một cuộn dây, một tụ điện, hai diode và một khóa bán dẫn công suất, phù hợp cho hệ thống lưới điện thông minh với nguồn năng lượng mặt trời Cải tiến từ cấu hình SBI thành qSBI giúp giảm điện áp trên tụ, tăng hệ số ngắn mạch và cải thiện dòng điện ngõ vào, từ đó nâng cao hiệu suất hệ thống Nghiên cứu mới về nghịch lưu tăng áp bằng chuyển mạch LC đã được thực hiện bởi NCS Đỗ Đức Trí và TS Nguyễn Minh Khai, bên cạnh nhiều nghiên cứu khác trong nước về các bộ nghịch lưu đa bậc Phương pháp pwm thường được sử dụng trong các cấu hình này, tuy nhiên, nó có nhược điểm như không tối ưu hóa số lần chuyển mạch của các khóa bán dẫn, gây nóng và tăng sóng hài Phương pháp điều chế vector không gian (SVM) được đề xuất để khắc phục những hạn chế của pwm, giúp giảm tổn hao công suất và sóng hài trên điện áp và dòng điện ngõ ra.
Bài viết tổng quan về phương pháp điều chế vector không gian cho nghịch lưu ba pha nguồn Z, so sánh các phương pháp SVM và đưa ra phương pháp tối ưu nhất để điều khiển nghịch lưu ZSI Trong đó, SVM6 và SVM4 cho phép cả ba nhánh khóa bán dẫn ngắn mạch trong mỗi chu kỳ điều chế, tuy nhiên tần số đóng cắt cao có thể gây tổn thất cho linh kiện Ngược lại, SVM1 cho phép một nhánh khóa bị ngắn mạch với tần số đóng cắt thấp nhưng có hệ số tăng áp nhỏ nhất SVM2 nổi bật với hệ số tăng áp cao và cho phép hai nhánh khóa ngắn mạch, đồng thời giảm số lần đóng cắt, từ đó kéo dài tuổi thọ linh kiện.
Từ phân tích ở trên ta thấy cấu hình qSBI ưu điểm hơn ZSI, phương pháp điều khiển
Nghiên cứu này tập trung vào việc cải thiện hiệu suất của bộ nghịch lưu tăng áp ba pha bằng cách áp dụng giải thuật điều chế vector không gian SVM2, cho thấy ưu thế vượt trội so với các phương pháp PWM, SVM4, SVM6 và SVM1 Luận văn trình bày chi tiết về sự kết hợp giữa phương pháp điều khiển SVM2 và nghịch lưu qSBI nhằm tối ưu hóa hiệu quả hoạt động của hệ thống.
Mục đích của đề tài
Mục tiêu của nghiên cứu là áp dụng phương pháp SVM2 cho bộ nghịch lưu tăng áp qSBI, kết hợp với việc tạo ngắn mạch nhằm nâng cao điện áp đầu ra vượt trội so với điện áp đầu vào.
Nhiệm vụ và giới hạn của đề tài
Nghiên cứu các cấu hình nghịch lưu tăng áp, từ đó đưa ra cấu hình tối ưu
Nghiên cứu các phương pháp điều chế cho nghịch lưu tăng áp, từ đó đưa ra phương pháp điều chế tốt hơn
Phân tích mạch, mô phỏng trên PSIM với tải R, RL
Lập trình điều khiển dùng card DSP F28335 bằng chương trình CCS (Code Composer Studio).
Phương pháp nghiên cứu
Nghiên cứu về cấu hình nghịch lưu truyền thống và nghịch lưu tăng áp, cùng với các kỹ thuật điều chế như PWM, SIN PWM, MODIFIED SPWM và SVM, đã được thực hiện từ các tài liệu của các tạp chí khoa học, hội nghị chuyên môn và các bài báo trên IEEE, IET.
Phân tích hoạt động của cấu hình qSBI
Thực hiện mô phỏng trên PSIM với các thông số khác nhau, từ đó chọn ra các thông số phù hợp
Tiến hành thực nghiệm, đánh giá, báo cáo kết quả mô phỏng và kết quả thực nghiệm
Điểm mới của đề tài
Nghịch lưu tăng áp qSBI đang được nghiên cứu để thay thế ZSI Mặc dù qSBI đã được sử dụng và điều khiển bằng PWM, nhưng vẫn chưa có công bố nào áp dụng phương pháp điều chế vector không gian 2 cho loại nghịch lưu này.
CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Khái niệm bộ nghịch lưu
Bộ nghịch lưu chuyển đổi năng lượng một chiều thành năng lượng xoay chiều để cung cấp cho tải xoay chiều Tùy thuộc vào loại đại lượng điện ở đầu ra, bộ nghịch lưu có thể là bộ nghịch lưu áp hoặc bộ nghịch lưu dòng.
Nguồn điện áp một chiều có thể bao gồm pin năng lượng mặt trời, pin nhiên liệu, ắc quy, và điện áp một chiều được chỉnh lưu từ điện áp xoay chiều đã được lọc phẳng.
Nối tải ba pha xoay chiều
Hình 2 1 Cấu hình nghịch lưu áp truyền thống
Linh kiện trong bộ nghịch lưu hoạt động như một công tắc được điều khiển bởi mạch điều khiển, có khả năng kích đóng và kích ngắt dòng điện Đối với các ứng dụng công suất vừa và nhỏ, transistor BJT, MOSFET và IGBT thường được sử dụng làm công tắc Trong khi đó, ở phạm vi công suất lớn, các linh kiện như GTO, IGCT hoặc SCR là sự lựa chọn tối ưu.
Bộ nghịch lưu áp có nhiều loại cũng như nhiều phương pháp điều khiển khác nhau:
+ Theo số pha: nghịch lưu một pha, nghịch lưu ba pha
Theo số cấp điện áp giữa một đầu pha tải và một điểm có điện thế chuẩn trên mạch, có thể phân loại thành hai loại: hai bậc (two level) và đa bậc (multi level), với đa bậc bao gồm ba bậc trở lên.
Bộ nghịch lưu tăng áp ba pha bao gồm nhiều loại như nghịch lưu nguồn Z (Z-Source Inverter) và nghịch lưu qSBI (Quasi Switched Boost Inverter) Ngoài ra, các phương pháp điều khiển phổ biến như PWM, SIN PWM, MODIFIED SPWM và SVM cũng được áp dụng trong thiết kế và vận hành của các bộ nghịch lưu này.
Nghịch lưu tăng áp ba pha
Bộ nghịch lưu nguồn Z [14] có khả năng tăng điện áp từ DC/AC mà không cần thêm quá trình biến đổi công suất, cho phép điện áp đầu ra lớn hơn điện áp đầu vào Nó hoạt động hiệu quả trong chế độ ngắn mạch của các khóa bán dẫn công suất trong mạch nghịch lưu Mạng nguồn Z bao gồm hai cuộn cảm, hai tụ điện có giá trị giống nhau và một diode kết nối giữa nguồn áp và mạch nghịch lưu.
Linh kiện đóng ngắt trong bộ nghịch lưu nguồn Z, như được thể hiện trong Hình 2.2, tương tự với bộ nghịch lưu áp ở Hình 2.1, sử dụng 6 khóa bán dẫn công suất IGBT Điều này cho thấy khả năng kích đóng và kích ngắt dòng điện, đóng vai trò quan trọng như một công tắc trong hệ thống.
Nối tải ba pha xoay chiều
Mạng nguồn Z Mạch nghịch lưu
Hình 2 2 Cấu hình bộ nghịch lưu nguồn Z
Bộ nghịch lưu nguồn Z có hai trạng thái chính xuất hiện trong mạch là trạng thái
“không ngắn mạch” và “ngắn mạch”
Trạng thái không ngắn mạch
Bộ nghịch lưu trong trạng thái không ngắn mạch có hai trạng thái hoạt động chính: trạng thái vector tích cực và trạng thái vector không Thời gian tổng cộng trong trạng thái này được xác định là T-T0, trong đó T là thời gian đóng ngắt trong chu kỳ của các khóa bán dẫn và T0 là thời gian ngắn mạch Khi diode D dẫn, các tụ điện được nạp năng lượng trong khi các cuộn cảm truyền năng lượng từ nguồn đến tải.
Hình 2 3 Trạng thái không ngắn mạch
Trong trạng thái ngắn mạch, bộ nghịch lưu bị ngắn mạch bởi hai khóa bán dẫn trên cùng một nhánh, với tổng thời gian là T0 Trong tình huống này, diode D bị khóa, các tụ điện xả năng lượng, trong khi các cuộn cảm tích trữ năng lượng từ các tụ.
Hình 2 4 Trạng thái ngắn mạch
Bộ nghịch lưu này cho phép tăng điện áp xoay chiều ngõ ra vượt quá điện áp ngõ vào, giúp mạch hoạt động hiệu quả ngay cả trong chế độ ngắn mạch Tuy nhiên, mạng nguồn Z vẫn sử dụng nhiều linh kiện, dẫn đến tổn hao công suất cao và làm tăng chi phí thiết kế mạch.
2.2.2 Nghịch lưu quasi switched boost inverter (qSBI)
Bộ nghịch lưu nguồn Z nghịch lưu qSBI Hình 2.5 có hai trạng thái chính trong mạch, bao gồm trạng thái "không ngắn mạch" và trạng thái "ngắn mạch".
Nối tải ba pha xoay chiều iL
Hình 2 5 Cấu hình nghịch lưu qSBI
Hình 2.5 trình bày cấu hình quasi switched boost inverter (qSBI) gồm một cuộn dây, một tụ điện, hai diode và một khóa ngắn mạch [20]
Bảng 2 1 Bảng so sánh cấu hình NLA, ZSI, qSBI
Bảng so sánh cấu hình
Nguồn DC cung cấp 1 1 1 Điện áp ra Giảm áp Tăng/Giảm áp Tăng/Giảm áp
Dựa trên phân tích và bảng so sánh cấu hình, nghịch lưu áp truyền thống không có khả năng tăng điện áp trực tiếp ở ngõ ra, trong khi nghịch lưu nguồn Z có khả năng này nhưng cần thêm một cuộn dây và một tụ điện Do đó, nghịch lưu qSBI cho thấy ưu điểm vượt trội hơn so với cấu hình NLA và ZSI Vì vậy, các nội dung chính trong luận văn sẽ tập trung nghiên cứu về cấu hình qSBI.
Các phương pháp điều chế cho nghịch lưu tăng áp
- Phương pháp điều chế độ rộng xung Sin Pwm (SIN PWM)
- Phương pháp điều chế độ rộng xung Sin cải biến (MODIFIED SPWM)
- Phương pháp điều chế vector không gian (SVM)
2.3.1 Phương pháp điều chế độ rộng xung sin cho nghịch lưu qSBI
Các bộ nghịch lưu áp sử dụng kỹ thuật điều chế độ rộng xung kết hợp với qui tắc kích đóng đối nghịch để điều khiển dạng áp tải Qui tắc này đảm bảo rằng áp tải được kiểm soát theo giản đồ kích đóng công tắc, trong khi kỹ thuật điều chế độ rộng xung giúp giảm thiểu tác động tiêu cực của sóng hài bậc cao tại phía tải.
Trong bộ nghịch lưu n bậc, số sóng mang dạng tam giác sử dụng là n-1, với tần số (fc) và biên độ đỉnh - đỉnh (Ac) đồng nhất, thường nằm trong khoảng từ 5KHz đến 10KHz Sóng điều khiển dạng sin có tần số (fm) và biên độ đỉnh - đỉnh (Am), thường là 50Hz hoặc 60Hz tùy thuộc vào yêu cầu của tải Sóng điều khiển này thay đổi quanh tâm của hệ thống n-1 sóng mang Khi sóng điều khiển lớn hơn sóng mang, linh kiện tương ứng được kích đóng; ngược lại, nếu sóng điều khiển nhỏ hơn, linh kiện sẽ bị kích khóa.
Gọi ma chỉ số biên độ (amplitude modulation index):
Nếu ma ≤ 1, biên độ sóng sin sẽ nhỏ hơn biên độ sóng mang, và mối quan hệ giữa thành phần cơ bản của áp ra và áp điều khiển là tuyến tính.
Hình 2 6 Dạng sóng mang, sóng điều khiển dạng sin và xung kích điều chế liên tục
Khi ma lớn hơn 1, biên độ sóng sin vượt quá biên độ sóng mang, dẫn đến biên độ hài cơ bản tăng không tuyến tính theo ma Trong giai đoạn này, sóng hài bậc cao bắt đầu xuất hiện và gia tăng cho đến khi đạt mức giới hạn theo phương pháp 6 bước Tình huống này được gọi là quá điều chế (over modulation).
Hình 2 7 Dạng sóng mang, sóng điều khiển dạng sin và xung kích điều chế gián đoạn Đối với bộ nghịch lưu 3 pha, biên độ áp pha hài cơ bản:
2 (2.2) Phương pháp SPWM đạt được chỉ số lớn nhất trong vùng tuyến tính khi biên độ sóng điều chế bằng biên độ sóng mang Khi đó:
𝑈 (1)𝑚−𝑠𝑖𝑥_𝑠𝑡𝑒𝑝 (2.3) Với: U(1)m là biên độ hài cơ bản
U(1)m-six_step là biên độ cực đại hài bậc cao theo phương pháp 6 bước
Sơ đồ mô phỏng phương pháp SPWM cho nghịch lưu qSBI, như trình bày trong Hình 2.8, cho thấy cách tạo ra giản đồ xung kích cho các linh kiện bán dẫn công suất trong một pha tải Phương pháp này thực hiện bằng cách so sánh sóng mang tam giác với tín hiệu điều khiển dạng sin Tần số điện áp ngõ ra tương ứng với tần số của sóng điều khiển, và tín hiệu điều khiển được cộng logic với tín hiệu ngắn mạch tsh thông qua cổng logic OR để tạo ra xung kích cho nhánh khóa nghịch lưu cần điều khiển.
Hình 2 8 Sơ đồ xung kích S1,S2,S3,S1x,S2x,S3x Bảng 2 2 Thông số mô phỏng phương pháp Sin PWM cho nghịch lưu qSBI
S TT Thông số Giá trị
1 Điện áp ngõ vào (Vdc) 40 V
2 Tần số sóng mang (fcarry) 10 KHz
3 Tần số sóng tham chiếu (fref) 50 Hz
Hình 2.9 minh họa sóng điều khiển sử dụng phương pháp PWM sin thông qua việc so sánh sóng tam giác (Vcarry) với tín hiệu điều khiển dạng sin (Vsina) Quá trình này tạo ra các xung kích cho các khóa bán dẫn, sau đó tín hiệu điều khiển được chèn thêm tín hiệu ngắn mạch (tsh) để tạo ra xung ngắn mạch.
Hình 2 9 Từ trên xuống Dạng sóng mang, sóng sin, xung kích, xung ngắn mạch, trạng thái đóng ngắt các khóa S1,S1x
Hình 2.10, 2.11 mô phỏng điện áp ngõ ra trên tải R và chỉ sô THD cho nghịch lưu qSBI điều khiển bằng phương pháp SPWM
Hình 2 10 Điện áp ba pha trên tải R
Hình 2 11 Chỉ số THD điện áp ba pha trên tải R
Ưu điểm, nhược điểm chính của phương pháp này:
- Đơn giản, dễ thực hiện
- Việc điều chỉnh điện áp và tần số ra chỉ thông qua điều chỉnh biên độ và tần số điện áp điều khiển đưa vào
Các khóa công suất hoạt động theo sóng điều khiển và sóng mang, dẫn đến việc không tối ưu hóa số lần chuyển mạch, từ đó gây ra tổn hao trong mạch còn cao.
2.3.2 Phương pháp điều chế độ rộng xung sin cải biến cho bộ nghịch lưu qSBI (Modified SPWM)
Phương pháp này sử dụng sóng điều khiển được tạo ra bằng cách kết hợp tín hiệu dạng sin với sóng hài bội ba Sau đó, tín hiệu này được so sánh với sóng mang tam giác tần số cao, từ đó tạo ra tín hiệu xung kích Xung kích này, được hình thành từ sự kết hợp giữa sóng mang và sóng điều khiển, sẽ được cộng logic với tín hiệu ngắn mạch tsh thông qua cổng logic OR, nhằm tạo ra xung kích cho nhánh khóa nghịch lưu cần điều khiển.
Sơ đồ nguyên lý mạch:
Hình 2 12 Sơ đồ mô nguyên lý phương pháp điều chế độ rộng xung Sin cải tiến cho nghịch lưu qSBI
Thông số mô phỏng phương pháp điều chế độ rộng xung sin cải biến cho bộ nghịch lưu qSBI được trình bày trong bảng 2.2 Hình 2.13 và Hình 2.14 (phóng to) so sánh tín hiệu sóng mang với tín hiệu sóng hài tạo xung kích cho các khóa bán dẫn công suất Xung kích tạo ra sẽ được chèn vào tín hiệu ngắn mạch (tsh) để kích hoạt các khóa bán dẫn S2 và S2x.
Hình 2 13 Từ trên xuống sóng điều khiển và sóng mang, xung kích, tín hiệu xung ngắn mạch
Hình 2 14 Từ trên xuống sóng điều khiển, sóng mang, tín hiệu ngắn mạch (tsh), xung kích S2,S2x (Phóng to)
Hình 2.15 và 2.16 minh họa dạng sóng dòng điện ngõ ra cùng với chỉ số THD được đo bằng phương pháp điều chế độ rộng xung sin cải biến cho nghịch lưu qSBI.
Hình 2 15 Dạng sóng dòng điện ba pha qua tải
Hình 2 16 Chỉ số THD dòng điện ba pha qua tải
Ưu điểm, nhược điểm chính của phương pháp này:
- Chỉ số điều chế được mở rộng hơn so với phương pháp điều chế Sin PWM
- Đơn giản, dễ thực hiện
- Việc điều chỉnh điện áp và tần số ra chỉ thông qua điều chỉnh biên độ và tần số điện áp điều khiển đưa vào
Các khóa công suất đóng cắt theo điện áp điều khiển và sóng mang tần số cao gây ra tổn thất lớn trong mạch Việc không thể lựa chọn cách đóng mở các khóa bán dẫn công suất dẫn đến việc không tối ưu hóa, làm tăng số lần chuyển mạch không cần thiết.
2.3.3 Phương pháp điều chế vector không gian cho nghịch lưu qSBI Ý tưởng của phương pháp điều chế vector không gian là tạo nên sự dịch chuyển liên tục của vector không gian tương đương trên quỹ đạo đường tròn của vector điện áp bộ nghịch lưu, tương tự như trường hợp vector không gian của đại lượng sin ba pha tạo được Với sự dịch chuyển đều đặn của vector không gian trên quĩ đạo tròn, các sóng hài bậc cao được loại bỏ và quan hệ giữa tín hiệu điều khiển và biên độ điện áp ra trở nên tuyến tính Vector tương đương ở đây chính là vector trung bình trong thời gian một chu kỳ lấy mẫu của quá trình điều khiển bộ nghịch lưu áp
Nối tải ba pha xoay chiều
Hình 2 17 Bộ nghịch lưu áp truyền thống
Với nguồn áp ba pha cân bằng, ta luôn có phương trình sau: a (t) u (t) u ( ) 0 b c u t (2.5)
Bất kỳ ba hàm số nào thỏa mãn phương trình đều có thể chuyển đổi sang hệ tọa độ cố định (αβ) Phương trình này có thể được biểu diễn bằng ba vectơ: vectơ [𝑢 ⃗⃗⃗⃗⃗ 0 0]T nằm trùng với trục x, vectơ [0 𝑢 ⃗⃗⃗⃗⃗ 0]T lệch một góc 120° với trục b, và vectơ [0 0 𝑢 ⃗⃗⃗⃗⃗ ]T lệch một góc c.
240 o so với trục x, như hình vẽ sau: β α ua u b uc
Hình 2 18 Biểu diễn vectơ không gian trong hệ tọa độαβ
Từ đó ta xây dựng được phương trình của vectơ không gian trong hệ tọa độ phức như sau:
3 là hệ số biến hình Phân tích u(t) trong phương trình trên thành: j j t r r u(t) u(t) V u u
Điện áp trên tải được biểu diễn dưới dạng vectơ không gian với biên độ Vr, quay quanh gốc tọa độ O với vận tốc góc ωt Phương trình điện áp dây được thể hiện theo công thức tương ứng.
Để chuyển đổi từ giá trị biên độ sang giá trị hiệu dụng, cần sử dụng hệ số 2 Ngoài ra, để chuyển giá trị điện áp pha thành điện áp dây, cần áp dụng hệ số 3 Lưu ý rằng vectơ điện áp dây sẽ có pha sớm hơn vectơ điện áp pha một góc 𝜋.
GIẢI THUẬT ĐIỀU CHẾ VECTOR KHÔNG GIAN 2 CHO BỘ NGHỊCH LƯU TĂNG ÁP(qSBI)
Cấu hình bộ nghịch lưu tăng áp ba pha (qSBI)
Cấu hình bộ nghịch lưu tăng áp qSBI kết hợp giữa bộ nghịch lưu truyền thống và bộ tăng áp qSBI, mang lại nhiều ưu điểm nổi bật khi áp dụng giải thuật điều chế vector không gian Cụ thể, cấu hình này giúp tăng điện áp trực tiếp ở ngõ ra, cho phép mạch hoạt động hiệu quả trong chế độ ngắn mạch, linh hoạt trong việc chuyển mạch, đồng thời cải thiện chất lượng điện áp và dòng điện đầu ra.
Nối tải ba pha xoay chiều iL
Hình 3 1 Cấu hình bộ nghịch lưu qSBI
Phân tích hoạt động
Mạch tăng áp gồm một mạng gồm có cuộn dây L, tụ điện C, khóa S0, hai diode D1 và D2
Hoạt động của bộ nghịch lưu qSBI được chia thành hai trạng thái chính: Ngắn mạch và không ngắn mạch như hình 3.2 [20]
Hình 3 2 (a) trạng thái không ngắn mạch, (b) trạng thái ngắn mạch
3.2.1.1 Trạng thái không ngắn mạch
Bộ nghịch lưu qSBI hoạt động ở trạng thái không ngắn mạch theo phương pháp SVM tương tự như bộ nghịch lưu truyền thống, với trạng thái S0 không dẫn, D1 và D2 dẫn Trong quá trình này, tụ C nạp điện và cuộn dây L xả điện, như được mô tả trong hình 3.2(a).
Ta có điện áp trên cuộn dây L và dòng điện qua tụ C trong khoảng thời gian này là:
Trạng thái ngắn mạch xảy ra tại thời điểm thực hiện vector không hoặc khi chuyển mạch, cụ thể là tại thời điểm T0, khi vector 0 được thực hiện Trong trạng thái này, khóa bán dẫn công suất sẽ đóng lại tại thời điểm 𝑡 𝑠ℎ.
4 , lúc này S0 đóng, D1, D2 không dẫn, tụ
Khi tụ điện C xả điện và cuộn dây L tích điện, điện áp trên cuộn dây L và dòng điện qua tụ C trong khoảng thời gian ngắn mạch sẽ được tính toán theo các công thức cụ thể.
𝑑𝑡 = −𝐼 𝐿 (3.4) Áp dụng nguyên lý cân bằng điện áp cho L và C trong trạng thái cân bằng, từ (3.1) và
𝑇: hệ số ngắn mạch trong mỗi chu kỳ
B: hệ số tăng áp Điện áp cấp cho bộ nghịch lưu bằng điện áp qua tụ C trong khoảng thời gian không ngắn mạch
Khi đó ta tính được các biên độ điện áp ba pha ngõ ra và độ lợi điện áp khi chuyển đổi từ DC sang AC
Vm: biên độ điện áp xoay chiều ngõ ra
G: độ lợi điện áp DC – AC
Phương pháp điều chế vector không gian 2 (SVM2) cho cấu hình (qSBI)
Các bước điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu qSBI tương tự như bộ nghịch lưu áp truyền thống, nhưng nghịch lưu tăng áp ba pha qSBI có thêm trạng thái "ngắn mạch", tạo ra tổng cộng 9 trạng thái hoạt động Trong đó, 8 trạng thái vector tương ứng với các vector chuẩn (V1, V2, V3, V4, V5, V6) và 2 vector có biên độ bằng không (V0, V7) từ bộ nghịch lưu áp truyền thống Các vector chuẩn được chia thành 6 sector trên mặt phẳng tọa độ αβ Thời gian tồn tại trạng thái "ngắn mạch" được ký hiệu là t_sh = D*Ts, trong khi t1, t2, t0 lần lượt là thời gian điều chế các vector 1, vector 2, và vector 0 Đặc điểm của nghịch lưu tăng áp ba pha cho phép ngắn mạch trên một, hai hoặc ba nhánh khóa, do đó cần phân tích các mẫu xung để áp dụng vào nghịch lưu qSBI.
3.3.1 Mẫu xung trong điều chế vector không gian cho nghịch lưu qSBI
Hình 3 3 Mẫu xung SVM1 ngắn mạch 1 nhánh khóa bán dẫn mạch nghịch lưu
Từ mẫu xung Hình 3.3 ta thấy giới hạn thời gian xuất hiện ngắn mạch là 𝑇 0
2 vậy giá trị lớn nhất của tỷ số điều chế ngắn mạch là
Hệ số tăng áp lớn nhất :
3√3𝑀 (3.12) Độ lợi áp lớn nhất :
3√3 (3.13) Điện áp đỉnh đặt lên nhánh khóa bán dẫn mạch nghịch lưu là:
Hình 3 4 Mẫu xung SVM2 ngắn mạch 2 nhánh khóa mạch nghịch lưu
Từ mẫu xung Hình 3.4 ta giới hạn thời gian xuất hiện ngắn mạch là T0 vậy giá trị lớn nhất của tỷ số điều chế ngắn mạch là
Hệ số tăng áp lớn nhất :
3√3𝑀−𝜋 (3.16) Độ lợi áp lớn nhất :
3√3𝑀−𝜋 (3.17) Điện áp đỉnh đặt lên nhánh khóa mạch nghịch lưu
Hình 3 5 Mẫu xung ngắn mạch 3 nhánh khóa mạch nghịch lưu
Mẫu xung Hình 3.5 ta thấy giới hạn thời gian xuất hiện ngắn mạch là 3𝑇 0
4 vậy giá trị lớn nhất của tỷ số điều chế ngắn mạch là :
Hệ số tăng áp lớn nhất :
9√3𝑀−2𝜋 (3.20) Độ lợi áp lớn nhất :
9√3𝑀−2𝜋 (3.21) Điện áp đỉnh đặt lên nhánh khóa mạch nghịch lưu là:
Hình 3 6 Mẫu xung ngắn mạch 3 nhánh khóa mạch nghịch lưu
Từ mẫu xung Hình 3.6 ta giới hạn thời gian xuất hiện ngắn mạch là T0 vậy giá trị lớn nhất của tỷ số điều chế ngắn mạch là :
Hệ số tăng áp lớn nhất :
3√3𝑀−𝜋 (3.24) Độ lợi áp lớn nhất :
3√3𝑀−𝜋 (3.25) Điện áp đỉnh đặt lên nhánh khóa mạch nghịch lưu
Trong nghiên cứu về các phương pháp điều chế ngắn mạch, SVM1 có số lần chuyển mạch trong một chu kỳ là hai lần nhưng có hệ số tăng áp nhỏ nhất, do đó không được xem xét trong luận văn Ngược lại, SVM2 và SVM6 có hệ số tăng áp cao hơn SVM4 và SVM1 SVM4 và SVM6 có tới sáu lần chuyển mạch trong một chu kỳ, dẫn đến tổn hao công suất cao hơn Hình 3.8 cho thấy điện áp đỉnh VPN trước khi đặt lên nhánh khóa bán dẫn cho các mẫu xung SVM2, SVM4 và SVM6, trong đó SVM2 và SVM6 có điện áp đỉnh nhỏ hơn so với SVM4.
Phương pháp SVM2 vượt trội hơn các phương pháp khác trong việc áp dụng cho mạch nghịch lưu tăng áp qSBI, nhờ vào hệ số tăng áp cao hơn SVM1 Bên cạnh đó, SVM4 cũng có số lần chuyển mạch trong một chu kỳ thấp hơn SVM6, cho thấy tính hiệu quả của nó.
Hình 3 7 Đồ thị thể hiện đặc tính tăng áp của các mẫu xung
Hình 3 8 Đồ thị thể hiện điện áp đỉnh Vpn của các mẫu xung
3.3.2 Mẫu xung theo phương pháp SVM2 trong các sector
T rad it ion al S V M T rad it ion al S V M
Hình 3 9 Mẫu xung trong các sector điều chế theo phương pháp SVM2
Hình 3.9 minh họa các mẫu xung điều khiển được điều chế trong các sector 1 đến 6 theo phương pháp SVM2 Để giảm thiểu sóng hài trong dòng điện và điện áp đầu ra, phương pháp điều chế đối xứng được áp dụng, trong đó trạng thái đóng cắt của các khóa được lặp lại sau mỗi nửa chu kỳ Điều này giúp giảm các thành phần sóng hài bậc cao nhờ vào việc chuyển mạch của các khóa bán dẫn công suất diễn ra sau mỗi chu kỳ lấy mẫu, đồng thời trạng thái ngắn mạch được thực hiện tại thời điểm vector không hoặc khi chuyển mạch.
Cách tính toán giá trị mạch
Với điện áp ngõ vào 𝑉 𝑑𝑐 = 40V và điện áp pha hiệu dụng ngõ ra 𝑉 𝑎 = 75V, hệ thống hoạt động ở tần số 50Hz Công suất ngõ ra đạt 203W với hệ số công suất là 0.85 Từ điện áp pha hiệu dụng 𝑉 𝑎 = 75V, ta có thể tính được điện áp dây hiệu dụng ngõ ra.
Điện áp dây 𝑉 𝑎𝑏 là 130V, tương ứng với biên độ điện áp 130√2 = 184V, bằng với điện áp trên tụ 𝑈 𝑐 Điện áp đỉnh 𝑉 𝑝𝑛 trước khi qua bộ nghịch lưu trong khoảng thời gian không ngắn mạch cũng bằng 184V, tương đương với điện áp dây 𝑉 𝑎𝑏 Từ đó, hệ số tăng áp của mạch được xác định là B = 𝑉 𝑝𝑛 /Vdc = 4.6, hệ số ngắn mạch D = 0.2, và M = 0.7 theo công thức (3.7).
Dòng điện hiệu dụng qua tải là
3 ∗ 75 ∗ 0.85 = 1.06A Đây cũng chính là dòng ipn , từ đó ta tính được dòng điện qua cuộn dây theo công thức (3.6) là
Và hệ số ngắn mạch lớn nhất theo công thức (3.19)
KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM
Thông số và kết quả mô phỏng
Mô phỏng được thực hiện trên phần mềm PSIM gồm có các thông số như trong bảng 4.1, các sơ đồ mạch cụ thể như sau:
Sơ đồ mạch nghịch lưu và tăng áp như hình 4.1
Sơ đồ mạch tải như hình 4.2
Sơ đồ mạch kích các khóa bán dẫn công suất như hình 4.3
Hình 4 1 Sơ đồ mạch nghịch lưu và tăng áp
Hình 4 2 Sơ đồ mạch tải trong mô phỏng
Hình 4 3 Sơ đồ mạch kích các khóa bán dẫn công suất
Khối DLL (Dynamic Link Library) là công cụ quan trọng để lập trình trong C, cho phép biên dịch mã nguồn thành DLL và kết nối với Psim Khối DLL nhận các giá trị đầu vào từ Psim, thực hiện các phép tính cần thiết và gửi kết quả trở lại Psim.
Hình 4.4 trình bày kết quả mô phỏng tín hiệu xung kích của các khóa bán dẫn công suất trong sector 1, nhằm kiểm chứng với lý thuyết Các xung điều khiển bao gồm S1, S2, S3 và hai cặp nhánh khóa mạch nghịch lưu S1, S1x, S3, S3x Kết quả cho thấy thời điểm ngắn mạch xảy ra khi thực hiện vector không hoặc trong thời gian chuyển mạch T0, sau mỗi nửa chu kỳ điều chế.
Hai trạng thái đóng mở của các khóa bán dẫn được lặp lại, giúp giảm tỷ lệ sóng hài trên dòng điện và điện áp đầu ra Mỗi lần chuyển mạch chỉ có một nhánh khóa hoạt động, từ đó giảm tổn hao trong mạch và tăng tuổi thọ của linh kiện.
Hình 4 4 Kết quả mô phỏng chuỗi trạng thái đóng cắt được thực hiện trong sector 1
Hình 4.5a cho thấy kết quả mô phỏng điện áp ngõ vào Vdc, điện áp trên tụ 𝑈𝑐, điện áp Vpn và điện áp dây Vab Trong khi đó, Hình 4.5b trình bày kết quả mô phỏng điện áp Uc, điện áp Vpn và điện áp dây.
Khi điện áp ngõ vào Vdc đạt 40V, điện áp trên tụ Uc sẽ là 184V theo lý thuyết từ công thức (3.8) Ở đây, Uc tương đương với điện áp Vpn, có biên độ đỉnh giống như điện áp dây Vab Điều này cho thấy Vpn là điện áp đỉnh trước khi đi qua bộ nghịch lưu, với biên độ đỉnh cũng bằng Uc.
Hình 4 5 Từ trên xuống: a) điện áp ngõ vào Vdc, điện áp trên tụ Uc, điện áp Vpn, điện áp dây Vab, b) Kết quả Uc, Vpn, Vab (phóng to)
Hình 4.6 minh họa kết quả mô phỏng dạng sóng điện áp trên tụ và dòng điện qua cuộn dây, với độ nhấp nhô (ripple) đạt 2A Điện áp hiệu dụng qua cuộn dây sẽ tương ứng với giá trị này.
𝐼 𝐿 = 2/√2 = 1.42A đúng như phân tích trên lý thuyết ở mục 3.4, điện áp đỉnh Vpn
Quá trình nạp xả của cuộn dây và tụ điện diễn ra qua hai trạng thái: ngắn mạch và không ngắn mạch Trong trạng thái ngắn mạch, điện áp Vpn bằng không, cuộn dây tích trữ năng lượng trong khi tụ điện xả năng lượng, dẫn đến áp suất trên tụ giảm và dòng qua cuộn dây tăng Khi chuyển sang trạng thái không ngắn mạch, điện áp Vpn bằng điện áp trên tụ Vc, tụ điện bắt đầu nạp điện và cuộn dây truyền năng lượng đến mạch nghịch lưu, làm giảm dòng điện qua cuộn dây IL Kết quả này phù hợp với phân tích lý thuyết đã nêu trong mục 3.2.
Hình 4 6 Từ trên xuống: dòng điện qua cuộn dây, điện áp trên tụ Uc, điện áp Vpn
Hình 4.7 hiển thị kết quả mô phỏng dạng sóng điện áp dây Vab, Vbc, Vac và điện áp dây Vbc (được phóng to) với biên độ đỉnh đạt 184V Đây chính là điện áp Vpn được tính theo lý thuyết từ công thức (3.8), và tùy thuộc vào thời điểm, điện áp trên tải có thể mang dấu dương hoặc âm.
Hình 4 7 Từ trên xuống điện áp Vab, Vbc, Vac, điện áp Vbc (phóng to)
Hình 4.8 trình bày kết quả mô phỏng biên độ đỉnh dạng sóng điện áp ba pha
Kết quả phóng to pha b (hình nhỏ) cho thấy điện áp pha ngõ ra đạt biên độ đỉnh 126V, gần với giá trị lý thuyết từ công thức (3.9) là Va = m.B.Vdc = 128,8V, với sai số chỉ 1.02%, nằm trong phạm vi cho phép Phân tích phổ sóng hài trên tải RL cũng xác nhận tính chính xác của kết quả này.
Hình 4 8 Dạng sóng điện áp ba pha trên tải RL và phân tích phổ sóng hài
Hình 4.9 thể hiện kết quả mô phỏng dạng sóng điện áp ba pha trên tải R với biên độ đỉnh 74V Các dạng sóng này có chỉ số THD lần lượt là 0.25% cho pha a, 0.24% cho pha b, và 0.24% cho pha c, tất cả đều nằm trong giới hạn cho phép dưới 5%.
Hình 4 9 Dạng sóng điện áp ba pha trên tải R và chỉ số THD
Thông số và kết quả thực nghiệm
biên độ đỉnh là 1.5A vậy giá trị hiệu dụng dòng điện sẽ bằng 1.06 đúng với tính toán ở mục 3.4, chỉ số THD lần lượt là: 0.8%, 0.8%, 0.8%
Hình 4 10 Dạng sóng dòng điện ba pha trên tải RL và chỉ số THD
Kết quả thực nghiệm phương pháp SVM2 cho nghịch lưu qSBI được thực hiện tại phòng thí nghiệm điện tử công suất D.405, Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh, sử dụng các thiết bị như máy vi tính, card DSP TMS320F28335, đồng hồ đo, máy hiện sóng, tải trở và tải cảm.
Mạch thực nghiệm cấu hình qSBI được trình bày qua sơ đồ khối trong các hình 4.1, 4.2, 4.3, cùng với mô hình thực nghiệm thực tế ở hình 4.12 Các thông số cụ thể của mạch được liệt kê trong bảng 4.1.
Card DSP TMS320F28335 có nhiệm vụ tạo xung điều khiển các khóa bán dẫn công suất
Card FPGA có nhiệm vụ đảo xung (NOT) và ghép xung (OR)
Mạch tăng ỏp gồm: một cuộn cảm L (1mH), một tụ điện C (450àF), hai diode và một IGBT
Mạch nghịch lưu gồm 6 IGBT công suất
Mạch kích các IGBT (IGBTs driver)
Tải RL và tải R ngoài
Mạch nghịch lưu và mạch tăng áp Tải ngõ ra
Hình 4 11 Sơ đồ khối mô hình thực nghiệm
Hình 4 12 Mô hình thực nghiệm cấu hình qSBI
TMS320F28335 là một trong những vi xử lý tín hiệu số 32 bit mạnh nhất của dòng C2000 từ Texas Instruments, được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như tự động hóa, robot và năng lượng điện tử công suất Thiết bị này hỗ trợ lập trình bằng C/C++ và các ngôn ngữ bậc cao khác thông qua phần mềm CCS (Code Composer Studio) Với khả năng xử lý toán học 32x32 bit MAC 64-bit, TMS320F28335 có thể giải quyết các vấn đề số học với độ chính xác cao Nó còn có khả năng phản ứng nhanh với ngắt và tự động lưu hiện tượng vào thanh ghi, giúp xử lý các sự kiện không đồng bộ với độ trễ tối thiểu Thiết bị được trang bị 8 cấp bảo vệ và bộ nhớ truy cập xử lý liên hợp, cho phép hoạt động với tốc độ cao mà không cần bộ nhớ đắt tiền Ngoài ra, TMS320F28335 còn có 12 PWM cho các ứng dụng điều khiển.
Card FPGA Cyclone II EP2C5T144
Card FPGA Cyclone II EP2C5T144 của ALTERA được thiết kế cho các ứng dụng nhỏ, thực hiện chức năng mạch logic để đảo xung và ghép xung ngắn mạch cho các xung PWM từ card DSP, đảm bảo tốc độ xử lý và thời gian chính xác Card FPGA được lập trình bằng phần mềm Quartus II, cung cấp môi trường thiết kế toàn diện cho các hệ thống trên một chip khả trình (SOPC) Phần mềm này tích hợp đầy đủ cho thiết kế logic với các linh kiện logic khả trình PLD và FPGA của Altera, bao gồm các dòng APEX, Cyclone, FLEX, MAX, và Stratix.
Hình 4 14 Card FPGA Cyclone II EP2C5T144
Mạch kích các IGBT (IGBTs driver)
Mạch kích IGBT sử dụng bộ tăng áp DCH01 (A0515S) có chức năng chuyển đổi tín hiệu điều khiển 3.3 V từ card DSP TMS320F28335 sang +15 V, nhằm điều khiển hoạt động của các IGBT trong mạch.
Hình 4 15 Hình dạng và cấu tạo của DCH01
Nguyên lý hoạt động của bộ tăng áp DCH01: Khi cấp điện áp 5V vào DCH01
(+VI, -VI), tại ngõ ra của DCH01 sẽ xuất hiện điện áp +15V (+Vo, COM) và -15 V (- V0, COM), sơ đồ mạch cụ thể được trình bày ở hình 4.16
Khi mạch kích IGBT nhận điện áp 0 và +3.3 V từ TMS320F28335, ngõ vào (INPUT) của Opto sẽ điều chỉnh trạng thái ngõ ra (OUTPUT) tương ứng Cụ thể, với điện áp ngõ vào 0 V, điện áp ngõ ra cũng sẽ là 0 V, đưa IGBT về trạng thái không hoạt động Ngược lại, với điện áp ngõ vào 3.3 V, điện áp ngõ ra sẽ đạt +15 V, kích hoạt IGBT hoạt động Bên cạnh đó, Opto còn đóng vai trò bảo vệ mạch điều khiển khi xảy ra tình trạng ngắn mạch ở ngõ ra, đảm bảo an toàn cho khóa công suất IGBT.
Hình 4 16 Sơ đồ nguyên lý hoạt động của DCH01
Hình 4 17 Hình dạng và sơ đồ chân IGBT G30N60B30
Linh kiện đóng ngắt hoạt động như một khóa, cho phép dòng điện chạy từ chân C đến chân E khi IGBT được kích Đây là linh kiện công suất lớn, có cực điều khiển cách ly và được trang bị diode bảo vệ ngược Ở nhiệt độ 25°C, linh kiện này có thể chịu được dòng 30A và điện áp 600V Xung kích được đưa vào chân G không vượt quá ±20V.
Hình 4.17 minh họa hình dạng và sơ đồ chân của IGBT G30N60D3B, được sử dụng trong mạch nghịch lưu Đối với mạch tăng áp, IGBT G30N120D3B với điện áp chịu được 1200V là lựa chọn phù hợp.
Diode công suất DSEI30-06A là loại diode phục hồi nhanh, cho phép hoạt động với dòng 60A và thời gian phục hồi tối thiểu 50ns Thiết kế này giúp diode đáp ứng tốt với tần số chuyển mạch của bộ nghịch lưu, đảm bảo hiệu suất hoạt động cao trong các ứng dụng điện tử.
Tải R = 50Ω/200W, tải L = 50mH/10A được đặt trong thùng có quạt tản nhiệt, có hình dạng như hình 4.19 (a) và (b) Tải R = 50Ω/200W đặt ngoài
Hình 4 19 (a) tải RL và (b) tải thuần trở 50Ω/200W
Kết quả thực nghiệm được thực hiện trên tải RL (gồm tải R mắc nối tiếp với L)
Hình 4.20 hiển thị kết quả thực nghiệm của dạng xung điều khiển ba khóa bán dẫn công suất S1, S2, S3 tại sector 1 Dạng xung kích này tương tự như phân tích lý thuyết được trình bày trong hình 4.4, mục 4.1.2.
Hình 4.20 trình bày kết quả thực nghiệm dạng xung điều khiển nhánh khóa phía trên trong sector 1 Hình 4.21 cho thấy kết quả dạng xung điều khiển S1, S1x, S3, S3x ở sector 1 sau khi ngắn mạch hai nhánh khóa của mạch nghịch lưu theo phương pháp SVM2 Hình 4.22 minh họa kết quả dạng xung điều khiển nhánh khóa bán dẫn S2, S2x, cho thấy cặp khóa bán dẫn này ở sector 1 không bị ngắn mạch và hoạt động theo quy tắc đối nghịch Sau khi kiểm tra xung điều khiển, kết quả gần đúng với phân tích lý thuyết và mô phỏng, chúng tôi tiến hành kết nối với tải.
Hình 4 21 Kết quả thực nghiệm dạng xung điều khiển cặp khóa S1, S1x, S3, S3x trong sector1 (phóng to)
Hình 4 22 Kết quả thực nghiệm dạng xung điều khiển nhánh khóa S2, S2x (phóng to) 4.2.2.1 Tải RL (R = 50Ω, L = 50 mH)
Hình 4.23 trình bày kết quả thực nghiệm của điện áp ngõ vào Vdc, điện áp trên tụ
Khi ngõ vào Vdc = 40 V, điện áp trên tụ Vc đạt 178V, trong khi kết quả mô phỏng cho thấy Vc là 184V Biên độ điện áp Vm trên tải R của pha a đo được là 65V, và kết quả mô phỏng là 74V như trình bày trong hình 4.9 Tần số điện áp ngõ ra trên tải R của pha a là 50Hz, tính từ chu kỳ 2 ô, mỗi ô 10ms, nên f = 1/T = 1/(2*10) = 50Hz.
Hình 4 23 Kết quả thực nghiệm tính từ trên xuống: Vdc, Vc, điện áp ngõ ra đo trên tải
Kết quả thực nghiệm được trình bày trong Hình 4.24 cho thấy điện áp trên tụ Vc và dạng sóng dòng điện qua cuộn dây IL Điện áp đỉnh Vpn đạt 178V, cho thấy rằng các xung áp Vpn có biên độ tương đương với điện áp trên tụ Vc.
Hình 4 24 Kết quả thực nghiệm tính từ trên xuống: Vc, IL, Vpn
Hình 4.25 cho thấy kết quả thực nghiệm về sóng điện áp trên tụ Uc và dòng điện qua cuộn dây IL, cũng như điện áp Vpn Kết quả này xác nhận quá trình nạp xả của tụ điện và cuộn dây tương đồng với phân tích mô phỏng ở hình 4.6 mục 4.1.2 Trong trạng thái ngắn mạch, Vpn bằng không, cuộn dây tích trữ năng lượng trong khi tụ điện xả năng lượng, dẫn đến điện áp trên tụ giảm và dòng qua cuộn dây tăng Khi không còn ngắn mạch, điện áp Vpn bằng điện áp trên tụ Vc là 178V, tụ điện bắt đầu nạp điện, trong khi cuộn dây truyền năng lượng đến mạch nghịch lưu, làm giảm dòng điện qua cuộn dây IL.
Hình 4 25 Kết quả thực nghiệm tính từ trên xuống: Vc, IL, Vpn (phóng to)
Hình 4.26 cho thấy kết quả thực nghiệm của dạng sóng điện áp Vab với biên độ đạt 178V Kết quả này so sánh với giá trị mô phỏng trong hình 4.7 là 184V, cho thấy sai số chỉ 1.2% Biên độ này tương đương với điện áp Vpn theo công thức (3.8).
Hình 4 26 Kết quả thực nghiệm dạng sóng điện áp dây V ab
Bài viết đã trình bày sự kết hợp giữa phương pháp điều chế vector không gian (SVM2) và bộ nghịch lưu tăng áp ba pha qSBI, mang lại nhiều ưu điểm nổi bật.
SVM 2 có hệ số tăng áp cao và số lần chuyển mạch trong một chu kỳ điều chế thấp hơn so với SVM6 và SVM4 Điều này giúp giảm số lần đóng cắt của các khóa bán dẫn, cải thiện chất lượng dòng điện và điện áp đầu ra, đồng thời tăng tuổi thọ của linh kiện.
Cấu hình qSBI có ưu điểm hơn so với nghịch lưu áp truyền thống và ZSI
- Cho phép ngắn hai mạch nhánh khóa mạch nghịch lưu
- Mạch có khả năng tăng điện áp trực tiếp chỉ qua một quá trình chuyển đổi công suất
- Mạch ít linh kiện hơn so với cấu ZSI do đó sẽ giảm được tổn hao công suất mạch
5.1 Hướng phát triển của đề tài trong tương lai
- Các kết quả khảo sát phương pháp SVM2 cho nghịch lưu qSBI được thực nghiệm trên tải R, RL, vì vậy tiếp tục thực nghiệm với tải động cơ
- Thêm mạch đệm để chống sụt áp trên card DSP
- Thêm bộ điều khiển hồi tiếp PID (Proportional Integral Derivative): để ổn định điện áp ngõ ra.
