1. Trang chủ
  2. » Cao đẳng - Đại học

Bài giảng cấu kiện điện tử

90 9 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Bài Giảng Cấu Kiện Điện Tử
Tác giả Vũ Mạnh Thịnh
Người hướng dẫn Đinh Văn Nam
Trường học Trường Đại Học CNTT&TT
Chuyên ngành Công Nghệ Điện Tử
Thể loại bài giảng
Định dạng
Số trang 90
Dung lượng 1,35 MB

Cấu trúc

  • 1.2. Các loại cấu kiện điện tử (5)
    • 1.2.1. Phân loại dựa trên đặc tính vật lý (5)
    • 1.2.2. Phân loại dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử (5)
    • 1.2.3. Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu (6)
    • 1.2.4. Phân loại dựa vào ứng dụng của cấu kiện điện tử (6)
  • 1.3. Vật liệu điện tử (6)
    • 1.3.1. Vật liệu điện môi (8)
    • 1.3.2. Vật liệu dẫn điện (9)
    • 1.3.3. Vật liệu bán dẫn (10)
  • CHƯƠNG 2. CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG (18)
    • 2.1. Điện trở (18)
      • 2.1.1. Định nghĩa và ký hiệu của điện trở (18)
      • 2.1.2. Cách ghi và đọc các tham số trên thân điện trở (19)
      • 2.1.3. Phân loại và ứng dụng của điện trở (20)
    • 2.2. Tụ điện (21)
      • 2.2.1. Định nghĩa và ký hiệu của tụ điện (21)
      • 2.2.2 Các cách ghi và đọc tham số trên thân tụ điện (21)
      • 2.2.3. Phân loại và ứng dụng (22)
    • 2.3. Cuộn cảm (23)
      • 2.3.1. Định nghĩa và ký hiệu của cuộn cảm (23)
      • 2.3.2. Phân loại và ứng dụng của cuộn cảm (23)
    • 2.4. Biến áp (24)
      • 2.4.1. Định nghĩa và ký hiệu trong sơ đồ mạch (24)
      • 2.4.2. Phân loại và ứng dụng của biến áp (25)
  • CHƯƠNG 3. ĐIỐT BÁN DẪN (28)
    • 3.1. Chuyển tiếp p-n ở trạng thái cân bằng (28)
    • 3.2. Chuyển tiếp p-n ở điều kiện không cân bằng (30)
      • 3.2.1. Đặc tính của chuyển tiếp p-n phân cực thuận (31)
      • 3.2.2. Phân cực ngƣợc (32)
    • 3.3. Hiện tƣợng đánh thủng chuyển tiếp p-n (0)
      • 3.3.1. Hiện tƣợng đánh thủng chuyển tiếp p-n (34)
      • 3.3.2. Hiện tƣợng đánh thủng thác lũ (34)
      • 3.3.3. Hiện tƣợng đánh thủng xuyên hầm (35)
    • 3.4. Điốt bán dẫn sử dụng chuyển tiếp p-n (36)
      • 3.4.1. Điôt chỉnh lưu (36)
      • 3.4.2. Điốt Zenner (37)
      • 3.4.3. Điốt Tunnel và điôt ngƣợc (38)
  • CHƯƠNG 4. TRANSISTOR BÁN DẪN (45)
    • 4.1. Tranzitor lƣỡng cực (0)
      • 4.1.1. Cấu tạo, nguyên lý làm việc và các thông số cơ bản của tranzito lƣỡng cực (45)
      • 4.1.2. Các đặc trưng tĩnh của transistor lý tưởng (48)
      • 4.1.3. Các chế độ làm việc của transistor lƣỡng cực (50)
      • 4.1.4. Phân cực và ổn định điểm công tác tĩnh của transistor (53)
  • CHƯƠNG 5. CÁC LINH KIỆN NHIỀU CHUYỂN TIẾP PN (68)
    • 5.1. Thyistor (68)
      • 5.1.1. Nguyên lý làm việc và đặc tuyến của thyristor (68)
      • 5.1.2. Tham số của thyristor (71)
      • 5.1.3. Ứng dụng của thyristor (72)
    • 5.2. Các dụng cụ chỉnh lưu có cấu trúc bốn lớp khác (75)
      • 5.2.1. TRIAC (75)
      • 5.2.2. DIAC (77)
      • 5.2.3. Điôt bốn lớp (78)
    • 5.3. Transistor một lớp chuyển tiếp P-N (79)
      • 5.3.1. Nguyên lý làm việc, đặc tuyến và các tham số (79)
      • 5.3.2. Các ứng dụng điển hình của UJT (83)
  • CHƯƠNG 6. GIỚI THIỆU CHUNG VỀ VI MẠCH (87)
    • 6.1. Giới thiệu (87)
      • 6.1.1. Các nguyên tắc cơ bản để xây dựng một vi mạch (87)
      • 6.1.2. Sự tăng trưởng của mức độ phức tạp trong các vi mạch (88)
      • 6.1.3. Sự phát triển của công nghệ (88)
    • 6.2. Phân loại (89)
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO (90)

Nội dung

Các loại cấu kiện điện tử

Phân loại dựa trên đặc tính vật lý

Dựa vào các đặc tính vật lý cấu kiện điện tử có thể chia làm 2 loại:

Các cấu kiện điện tử thông thường là những linh kiện có đặc tính vật lý điện - điện tử tiêu chuẩn Chúng hoạt động khi chịu tác động của các sóng điện từ với tần số dao động từ cực thấp (1 kHz đến 10 kHz) cho đến tần số siêu cao (10 GHz đến 100 GHz) hoặc sóng milimet.

- Cấu kiện quang điện tử: Đây là các linh kiện điện tử có đặc tính vật lý điện – quang

Chúng hoạt động dưới tác dụng của các sóng điện từ có tần số rất cao (f = 10 8 đến 10 9 Ghz) thường được gọi là ánh sáng.

Phân loại dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử

Người ta chia cấu kiện điện tử ra làm 5 loại:

- Cấu kiện điện tử chân không: là các cấu kiện điện tử mà sự dẫn điện xảy ra trong môi trường chân không

- Cấu kiện điện tử có khí: là các cấu kiện điện tử mà sự dẫn điện xảy ra trong môi trường khí trơ

- Cấu kiện điện tử bán dẫn: là các cấu kiện điện tử mà sự dẫn điện xảy ra trong môi trường chất bán dẫn

Cấu kiện vi mạch là những chip bán dẫn được tích hợp từ các thành phần bán dẫn theo sơ đồ mạch đã được thiết kế trước, với một hoặc nhiều chức năng cụ thể.

Cấu kiện nanô là các thành phần có kích thước ở cấp độ nanomet, được sản xuất bằng công nghệ nanô Những cấu kiện này sở hữu những tính chất và khả năng tiện ích đặc biệt, khác biệt rõ rệt so với các cấu kiện có kích thước lớn hơn, từ micromet trở lên.

Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu

Cấu kiện điện tử được phân loại thành hai loại chính dựa trên chức năng xử lý tín hiệu: cấu kiện điện tử tương tự (analog) và cấu kiện điện tử số (digital).

- Cấu kiện điện tử tương tự là các linh kiện có chức năng xử lý các tín hiệu điện xảy ra liên tục theo thời gian

- Cấu kiện điện tử số là các linh kiện có chức năng xử lý các tín hiệu điện xảy ra rời rạc, không liên tục theo thời gian.

Phân loại dựa vào ứng dụng của cấu kiện điện tử

Cấu kiện điện tử được phân loại thành hai loại chính dựa trên ứng dụng của chúng: cấu kiện điện tử thụ động và cấu kiện điện tử tích cực.

- Cấu kiện điện tử thụ động là các linh kiện điện tử chỉ có khả năng xử lý và tiêu thụ tín hiệu điện

- Cấu kiện điện tử tích cực là các linh kiện điện tử có khả năng biến đổi tín hiệu điện, tạo ra và khuếch đại tín hiệu điện.

Vật liệu điện tử

Vật liệu điện môi

a Các tính chất của chất điện môi

- Độ thẩm thấu điện tương đối (hay còn gọi là hằng số điện môi)

Hằng số điện môi, ký hiệu là ε, thể hiện khả năng phân cực của chất điện môi và được tính theo công thức: ε = Cd / C0 Trong đó, Cd là điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi, còn C0 là điện dung của tụ điện trong môi trường chân không hoặc không khí.

Độ tổn hao điện môi (Pa) là công suất điện tiêu tốn để làm nóng chất điện môi khi nó được đặt trong điện trường Công thức tính độ tổn hao điện môi được xác định theo phương pháp tổng quát.

Pa là độ tổn hao điện môi đo bằng oát (w)

U là điện áp đặt lên tụ điện đo bằng vôn (V)

C là điện dung của tụ điện dùng chất điện môi đo bằng Farad (F) ω là tần số góc đo bằng rad/s tgδ là góc tổn hao điện môi

- Độ bền về điện của chất điện môi (Eđ.t.)

Khi một chất điện môi được đặt trong điện trường và mất khả năng cách điện, hiện tượng này được gọi là đánh thủng chất điện môi Điện áp tại thời điểm xảy ra hiện tượng này được gọi là điện áp đánh thủng (Uđ.t) và thường được đo bằng các đơn vị điện áp chuẩn.

KV, và cường độ điện trường tương ứng với điểm đánh thủng gọi là độ bền về điện

Là nhiệt độ cao nhất mà ở đó chất điện môi giữ đƣợc các tính chất lý hóa của nó

- Dòng điện trong chất điện môi (I):

Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần là dòng điện chuyển dịch và dòng điện rò

• Dòng điện chuyển dịch I CM (hay gọi là dòng điện phân cực)

Quá trình chuyển dịch phân cực của các điện tích trong chất điện môi tạo ra dòng điện phân cực I CM Dưới điện áp xoay chiều, dòng điện chuyển dịch duy trì liên tục trong suốt thời gian chất điện môi chịu tác động của điện trường Ngược lại, khi áp dụng điện áp một chiều, dòng điện chuyển dịch chỉ xuất hiện tại các thời điểm đóng hoặc ngắt điện áp.

Dòng điện rò là dòng điện đƣợc tạo ra do các điện tích tự do và điện tử phát xạ ra chuyển động dưới tác động của điện trường

Dòng điện tổng qua chất điện môi sẽ là:

- Điện trở cách điện của chất điện môi Điện trở cách điện đƣợc xác định theo trị số của dòng điện rò:

Trong đó: I - Dòng điện nghiên cứu

 I CM - Tổng các thành phần dòng điện phân cực b.Phân loại và ứng dụng của chất điện môi

Chất điện môi đƣợc chia làm 2 loại là chất điện môi thụ động và chất điện môi tích cực

- Chất điện môi thụ động còn gọi là vật liệu cách điện và vật liệu tụ điện

- Chất điện môi tích cực là các vật liệu có thể điều khiển đƣợc nhƣ:

+ Về điện trường có gốm, thuỷ tinh,

+ Về cơ học có chất áp điện nhƣ thạch anh áp điện

+ Về ánh sáng có chất huỳnh quang

+ Electric hay cái châm điện là vật chất có khả năng giữ đƣợc sự phân cực lớn và lâu dài.

Vật liệu dẫn điện

a Các tính chất của vật liệu dẫn điện

- Điện trở suất: ρ = RS/l trong đó:

S - tiết diện ngang của dây dẫn l - chiều dài dây dẫn

R - trị số điện trở của dây dẫn Điện trở suất của chất dẫn điện nằm trong khoảng từ: ρ = 0,016 μΩ.m (của bạc Ag) đến ρ= 10 μΩ.m (của hợp kim sắt - crôm - nhôm)

- Hệ số nhiệt của điện trở suất (α):

Hệ số nhiệt của điện trở suất cho thấy sự biến đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 1 độ C Khi nhiệt độ tăng, điện trở suất cũng tăng theo công thức ρt = ρ0(1 + αt), trong đó ρt là điện trở suất ở nhiệt độ t (độ C), ρ0 là điện trở suất ở 0 độ C, và α là hệ số nhiệt của điện trở suất (K^-1) Đối với kim loại nguyên chất, hệ số nhiệt gần như đồng nhất và có giá trị α = 1/273,15 K^-1 = 0,004 K^-1.

Lƣợng nhiệt truyền qua diện tích bề mặt S trong thời gian t là: l St

Trong đó: λ - là hệ số dẫn nhiệt ΔT/Δl - là gradien nhiệt độ (ΔT là lƣợng chênh lệch nhiệt độ ở hai điểm cách nhau một khoảng là Δl)

S - là diện tích bề mặt t - là thời gian

- Công thoát của điện tử trong kim loại:

Năng lƣợng cần thiết cấp thêm cho điện tử để nó thoát ra khỏi bề mặt kim loại đƣợc gọi là công thoát của kim loại EW

- Hiệu điện thế tiếp xúc giữa hai kim loại này đƣợc xác định là sự chênh lệch thế năng E AB giữa điểm A và B và đƣợc tính theo công thức:

E AB = E w1 – E w2 Tương ứng với thế năng E AB (đo bằng eV) ta có điện thế tiếp xúc (đo bằng Vôn), ký hiệu là VAB và có trị số bằng E AB

Khi hai kim loại giống nhau tiếp xúc, điện thế giữa chúng là 0 Ngược lại, nếu hai kim loại khác nhau, kim loại có công thoát thấp hơn sẽ mang điện tích dương, trong khi kim loại có công thoát cao hơn sẽ mang điện tích âm Một số vật liệu dẫn điện phổ biến thường được sử dụng bao gồm đồng, nhôm và bạc.

Chất dẫn điện đƣợc chia làm 2 loại là chất dẫn điện có điện trở suất thấp và chất dẫn điện có điện trở suất cao

- Chất dẫn điện có điện trở suất thấp

Chất dẫn điện có điện trở suất thấp (hay độ dẫn điện cao) thường dùng làm vật liệu dẫn điện

- Chất dẫn điện có điện trở suất cao

Các hợp kim có điện trở suất cao được sử dụng để chế tạo dụng cụ đo điện, điện trở, biến trở, dây may so và các thiết bị nung nóng bằng điện.

Vật liệu bán dẫn

a Phát xạ và tái hợp điện tử - lỗ trống

Khi điện tử hóa trị nhận năng lượng từ môi trường như nhiệt độ hoặc ánh sáng đủ lớn, chúng có thể thoát khỏi lực liên kết và trở thành điện tử tự do, tham gia vào dòng điện Sự thiếu hụt điện tử trong vùng hóa trị tạo ra các mức năng lượng trống, dẫn đến khả năng dẫn điện trong vùng này Những điểm thiếu hụt điện tử, hay còn gọi là lỗ trống, có thể coi là điện tích dương và chúng có khả năng di chuyển trong vật rắn Khi một điện tử lấp đầy lỗ trống, nó lại tạo ra một lỗ trống mới, di chuyển ngược chiều với điện tử Điều này cho thấy rằng việc đứt một liên kết đồng hóa trị sẽ khiến một điện tử di chuyển từ vùng hóa trị lên vùng dẫn.

Quá trình phát xạ cặp điện tử - lỗ trống là quá trình chủ yếu tạo ra các hạt dẫn trong bán dẫn sạch Trong quá trình này, điện tử xuất hiện trong vùng dẫn, trong khi lỗ trống được hình thành trong vùng hóa trị.

Quá trình tái hợp giữa điện tử và lỗ trống diễn ra ngược lại với sự phát sinh cặp điện tử - lỗ trống, trong đó điện tử tự do rơi từ vùng dẫn xuống vùng hóa trị, tạo ra liên kết mới thông qua sự phát xạ năng lượng.

Trong trạng thái cân bằng nhiệt động, số lượng điện tử phát sinh bằng với số lượng điện tử tái hợp, dẫn đến việc bán dẫn được gọi là bán dẫn ròng hay bán dẫn tinh khiết Khi có tạp chất, tính chất của bán dẫn sẽ thay đổi, tạo ra các loại bán dẫn khác nhau.

Nồng độ hạt tải trong bán dẫn thay đổi đáng kể khi được pha tạp bởi nguyên tử tạp chất Mặc dù cấu trúc tinh thể của bán dẫn không thay đổi so với bán dẫn tinh khiết, nhưng độ dẫn điện của nó tăng mạnh, phụ thuộc vào mức độ pha tạp và bản chất của nguyên tử tạp chất.

Khi chọn các nguyên tử pha tạp từ nhóm III trong bảng tuần hoàn, ta sẽ tạo ra bán dẫn loại P Ngược lại, nếu chọn nguyên tử từ nhóm V, ta sẽ thu được bán dẫn loại N.

Nguyên tử Silic (Si) có bốn electron hóa trị, cho phép nó tạo ra liên kết đồng hóa trị với bốn nguyên tử lân cận.

Khi pha tạp Si (hoặc Ge) với các nguyên tử thuộc nhóm V như phốt pho hay antimoan, các nguyên tử tạp chất sẽ liên kết đồng hóa trị với bốn nguyên tử Si lân cận Điều này tạo ra một điện tử hóa trị dư thừa, có liên kết yếu với nguyên tử lân cận và với chính nó, cho phép nó dễ dàng được giải phóng trở thành điện tử tự do với một năng lượng nhỏ Tạp chất hóa trị 5 này được gọi là tạp chất đô-no, nghĩa là tạp chất điện tử tự do Chất bán dẫn có tạp chất đô-no được gọi là bán dẫn loại N, trong đó các điện tử là hạt đa số và các lỗ trống là hạt thiểu số.

Hình 1.4 Tạp chất đo no trong đơn tinh thể Si

Tính dẫn điện trong bán dẫn loại N chủ yếu do điện tử quyết định Khi pha tạp chất đô-no, các mức năng lượng cục bộ sẽ xuất hiện trong vùng cấm, nằm sát dưới đáy vùng dẫn, được gọi là mức năng lượng đô-no.

Hình 1.5 Giản đồ mức năng lƣợng đô nô

Khoảng cách từ đáy vùng dẫn đến mức đônô nhỏ hơn nhiều so với độ rộng vùng cấm, dẫn đến năng lượng cần thiết để điện tử nhảy từ mức đônô lên vùng dẫn (năng lượng ion hóa) thấp hơn nhiều so với năng lượng cần thiết để đưa điện tử từ vùng hóa trị lên vùng dẫn.

Pha tạp Silic (hoặc Gecmani) với các nguyên tử hóa trị 3 như Bor, Gallium (Ga) và Alumin (Al) thay thế vị trí của nguyên tử bán dẫn tinh khiết, tạo ra liên kết đồng hóa trị với ba nguyên tử láng giềng Liên kết thứ tư không hoàn hảo, dẫn đến sự xuất hiện của một lỗ trống Chỉ cần một năng lượng nhỏ, một điện tử từ liên kết đồng hóa trị gần đó có thể chiếm lỗ trống, làm đứt các liên kết khác Các nguyên tử tạp chất này có xu hướng bắt điện tử từ vùng hóa trị, tăng số lượng lỗ trống trong bán dẫn, do đó được gọi là tạp chất acceptor Bán dẫn có tạp chất loại này được gọi là bán dẫn loại P.

Hình 1.6 Tạp chất aceptor trong đơn tinh thể Si

Hình 1.7 Giản đồ mức năng lƣợng acepto

Mức năng lượng acepto E a gần đỉnh vùng hóa trị, cho phép một năng lượng nhỏ (năng lượng ion hóa) khiến điện tử nhảy từ vùng hóa trị lên các mức acepto, tạo ra ion âm từ nguyên tử tạp chất và đồng thời xuất hiện các lỗ trống trong vùng hóa trị.

Hiện tƣợng tái hợp của các hạt dẫn

Hiện tượng tái hợp hạt dẫn xảy ra khi các điện tử chuyển động từ mức năng lượng cao trong vùng dẫn về mức năng lượng thấp hơn trong vùng hóa trị Quá trình tái hợp này dẫn đến việc mất đi một cặp hạt dẫn, đồng thời đưa hệ hạt về một trạng thái cân bằng mới.

Khi đó trong bán dẫn loại n là sự tái hợp lỗ trống với điện tử trong điều kiện nồng độ điện tử cao:

    Ở đây p(t)là mức giảm của lỗ trống theo thời gian

p( )0 là số lƣợng của lỗ trống theo thời gian

 p là thời gian sống của lỗ trống trong bán dẫn loại n (là khoảng thời gian trong đó số lƣợng lỗ trống dƣ giảm đi e lần)

Tương tự trong chất bán dẫn p có:

Các thông số  n và  p quyết định đến đặc tuyến tần số (tác động nhanh) của các dụng cụ bán dẫn

Chuyển động gia tốc (trôi) của các hạt dẫn trong điện trường

Dưới tác động của điện trường, hạt dẫn di chuyển có hướng và gia tốc, tạo ra dòng điện gọi là dòng trôi Vận tốc trung bình của dòng điện tỷ lệ thuận với cường độ E của điện trường, được biểu diễn bằng công thức: v tb = μE.

Độ linh động của các hạt dẫn trong vật liệu bán dẫn là yếu tố quan trọng, với hệ số tỷ lệ được ký hiệu là  p và  n Cụ thể, đối với germanium (Ge), các hệ số này lần lượt là  n = 3800 cm²/Vs và  p = 1800 cm²/Vs Trong khi đó, silicon (Si) có độ linh động với  n = 1300 cm²/Vs và  p = 500 cm²/Vs.

Từ đó mật độ dòng trôi gồm hai thành phần:

I trôip = qpv tbp Hay dòng trôi toàn phần I trôi = I trôin +I trôip

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG

Điện trở

2.1.1 Định nghĩa và ký hiệu của điện trở a Định nghĩa Điện trở là cấu kiện dùng làm phần tử ngăn cản dòng điện trong mạch Trị số điện trở đƣợc xác định theo định luật Ôm:

R = U/I Trong đó: U – hiệu điện thế trên điện trở [V]

I - dòng điện chạy qua điện trở [A]

Trên điện trở, dòng điện và điện áp luôn cùng pha và điện trở dẫn dòng điện một chiều và xoay chiều nhƣ nhau

Trong các sơ đồ mạch điện, điện trở thường được mô tả theo các qui ước tiêu chuẩn

Cấu trúc của điện trở có nhiều dạng khác nhau Một cách tổng quát ta có cấu trúc tiêubiểu của một điện trở nhƣ mô tả trong hình

2.1.2 Cách ghi và đọc các tham số trên thân điện trở

Trên thân điện trở, các tham số quan trọng như trị số điện trở, % dung sai và công suất tiêu tán thường được ghi rõ, với công suất thường bắt đầu từ vài phần mười Watt Thông tin này có thể được ghi trực tiếp hoặc theo nhiều qui ước khác nhau.

Cách ghi trực tiếp là phương pháp ghi chép đầy đủ các tham số chính cùng với đơn vị đo của chúng Phương pháp này thường được áp dụng cho các điện trở có kích thước lớn, chẳng hạn như điện trở dây quấn.

Cách ghi theo quy ƣớc có rất nhiều các quy ƣớc khác nhau Ở đây ta xem xét một sốcách quy ƣớc thông dụng:

+ Không ghi đơn vị Ôm: Đây là cách ghi đơn giản nhất và nó đƣợc qui ƣớc nhƣ sau:

Quy ước theo mã bao gồm các chữ số và một chữ cái biểu thị % dung sai Chữ số cuối cùng trong mã đại diện cho số 0 cần được thêm vào Các chữ cái tương ứng với % dung sai quy ước là: F = 1%, G = 2%, J = 5%, K = 10%, và M = 20%.

Thông thường người ta sử dụng 4 vòng màu, đôi khi dùng 5 vòng màu (đối với loại có dung sainhỏ khoảng 1%)

- Loại 4 vòng màu đƣợc qui ƣớc:

+ Hai vòng màu đầu tiên là chỉ số có nghĩa thực của nó

+ Vòng màu thứ 3 là chỉ số số 0 cần thêm vào (hay gọi là số nhân)

+Vòng màu thứ 4 chỉ phần trăm dung sai (%)

- Loại 5 vạch màu đƣợc qui ƣớc:

+ Ba vòng màu đầu chỉ các số có nghĩa thực

+ Vòng màu thứ tƣ là số nhân để chỉ số số 0 cần thêm vào

+ Vòng màu thứ 5 chỉ % dung sai

Thứ tự vòng màu đƣợc qui ƣớc nhƣ sau:

2.1.3 Phân loại và ứng dụng của điện trở a Phân loại:

Điện trở được phân loại thành hai nhóm chính: điện trở cố định và điện trở biến đổi (hay còn gọi là biến trở) Mỗi nhóm này tiếp tục được chia nhỏ theo các tiêu chí khác nhau, tạo thành nhiều loại điện trở đa dạng hơn.

Điện trở cố định là loại điện trở có giá trị không thay đổi, thường được phân loại dựa trên vật liệu cản điện Một trong những loại phổ biến là điện trở than tổng hợp, hay còn gọi là điện trở than nén.

+ Điện trở than nhiệt giải hoặc than màng (màng than tinh thể)

Điện trở dây quấn bao gồm sợi dây điện trở dài, thường là dây NiCr hoặc manganin, được quấn quanh một ống gốm ceramic và được bảo vệ bởi một lớp sứ bên ngoài Trong khi đó, điện trở màng kim, điện trở màng oxit kim loại và điện trở miếng là những thành phần vi điện tử, trong đó điện trở miếng thường được in trực tiếp trên tấm ráp mạch.

+ Điện trở cermet (gốm kim loại)

-Điện trở có trị số thay đổi (hay còn gọi là biến trở)

Biến trở có hai dạng chính: dạng kiểm soát dòng công suất lớn dùng dây quấn, ít gặp trong mạch điện trở, và dạng chiết áp phổ biến hơn Cấu tạo của biến trở khác với điện trở cố định ở chỗ có thêm một con chạy gắn với trục xoay để điều chỉnh trị số điện trở Con chạy có thể là kiểu xoay (chiết áp xoay) hoặc kiểu trượt (chiết áp trượt), với ba đầu ra, trong đó đầu giữa ứng với con trượt và hai đầu còn lại ứng với hai đầu của điện trở Ứng dụng của điện trở rất đa dạng, bao gồm giới hạn dòng điện, tạo sụt áp, phân cực, làm gánh mạch, chia áp và định hằng số thời gian.

Tụ điện

2.2.1 Định nghĩa và ký hiệu của tụ điện a Định nghĩa:

Tụ điện là thiết bị lưu trữ điện tích, trong đó điện tích ở các bản cực tỷ lệ thuận với hiệu điện thế đặt lên nó, được mô tả bởi công thức cụ thể.

Q = C U [culông] trong đó: Q - điện tích ở trên bản cực của tụ điện [C]

U – hiệu điện thế đặt trên tụ điện[v]

C - điện dung của tụ điện[F] b Ký hiệu của tụ điện trên các sơ đồ mạch c Cấu tạo của tụ điện:

Cấu tạo của tụ điện bao gồm một lớp vật liệu cách điện nằm giữa hai bản cực là

2 tấm kim loại có diện tích S

2.2.2 Các cách ghi và đọc tham số trên thân tụ điện

Các thông số quan trọng nhất trên thân tụ điện bao gồm trị số điện dung cùng với dung sai sản xuất và điện áp làm việc.

Ghi trực tiếp là phương pháp ghi lại toàn bộ các tham số và đơn vị đo của chúng, thường áp dụng cho các loại tụ điện có kích thước lớn Ngoài ra, còn có cách ghi gián tiếp theo quy ước.

Cách ghi gián tiếp theo quy ước thường được áp dụng cho tụ điện, với kích thước nhỏ gọn và điện dung được đo bằng đơn vị pF.

Có rất nhiều các qui ƣớc khác nhau nhƣ quy ƣớc mã, quy ƣớc màu, v.v Sau đây ta chỉ nêu một số quy ƣớc thông dụng:

+ Ghi theo qui ước số: Cách ghi này thường gặp ở các tụ Pôlystylen

Trên thân tụ điện, nếu ghi 47/630, thì số 47 biểu thị giá trị điện dung là 47 pF, trong khi số 630 chỉ định điện áp làm việc một chiều là 630 Vdc.

+ Quy ước theo mã: Giống nhƣ điện trở, mã gồm các chữ số chỉ trị số điện dung và chữ cái chỉ % dung sai

Tụ gốm có kích thước nhỏ thường được ghi theo qui ước sau: ví dụ trên tụ ghi là

204 có nghĩa là trị số của điện dung 20.0000 pF Vdc

Tụ Tantan là tụ điện giải cũng thường được ghi theo đơn vị μF cùng điện áp làm việcvà cực tính rõ ràng

Tụ điện được ghi theo quy ước màu tương tự như điện trở, với nhiều loại khác nhau như 4 vạch màu và 5 vạch màu Các vạch màu này có quy tắc gần giống với quy tắc ghi màu của điện trở.

2.2.3 Phân loại và ứng dụng

Có nhiều cách phân loại tụ điện, thông thường người ta phân tụ điện làm 2 loại là:

- Tụ điện có trị số điện dung cố định

- Tụ điện có trị số điện dung thay đổi đƣợc a Tụ điện có trị số điện dung cố định:

Tụ điện có trị số điện dung cố định thường được gọi tên theo vật liệu chất điện môi

Tụ điện giải nhôm, hay còn gọi là tụ hóa, nổi bật với khả năng cung cấp điện dung lớn trong kích thước nhỏ gọn Các tụ hóa thường có trị số điện dung tiêu chuẩn dao động từ 1 μF đến 100000 μF, làm cho chúng trở thành lựa chọn lý tưởng cho nhiều ứng dụng điện tử.

Các tụ điện giải nhôm phổ biến thường hoạt động với điện áp một chiều lớn hơn 400Vdc, với điện dung tối đa không vượt quá 100 μF Bên cạnh điện áp làm việc thấp và tính phân cực, tụ điện giải nhôm còn gặp phải nhược điểm là dòng rò tương đối cao.

Tụ tantan, hay còn gọi là chất điện giải Tantan, là một loại tụ điện giải có giá trị điện dung lớn trong kích thước nhỏ, tương tự như tụ điện giải nhôm Để hoạt động hiệu quả, tụ tantan cần được đấu đúng cực tính và được ghi theo quy ước 4 vòng màu Ngoài ra, tụ tantan còn có khả năng điều chỉnh trị số điện dung, mang lại sự linh hoạt trong ứng dụng.

Tụ điện có trị số điện dung thay đổi là loại tụ cho phép điều chỉnh giá trị điện dung trong quá trình hoạt động Các loại tụ điện này rất đa dạng, trong đó phổ biến nhất là tụ đa dụng và tụ điều chuẩn.

Tụ xoay, hay còn gọi là loại đa dụng, được sử dụng chủ yếu để điều chỉnh thu sóng trong các thiết bị như máy thu thanh Tụ xoay có thể được thiết kế với một hoặc nhiều ngăn, mỗi ngăn bao gồm các lá động và lá tĩnh được chế tạo từ nhôm Chất điện môi của tụ xoay có thể là không khí, mi ca, màng chất dẻo, hoặc gốm, mang lại sự linh hoạt trong ứng dụng.

- Tụ vi điều chỉnh (thường gọi tắt là Trimcap)

Tụ điện có nhiều loại khác nhau, sử dụng các chất điện môi đa dạng như không khí, màng chất dẻo và thủy tinh hình ống Để điều chỉnh trị số điện dung, người ta có thể sử dụng tuốc-nơ-vit để thay đổi vị trí giữa lá động và lá tĩnh Tụ điện được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực.

+ Tụ điện đƣợc dùng để tạo phần tử dung kháng ở trong mạch Dung kháng Xc đƣợc tính theo công thức:

Trong đó : f - là tần số của dòng điện (Hz)

C - là trị số điện dung của tụ điện (F)

Tụ điện không cho dòng điện một chiều đi qua nhưng lại cho phép dòng điện xoay chiều đi qua, do đó nó thường được sử dụng để truyền tín hiệu xoay chiều Đồng thời, tụ điện cũng có khả năng ngăn cách dòng điện một chiều giữa các mạch khác nhau, và được gọi là tụ liên lạc.

+ Tụ dùng để triệt bỏ tín hiệu không cần thiết từ một điểm trên mạch xuống đất gọi là tụ thoát

+ Tụ dùng làm phần tử dung kháng trong các mạch cộng hưởng LC gọi là tụ cộng hưởng

+ Tụ dùng trong mạch lọc gọi là tụ lọc

+ Do có tính nạp điện và phóng điện, tụ dùng để tạo mạch định giờ, mạch phát sóng răng cƣa, mạch vi phân và tích phân…

Cuộn cảm

2.3.1 Định nghĩa và ký hiệu của cuộn cảm a Định nghĩa:

Cuộn dây, hay còn gọi là cuộn tự cảm, là một linh kiện điện tử quan trọng trong việc tạo ra cảm kháng cho mạch điện Cảm kháng của cuộn dây được tính toán dựa trên một công thức cụ thể, giúp xác định khả năng cản trở dòng điện trong mạch.

L - điện cảm của cuộn dây, đo bằng Henry, phụ thuộc vào hình dạng, số vòng dây, cách sắp xếp và cách quấn dây, trong khi f - tần số của dòng điện chạy qua cuộn dây được đo bằng Hertz (Hz).

Các cuộn dây được thiết kế để có độ cảm ứng xác định, với ngay cả đoạn dây dẫn ngắn nhất cũng tạo ra sự cảm ứng Chúng cho phép dòng điện một chiều đi qua nhưng ngăn cản dòng điện xoay chiều Trong cuộn dây, dòng điện và điện áp lệch pha nhau 90 độ Cuộn dây bao gồm các vòng dây dẫn quấn trên một cốt cách điện, có thể có lõi hoặc không, tùy thuộc vào tần số hoạt động Ký hiệu của các cuộn cảm trong sơ đồ mạch điện cũng rất quan trọng để nhận biết.

Trong các mạch điện, cuộn cảm đƣợc ký hiệu bằng chữ cái L

2.3.2 Phân loại và ứng dụng của cuộn cảm

- Dựa theo ứng dụng mà cuộn cảm có một số loại sau:

+ Cuộn cộng hưởng là các cuộn dây dùng trong các mạch cộng hưởng LC

+ Cuộn lọc là các cuộn dây dùng trong các bộ lọc một chiều

+ Cuộn chặn dùng để ngăn cản dòng cao tần, v.v

Cuộn dây có thể được phân loại dựa trên loại lõi, trong đó cuộn dây lõi không khí, hay còn gọi là cuộn dây không có lõi, là một trong những loại phổ biến Chúng ta sẽ xem xét kỹ lưỡng từng loại cuộn dây này để hiểu rõ hơn về đặc điểm và ứng dụng của chúng.

Cuộn dây lõi không khí có nhiều ứng dụng, thường gặp nhất là các cuộn cộng hưởng làm việc ở tần số cao và siêu cao

Các yêu cầu chính của cuộn dây không lõi là:

- Điện cảm phải ổn định ở tần số làm việc

- Hệ số phẩm chất cao ở tần số làm việc

- Hệ số nhiệt của điện cảm thấp

Kích thước và giá thành của cuộn dây cần phải hợp lý để đảm bảo độ ổn định cao Cuộn dây thường được quấn trên ống cốt bền chắc làm từ bìa hoặc sứ Để giảm điện dung riêng, có thể chia cuộn dây thành nhiều cuộn nhỏ nối tiếp.

Dây đồng thường được sử dụng ở tần số khoảng 50 MHz, tuy nhiên, khi tần số tăng cao hơn, cuộn dây thường được thay thế bằng ống đồng hoặc dải đồng tự đỡ Những vật liệu này thường được mạ bạc để cải thiện điện dẫn bề mặt, giúp giảm thiểu tổn thất trong ống quấn.

Các cuộn dây thường được xử lý bằng dung dịch paraphin để chống ẩm và nâng cao độ bền cơ học Điều này đặc biệt quan trọng đối với các cuộn dây sử dụng sợi nhỏ chập lại hoặc cuộn dây quấn theo kiểu đặc biệt.

"tổ ong" Ở tần số Radio, các cuộn đây thường được bọc kim (đặt trong vỏ nhôm ) để tránh các nhiễu điện từ không mong muốn

Muốn tăng điện cảm của cuộn dây mà không cần tăng số vòng dây, người ta dùng các lõi sắt từ b Cuộn dây lõi sắt bụi:

Cuộn dây lõi sắt bụi thường được sử dụng ở tần số cao và trung tần, nhờ vào tổn thất thấp, đặc biệt là tổn thất do dòng điện xoáy ngược So với loại lõi sắt thông thường, cuộn dây lõi sắt bụi có độ từ thẩm thấp hơn nhiều, mang lại hiệu suất tốt hơn trong ứng dụng điện từ.

Cuộn dây lõi Ferit là các cuộn dây làm việc ở tần số cao và trung tần

Lõi Ferit có nhiều hình dạng đa dạng như thanh, ống, chữ E, chữ C, hình xuyến, hình nồi và hạt đậu Một số loại cuộn dây cao tần và trung tần được mô tả trong hình (2-20) Lõi bên trong cuộn dây có thể được thiết kế để điều chỉnh khả năng vào hoặc ra của dòng điện, từ đó làm thay đổi điện cảm của cuộn dây Dòng điện cực đại có thể dao động từ 50 mA đến 1 A, tùy thuộc vào độ dày của dây và kích thước vật lý của cuộn dây.

Biến áp

2.4.1 Định nghĩa và ký hiệu trong sơ đồ mạch a Định nghĩa

Biến áp là thiết bị điện bao gồm hai hoặc nhiều cuộn dây có khả năng cảm ứng từ, dùng để biến đổi điện áp Cuộn dây kết nối với nguồn điện được gọi là cuộn sơ cấp, trong khi các cuộn dây khác kết nối với tải tiêu thụ năng lượng điện được gọi là cuộn thứ cấp Biến áp thường được ký hiệu trong các sơ đồ mạch điện để dễ dàng nhận diện và sử dụng.

2.4.2 Phân loại và ứng dụng của biến áp

Biến áp là thiết bị làm việc với dòng điện xoay chiều, còn khi làm việc với tín hiệu xung gọi là biến áp xung

Biến áp không chỉ có chức năng biến đổi điện áp mà còn đóng vai trò quan trọng trong việc cách điện giữa các mạch khác nhau, khi hai cuộn dây sơ cấp và thứ cấp được cách ly hoàn toàn Ngoài ra, biến áp còn được sử dụng để biến đổi tổng trở trong các trường hợp biến áp ghép chặt.

Biến áp cao tần có hai loại ứng dụng chính: loại ghép lỏng được sử dụng để truyền tín hiệu có chọn lọc, trong khi loại ghép chặt được dùng để biến đổi tổng trở.

Biến áp ghép chặt lý tưởng có η ≈ 100%, không có tổn thất của lõi và dây (K ≈

Biến áp cộng hưởng là một loại biến áp cao tần thường được sử dụng ở trung tần hoặc cao tần, với lõi làm từ không khí, sắt bụi hoặc ferit Các biến áp này có cấu trúc ghép lỏng và được kết hợp với một tụ điện ở cuộn sơ cấp hoặc cuộn thứ cấp để tạo ra hiện tượng cộng hưởng đơn Tần số cộng hưởng có thể được điều chỉnh bằng cách thay đổi vị trí của lõi hoặc bao lõi.

Khi sử dụng hai tụ điện kết nối ở hai cuộn bên, ta có thể đạt được cộng hưởng kép hoặc cộng hưởng lệch Để mở rộng dải thông tần, cần thêm một điện trở đệm mắc song song với mạch cộng hưởng, tuy nhiên, điều này sẽ làm giảm độ chọn lọc tần số của mạch.

Khi thiết kế các biến áp cộng hưởng, cần xem xét mạch cụ thể và đặc tính của các linh kiện tích cực, đồng thời cần lưu ý đến điện cảm rò và điện dung phân tán của các cuộn dây Biến áp cấp điện, hay còn gọi là biến áp nguồn, đóng vai trò quan trọng trong hệ thống điện.

Biến áp nguồn hoạt động với tần số 50 Hz và 60 Hz, có chức năng biến đổi điện áp đầu vào thành điện áp và dòng điện đầu ra theo yêu cầu Đồng thời, biến áp này cũng giúp ngăn cách thiết bị khỏi nguồn điện.

Các biến áp thường được ghi giới hạn bằng Vôn- Ampe Các yêu cầu thiết kế chính của một biến áp cấp điện tốt là:

- Điện cảm cuộn sơ cấp cao để giảm dòng điện không tải xuống giá trị nhỏ nhất

- Hệ số ghép K cao để điện áp thứ cấp ít sụt khi có tải

- Tổn thất trong lõi càng thấp càng tốt

- Kích thước biến áp càng nhỏ càng tốt c Biến áp âm tần:

Biến áp âm tần là thiết bị chuyên dụng hoạt động trong dải tần số từ 20 Hz đến 20,000 Hz, giúp biến đổi điện áp mà không làm méo sóng âm thanh Nó được sử dụng để ngăn cách điện một chiều giữa các mạch, biến đổi tổng trở và đảo pha Một số yếu tố cần chú ý khi sử dụng biến áp âm tần bao gồm chất liệu lõi, số vòng dây và thiết kế mạch.

Đáp ứng tần số của thiết bị cho thấy rằng ở tần số thấp, công suất ra chủ yếu bị giới hạn bởi điện cảm cuộn sơ cấp Trong khoảng tần số từ 100 Hz đến 10 KHz, điện áp ra U2 duy trì ổn định, không bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi tần số Tuy nhiên, khi tần số tăng cao, sự mất mát năng lượng do lõi sắt dẫn đến giảm điện áp ra Ở tần số cao, ảnh hưởng của điện cảm rò và điện dung phân tán giữa các vòng dây trở nên đáng kể hơn.

Khả năng truyền tải công suất cực đại phụ thuộc vào mức độ méo dạng sóng mà người thiết kế chấp nhận Lượng méo này có thể thay đổi tùy theo yêu cầu và mục tiêu của thiết kế.

Biến áp âm tần sử dụng lõi sắt từ hoặc lõi ferit, với thông số công suất ghi trên thiết bị tùy thuộc vào kích thước Nó có tổng trở cuộn sơ cấp và tổng trở thứ cấp, cùng với loại có điểm giữa Để chống bão hòa từ do dòng điện một chiều, lõi biến áp âm tần thường được thiết kế với khe không khí.

Biến áp xung có hai loại: loại tín hiệu và loại công suất

Biến áp xung yêu cầu dải thông tần khắt khe hơn so với biến áp âm tần, cần có điện cảm sơ cấp lớn, điện cảm rò nhỏ và điện dung giữa các cuộn dây thấp để hoạt động hiệu quả ở cả tần số thấp và cao Để đáp ứng các yêu cầu này, vật liệu lõi cần có độ từ thẩm cao và cấu trúc cuộn dây phù hợp Vật liệu lõi của biến áp xung thường được chọn dựa trên dải tần hoạt động, có thể là sắt từ hoặc ferit.

Biến áp nhiều đầu ra bao gồm một cuộn sơ cấp và nhiều cuộn thứ cấp Điện áp đầu ra của mỗi cuộn thứ cấp phụ thuộc vào số vòng dây của cuộn đó, cũng như vào điện áp của cuộn sơ cấp và số vòng dây của cuộn sơ cấp.

Tổng điện áp ra được xác định bằng cách cộng tất cả các điện áp thứ cấp lại với nhau, nhưng chỉ khi các cuộn thứ cấp được kết nối theo kiểu trợ giúp và tất cả các điện áp từ các cuộn dây đều cùng pha.

Nếu 1 trong các cuộn dây ghép nối theo kiểu ngƣợc lại, sao cho điện áp của nó ngƣợc pha với các điện áp khác thì phải lấy các điện áp khác trừ đi điện áp của nó.

ĐIỐT BÁN DẪN

Chuyển tiếp p-n ở trạng thái cân bằng

Bán dẫn loại P, lỗ trống là hạt dẫn đa số, điện tử là hạt dẫn thiểu số Bán dẫn loại

N, điện tử là hạt dẫn đa số, lỗ trống là hạt dẫn thiểu số Khi cho 2 bán dẫn này tiếp xúc công nghệ với nhau, tại bề mặt tiếp xúc, lỗ trống sẽ khuếch tán từ bán dẫn P sang bán dẫn N, ngƣợc lại điện tử sẽ khuếch tán sang bán dẫn P (vì có sự chênh lệch về nồng độ n n >>n p và p p >>p n ) Nhƣ vậy, tại gần bề mặt tiếp xúc bán dẫn P sẽ có những ion âm của các nguyên tử acxepto đã bị ion hóa, tại gần bề mặt tiếp xúc bán dẫn N còn lại các ion dương của các đono bị ion hóa Do sự khuếch tán các hạt đa số mà tại miền lân cận mặt tiếp xúc mất đặc tính trung hòa về điện Phía N tích điện dương, phía P tích điện âm => hình thành nên 1 điện trường khuếch tán Ekt, gọi là nội trường (trường phía bên trong), chiều của Ekt từ hướng từ N sang P Như vậy, E kt chống lại sự dịch chuyển của các hạt đa số (chống lại xu hướng khếch tán ban đầu) Nhưng trường hợp này lại cuốn điện tử từ P sang N, lỗ trống từ N sang P => làm tăng cường sự dịch chuyển của hạt dẫn thiểu số Khi sự khuếch tán xảy ra mãnh liệt vùng điện tích âm, dương ở 2 phía bán dẫn P, N càng rộng ra (số điện tích tăng lên) => E kt tăng lên=> dòng khuếch tán các hạt đa số Ikt giảm đi, còn dòng cuốn các hạt thiểu số I tr ngày càng tăng lên Cuối cùng dòng cuốn các hạt đa số bằng dòng cuốn các hạt thiểu số (I kt = I tr ), tức là có bao nhiêu hạt dẫn đƣa từ P sang N thì có bấy nhiêu hạt dẫn đƣợc đƣa từ N sang P => chuyển tiếp p-n ở trạng thái cân bằng Đó là một trạng thái cân bằng động Ở trạng thái cân bằng, số ion âm nằm trên bề mặt tiếp xúc về phía P và số ion dương nằm trên bề mặt tiếp xúc về phía N bằng nhau không đổi, do đó cường độ nội trường E tx cũng đạt tới giá trị nhất định Miền các ion dương và âm trên không có hạt dẫn cho nên gọi đó là miền điện tích không gian (đôi khi còn gọi là miền nghèo) Khoảng cách từ bờ miền điện tích không gian phía P sang bờ miền điện tích không gian phía N gọi là độ rộng miền điện tích không gian (X m ) Khi đạt đến trạng thái cân bằng độ rộng miền điện tích không gian cũng xác định

Hiệu điện thế tiếp xúc có giá trị xác lập, đƣợc xác định bởi : p n tx n p p n kT kT ln( ) ln( ) q p q n

Với những điều kiện tiêu chuẩn, ở nhiệt độ phòng,  tx có giá trị khoảng 0,3V với loại tiếp xúc p-n làm từ Ge và 0,6V với loại Si

Hình 3.1 minh họa mặt ghép PN trong trạng thái không có điện trường, bao gồm mô hình cấu trúc một chiều, phân bố nồng độ hạt theo phương x, vùng điện tích khối tại lớp nghèo, và hiệu thế tiếp xúc hay hàng rào thế tại nơi tiếp xúc Sự phân bố tạp chất gần bề mặt tiếp xúc là yếu tố quyết định trong việc phân loại chuyển tiếp P-.

Chuyển tiếp p-n được chia thành hai loại chính: chuyển tiếp nhảy bậc, xảy ra khi nồng độ tạp chất tại bề mặt tiếp xúc biến đổi đột ngột, và chuyển tiếp tuyến tính, khi sự biến đổi diễn ra từ từ Mặc dù có sự khác biệt trong cách thức chuyển tiếp, nhưng đặc tính của chúng không khác nhau nhiều Giản đồ năng lượng của chuyển tiếp p-n cho thấy trục đứng biểu diễn năng lượng toàn phần của điện tử, trong khi trục ngang thể hiện kích thước hình học của chuyển tiếp này.

Hình 3.2 Giản đồ năng lƣợng của chuyển tiếp P-N ở điều kiện cân bằng

Trên giản đồ năng lượng của chuyển tiếp p-n, các miền có điện trường tiếp xúc sẽ làm cong ranh giới năng lượng Ở những miền xa lớp tiếp xúc, không có điện trường khuyếch tán, do đó ranh giới năng lượng vẫn giữ nguyên và được thể hiện bằng các đường nằm ngang Hiệu điện thế tiếp xúc (tx) xác định chiều cao rào thế của chuyển tiếp p-n trong điều kiện cân bằng, được tính bằng công thức (tx = qEtx).

Trong trạng thái cân bằng không đổi, vị trí mức Fermi trong chuyển tiếp PN cho thấy rằng mức Fermi trong miền điện tích không gian của bán dẫn loại N và P là bằng nhau.

Miền P có mức cao hơn miền N, tạo ra một điện trường từ N đến P trong không gian Sự uốn cong của giản đồ năng lượng phản ánh sự thay đổi trong thế năng điện tử Khi điện tử di chuyển từ N sang P hoặc lỗ trống di chuyển từ P sang N, chúng cần vượt qua chiều cao của mức uốn năng lượng.

Chuyển tiếp p-n ở điều kiện không cân bằng

Khi áp dụng điện áp ngoài vào chuyển tiếp P-N, sẽ có hai trường hợp xảy ra Nếu điện cực dương của điện áp được kết nối với bán dẫn P và điện cực âm với bán dẫn N, thì đây được gọi là phân cực thuận Ngược lại, khi điện cực dương kết nối với bán dẫn N và điện cực âm với bán dẫn P, tình huống này được gọi là phân cực ngược.

3.2.1 Đặc tính của chuyển tiếp p-n phân cực thuận Đặt vào chuyển tiếp p-n một trường điện từ bên ngoài -> trạng thái cân bằng của chuyển tiếp p-n bị phá vỡ Điện trường bên ngoài E ng có chiều ngược với chiều của điện trường khuếch tán

Khi điện trường tổng cộng trong vùng điện tích không gian giảm, các hạt cơ bản sẽ tiến lại gần nhau hơn tại lớp tiếp xúc.

Khi áp dụng điện áp bên ngoài, các bán dẫn trong lỗ trống P và điện tử trong bán dẫn N sẽ bị đẩy về phía miền điện tích không gian, làm trung hòa các ion dương và âm trong miền này, dẫn đến việc độ rộng của miền điện tích không gian hẹp lại Điện áp thuận càng lớn, số lượng hạt dẫn đa số bị đẩy về miền điện tích không gian càng nhiều, khiến độ rộng của miền này giảm Sự giảm độ rộng miền điện tích không gian tương ứng với sự giảm số lượng điện tích trong vùng này, từ đó làm giảm điện trường của nó so với trạng thái cân bằng.

Hình 3.3 Chuyển tiếp P-N phân cực thuận

Hầu hết các hạt cơ bản có năng lượng đủ lớn để vượt qua hàng rào thế năng, từ đó dẫn đến sự gia tăng dòng điện qua chuyển tiếp p-n Điện trường ngược chiều với điện trường khuếch tán được gọi là điện trường thuận hay điện trường dương.

Ta có giản đồ vùng năng lƣợng của chuyển tiếp P-N nhƣ sau:

Hình 3.4 Giản đồ năng lƣợng của chuyển tiếp P-N phân cực thuận

Sự sụt mức rào thế xảy ra khi hàng rào thế năng giảm xuống một đoạn q(tx – U n), trong đó tx là điện áp tiếp xúc và U n là điện áp bên ngoài đạt vào PN (điện áp phân cực thuận) Độ dốc rào thế cho thấy rằng để điện tử di chuyển từ P sang N, chúng cần vượt qua độ cao rào thế chỉ bằng q(tx – U n).

Giải thích sự dịch chuyển của mức năng lượng Fecmi:

+ Trong miền X ’ p – X p là miền khuyếch tán điện tử, mức Fecmi của lỗ trống có thể coi như gần giống với mức Fecmi của bán dẫn P nằm ngoài X ’ p

Mức chuẩn Fermi điện tử trong bán dẫn N tăng dần từ điểm X' p đến điểm X p, đạt đến mức E Fp và ngang bằng với mức Fermi (E F) n Điều này cho thấy bán dẫn đang trong quá trình chuyển tiếp từ P sang N.

Trong miền khuyếch tán lỗ trống (X ’ n – X n), mức chuẩn Fermi điện tử E Fn tương tự như mức Fermi (E F ) n trong bán dẫn N cân bằng Mức chuẩn Fermi lỗ trống (E Fp) biến đổi từ mức trùng với E Fn tại điểm X n ’ đến mức ngang với (E F ) p tại điểm X n Điều này cho thấy miền khuyếch tán lỗ trống bán dẫn đang trong quá trình chuyển đổi từ loại N sang loại P.

Khi điện trường tổng cộng trong vùng điện tích không gian tăng lên cùng chiều với điện trường kẻ, điều này làm cho các hạt tải cơ bản trong vùng trống không thể tiếp cận gần lớp tiếp xúc công nghệ Kết quả là chiều rộng vùng diện tích không gian tăng lên và hàng rào thế năng cũng gia tăng, khiến các hạt tải cơ bản không đủ năng lượng để vượt qua hàng rào này Điều này dẫn đến sự suy giảm dòng các hạt tải qua chuyển tiếp p-n Điện trường có chiều ngược lại với điện trường khuếch tán được gọi là điện trường âm hay điện trường nghịch của chuyển tiếp p-n, và chuyển tiếp p-n này được xem là chuyển tiếp p-n phân cực ngược.

.Hình 3.5 Chuyển tiếp P-N phân cực ngƣợc

Khi phân cực ngược dòng trong tiếp điểm p-n, các hạt tải không cơ bản như điện tử trong miền p và lỗ trống trong miền n sẽ di chuyển vào miền tiếp xúc do điện trường tăng Kết quả là một dòng điện rất nhỏ, được gọi là dòng điện ngược (dòng rò), sẽ xuất hiện qua tiếp điểm p-n Dòng điện này có xu hướng tiến tới một giá trị bão hòa, được gọi là dòng bão hòa.

Hình 3.6 Giản đồ năng lượng của chuyển tiếp P-N phân cực ngược

- Giải thích sự sụt mức rào thế: hàng rào thế năng bị thấp xuống một đoạn là q( tx +

Điện áp tiếp xúc ( tx) và điện áp bên ngoài (U n) có vai trò quan trọng trong việc xác định độ dốc rào thế trong các mối nối P-N Để điện tử có thể di chuyển từ vùng P sang vùng N, chúng cần vượt qua một rào cản năng lượng lớn, tương ứng với tổng giá trị q( tx + U n).

Hiện tƣợng đánh thủng chuyển tiếp p-n

3.3.1 Hiện tƣợng đánh thủng chuyển tiếp p-n

Khi p-n phân cực ngược, dòng ngược sẽ đạt đến giá trị bão hòa Nếu điện áp ngược tiếp tục tăng vượt quá một mức nhất định, dòng ngược sẽ tăng đột ngột, dẫn đến hiện tượng đánh thủng p-n Điện áp ngược tại điểm này được gọi là điện áp đánh thủng Đường đặc tuyến (3) biểu thị đặc tuyến đánh thủng chuyển tiếp PN.

Hình 3.6 Đặc tuyến V-A của chuyển tiếp P-N bị đánh thủng

Hiện tượng đánh thủng trong bán dẫn có thể gây hại do làm tăng dòng điện đột ngột, dẫn đến nguy cơ hỏng hóc thiết bị Tuy nhiên, trong một số trường hợp, hiện tượng này lại có lợi khi được ứng dụng trong điốt ổn định.

- Có 2 cơ chế đánh thủng cơ bản

3.3.2 Hiện tƣợng đánh thủng thác lũ

Khi điện áp ngược tăng, điện trường trong miền điện tích không gian cũng tăng theo, dẫn đến việc các hạt dẫn thiểu số bị cuốn qua và mang theo động năng lớn hơn Quá trình này gây ra va chạm với các nguyên tử, dẫn đến ion hoá, làm tăng số lượng hạt dẫn trong miền điện tích không gian Hiện tượng ion hoá do va chạm tạo ra các điện tử tự do, tiếp tục va chạm và ion hoá các nguyên tử mới, diễn ra liên tục và nhanh chóng Kết quả là số lượng hạt dẫn trong bán dẫn tăng đột ngột, làm giảm điện trở suất và tăng dòng qua tiếp điểm P-N Cơ chế này được gọi là cơ chế thác lũ.

3.3.3 Hiện tƣợng đánh thủng xuyên hầm Điện trường của chuyển tiếp P-N không những chỉ gia tốc các hạt thiểu số mà còn cung cấp năng lƣợng cho các nguyên tử lớp ngoài cùng của nguyên tử bán dẫn Nếu những điện tử này nhận đƣợc năng lƣợng đủ lớn, chúng có thể tách khỏi nguyên tử trở thành điện tử tự do Hiện tƣợng ion hoá này gọi là hiện tƣợng ion hoá do điện trường Nếu điện áp ngược đặt vào lớn, điện trường ngược đặt vào lớn, hiện tượng ion hoá xảy ra trên nhiều nguyên tử bán dẫn và do đó số hạt dẫn tăng lên đột ngột làm cho dòng ngƣợc đột ngột tăng lên Hiện tƣợng đánh thủng này còn gọi là hiện tƣợng đánh thủng xuyên hầm hay đánh thủng Zenner

Ta có thể giải thích 2 cơ chế đánh thủng bằng giản đồ vùng năng lƣợng

Hình 3.7 Cơ chế đánh thủng theo mô hình vùng năng lượng

Khi đánh thủng thác lũ, năng lượng từ va chạm khiến các điện tử trong vùng hóa trị nhảy lên vùng dẫn, dẫn đến sự gia tăng nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn.

Khi đánh thủng xuyên hầm, các điện tử hoá trị di chuyển qua đường hầm thay vì nhảy qua vùng cấm do điện áp phân cực ngược lớn Điều này dẫn đến độ uốn cong của giản đồ năng lượng, khi một số điện tử trong vùng hoá trị bên P có thế năng lớn hơn hoặc bằng thế năng của điện tử trong vùng bán dẫn loại N Khi điện trường ngược tăng, độ uốn giản đồ năng lượng cũng tăng, làm tăng xác suất xuyên hầm Khi độ rộng xuyên hầm giảm xuống một giá trị nhất định, số hạt dẫn xuyên hầm tăng đột ngột, gây ra hiện tượng đánh thủng xuyên hầm.

Nhận xét: - Khó phân biệt giữa đánh thủng thác lũ, đánh thủng xuyên hầm

- Đánh thủng xuyên hầm xảy ra ngay lập tức, đánh thủng thác lũ cần có quá trình

- Hệ số nhiệt độ của điện áp đánh thủng xuyên hầm có giá trị âm, của điện áp đánh thủng thác lũ có giá trị dương.

Điốt bán dẫn sử dụng chuyển tiếp p-n

3.4.1 Điôt chỉnh lưu Điốt bán dẫn có cấu tạo là một chuyển tiếp P-N với hai điện cực nối ra ngoài phía miền P gọi là atôt và phía miền N gọi là catốt Nối tiếp điốt bán dẫn với một nguồn điện áp ngoài qua một điện trở hạn chế dòng, biến đổi cường độ và chiều của điện áp ngoài, người ta thu được đặc tuyến Von – Ampe của điốt có dạng như sau:

Hình 3.10 Đặc tuyến Von – Ampe của điốt chỉnh lưu

Trong vùng (1) và (2) phưong trình mô tả đường cong có dạng:

Hạt ta có điốt + I S là dòng điện ngược bão hòa, có giá trị gần như không phụ thuộc vào U AK Thay vào đó, nó chỉ phụ thuộc vào nồng độ thiểu số lúc cân bằng, độ dài khuyếch tán, bản chất cấu tạo của chất bán dẫn tạp chất loại n và p, và nhiệt độ.

U  q gọi là thế nhiệt, ở nhiệt độ T00 0 K, q=1,6.10 -19 C, k= 1,38.10 -23 J/K, U T %,5mV

Tại vùng mở (phân cực thuận), điện áp U_T và dòng điện I_s có sự phụ thuộc vào nhiệt độ, dẫn đến hình dạng đường cong thay đổi theo nhiệt độ Hệ số nhiệt được xác định bởi đạo hàm riêng U_AK theo nhiệt độ.

Nghĩa là giữ cho dòng điện thuận qua van không đổi, điện áp thuận giảm theo nhiệt độ với tốc độ -2mV/K

Tại vùng khoá (phân cực ngƣợc): giá trị Is nhỏ và tăng gấp đôi khi gia số nhiệt độ tăng 10 0 C

Trong các mạch điện thực tế, việc ổn định bán dẫn là rất quan trọng, đặc biệt khi hoạt động dưới ảnh hưởng của nhiệt độ Các biện pháp chống lại những tác động nhiệt độ này giúp duy trì hiệu suất và độ tin cậy của mạch điện.

Tại vùng đánh thủng (khi UAK

Ngày đăng: 11/03/2022, 10:59

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1) Vật liệu kỹ thuật điện, Nguyễn Đình Thắng, NXB KHKT Hà Nội Khác
2) Fundamentals of electric circuits, David A. Bell, Prentice Hall International Editions, 1998 Khác
3) Electronic devices and circuits, Jacob Millman, Christos C. Halkias, Me Graw Hill Book 1987 Khác
4) Kỹ thuật điện tử, Đỗ Xuân Thụ, NXB GD 1997 Khác
5) Các linh kiện bán dẫn thông dụng, Nguyễn Nhƣ Anh và nhóm tác giả, NXB KHKT 1988 Khác
6) Vi điện tử số, Nguyễn Quốc Trung, NXB KHKT 1997 7) Dụng cụ bán dẫn 1&2 , Đỗ Xuân Thụ, NXB THCN Khác

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN